• 2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic
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2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic

2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: plantilla 2-4inch

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 2pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea por el envasado al vacío
Tiempo de entrega: 1-5weeks
Condiciones de pago: T / T, Western Union
Capacidad de la fuente: 50pcs por mes
Mejor precio Contacto

Información detallada

Materiales: Solo cristal de GaN Tamaño: 2inch
Espesor: 4-5um en 0.43m m Tipo: Plantilla
Aplicación: Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder Crecimiento: HVPE
Alta luz:

oblea gan

,

Oblea del arseniuro de galio

Descripción de producto

plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, oblea del mocvd GaN, substratos libres por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, substratos libres no polares de GaN del nitruro del galio de GaN de GaN del nitruro del galio del mocvd de GaN (uno-avión y m-avión)

 

Característica de la oblea de GaN

  1. III-nitruro (GaN, AlN, mesón)

El nitruro del galio es una clase de semiconductores compuestos de ancho-Gap. El substrato del nitruro del galio (GaN) es

un substrato monocristal de alta calidad. Se hace con método de HVPE y la tecnología de proceso originales de la oblea, que se ha desarrollado originalmente para 10+years en China. Las características son uniformidad arriba cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para muchas clases de usos, para el LED blanco y el LD (violeta, azul y verde) además, desarrollo ha progresado para el poder y las aplicaciones para dispositivos electrónicas de alta frecuencia.

 

Cubierta prohibida del ancho de banda (luminescente y absorción) el ultravioleta, la luz visible y el infrarrojo.

 

2-4 especificación de las plantillas de GaN de la pulgada

2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic 0

2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic 1

  n-tipo p-tipo Semiaislante
n [cm-3] hasta 1019 - -
p [cm-3] - hasta 1018 -
p [cm-3] 10-3 - 10-2 102 - 103 109 - 1012
¼ de Î [cm2 de /Vs] hasta 150 - -
Variación total (TTV)/µm del grueso <40> <40> <40>
Bow/µm <10> <10> <10>
FWHM [arco segundo] de la curva oscilante de la radiografía, superficie epi-lista, en el ¼ m x de 100 Î raja del ¼ m de 100 Î <20>
Densidad de dislocación [cm-2] <10>5
Misorientation/grado A pedido
Final superficial Según lo cortado/molido
Pulido áspero
Ópticamente pulido (RMS < 3="" nm=""> Epi-listo (RMS < 0="">

Ventajas de esta especificación 

  Una curvatura más pequeña Menos dislocaciones Portadores más eléctricos
Lasers Producciones más altas Baje el voltaje del umbral Mayor potencia
LED Una mejor eficacia (IQE)
Transistores Baje la corriente de la salida Un po más alto

Uso:

GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.

2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic 2

  • Los dispositivos de alta frecuencia detección de alta energía de la microonda y se imaginan
  • Nueva detección del ambiente de la tecnología del hidrógeno del solor de la energía y medicina biológica
  • Banda del terahertz de la fuente de luz
  • Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, almacenamiento de la fecha del etc.
  • Exhibición a todo color del fla de la iluminación económica de energía
  • Dispositivos electrónicos de gran eficacia del laser Projecttions

2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic 3

 

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Nuestra empresa Vision de Factroy
proveeremos del substrato de alta calidad de GaN y de la tecnología del uso para la industria nuestra fábrica.
GaNmaterial de alta calidad es el factor de refrenamiento para el uso de los III-nitruros, e.g larga vida
y alta estabilidad LDs, poder más elevado y altos dispositivos de la microonda de la confiabilidad, alto brillo
y eficacia alta, LED ahorro de energía.

- FAQ –


Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 2pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-10pcs.
Depende de cantidad y de técnicas.

Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar los informes del informe y del alcance de ROHS para nuestros productos.


Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 4 workweeks después de orden.

Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía del comercio.
 

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. 2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.