substratos del zafiro 350um de la plantilla 430um del nitruro de aluminio de AlN del grueso 5um sic
Datos del producto:
Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | zmkj |
Número de modelo: | plantilla 2-4inch |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
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Precio: | by case |
Detalles de empaquetado: | sola caja de la oblea por el envasado al vacío |
Tiempo de entrega: | 1-5weeks |
Condiciones de pago: | T / T, Western Union |
Capacidad de la fuente: | 50pcs por mes |
Información detallada |
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Materiales: | Substratos del nitruro de aluminio | Tamaño: | 2inch |
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Espesor: | 4-5um en 0.43m m | Tipo: | Plantilla |
Aplicación: | Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder | Crecimiento: | HVPE |
Alta luz: | oblea gan,obleas del fosfuro del galio |
Descripción de producto
plantilla del nitruro de aluminio de AlN del grueso de 2inch 5um en 430um los substratos del zafiro 350um sic
Característica de la oblea de AlN
- III-nitruro (GaN, AlN, mesón)
plantilla de 2inch AlN en el zafiro o sic los substratos, oblea del nitruro del galio de HVPE, substratos de AlN en GaN
Cubierta prohibida del ancho de banda (luminescente y absorción) el ultravioleta, la luz visible y el infrarrojo.
La plantilla de AlN se utiliza para el desarrollo de las estructuras del HEMT, diodos que hacen un túnel resonantes y
dispositivos acoustoelectronic
2-4 especificación de las plantillas de AlN de la pulgada
Especificaciones:
2" plantillas de AlN | 4inch | |
Artículo | AlN-T | |
Dimensiones | Ф 2" | |
Substrato | Zafiro, sic, GaN | |
Grueso | 4-5um | |
Orientación | ± 1° de C-AXIS (0001) | |
Tipo de la conducción | Semiaislante | |
Densidad de dislocación | XRD FWHM de (0002) < 200="" arcsec=""> | |
XRD FWHM de (10-12) < 1000="" arcsec=""> | ||
Superficie usable | > el 80% | |
Polaco | Estándar: SSP | |
Opción: DSP | ||
Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en casetes de 25pcs o de solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno. |
Uso:
GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
- Los dispositivos de alta frecuencia detección de alta energía de la microonda y se imaginan
- Nueva detección del ambiente de la tecnología del hidrógeno del solor de la energía y medicina biológica
- Banda del terahertz de la fuente de luz
- Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, almacenamiento de la fecha del etc.
- Exhibición a todo color del fla de la iluminación económica de energía
- Dispositivos electrónicos de gran eficacia del laser Projecttions
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proveeremos del substrato de alta calidad de GaN y de la tecnología del uso para la industria nuestra fábrica.
GaNmaterial de alta calidad es el factor de refrenamiento para el uso de los III-nitruros, e.g larga vida
y alta estabilidad LDs, poder más elevado y altos dispositivos de la microonda de la confiabilidad, alto brillo
y eficacia alta, LED ahorro de energía.
- FAQ –
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 2pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-10pcs.
Depende de cantidad y de técnicas.
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar los informes del informe y del alcance de ROHS para nuestros productos.
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 4 workweeks después de orden.
Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía del comercio.