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la oblea HVPE del nitruro del galio de 5x5/10x10 milímetro libera la plantilla derecha del microprocesador industrial
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | zmkj |
| Número de modelo: | GaN-FS-C-U-C50-SSP |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 10pcs |
|---|---|
| Precio: | 1200~2500usd/pc |
| Detalles de empaquetado: | sola caja de la oblea por el envasado al vacío |
| Tiempo de entrega: | 1-5weeks |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 50pcs por mes |
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Información detallada |
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| Materiales: | Solo cristal de GaN | Tamaño: | 10x10/5x5/20x20mmt |
|---|---|---|---|
| Espesor: | 0.35m m | Tipo: | N-tipo |
| Aplicación: | dispositivo de semiconductor | ||
| Alta luz: | oblea gan,obleas del fosfuro del galio |
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Descripción de producto
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, oblea del mocvd GaN, substratos libres por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, substratos libres no polares de GaN del nitruro del galio de GaN de GaN del nitruro del galio del mocvd de GaN (uno-avión y m-avión)
Característica de la oblea de GaN
| Producto | Substratos del nitruro del galio (GaN) | ||||||||||||||
| Descripción de producto: |
La plantilla de Saphhire GaN se presenta el método de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro de Epitxial. En el proceso de HVPE, el ácido produjo por la reacción GaCl, que a su vez se reacciona con amoníaco al derretimiento del nitruro del galio de la producción. La plantilla epitaxial de GaN es una manera rentable de substituir el substrato del solo cristal del nitruro del galio. |
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| Parámetros técnicos: |
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| Especificaciones: |
Película epitaxial de GaN (avión) de C, N-tipo, 2" * 30 micrones, zafiro; Película epitaxial de GaN (avión) de C, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro; Película epitaxial de GaN (avión) de R, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro; Película epitaxial de GaN (avión) de M, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro. Película de AL2O3 + de GaN (N-tipo Si dopado); Película de AL2O3 + de GaN (P-tipo magnesio dopado) Nota: según la orientación y el tamaño especiales del enchufe de la demanda de los clientes. |
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| Empaquetado del estándar: | bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja |
Uso
GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
- Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
- Almacenamiento de la fecha
- Iluminación económica de energía
- Exhibición a todo color del fla
- Laser Projecttions
- Dispositivos electrónicos de gran eficacia
- Dispositivos de alta frecuencia de la microonda
- La detección de alta energía y se imagina
- Nueva tecnología del hidrógeno del solor de la energía
- Detección del ambiente y medicina biológica
- Banda del terahertz de la fuente de luz
Especificaciones:
| Substratos libres no polares de GaN (uno-avión y m-avión) | ||
| Artículo | GAN-FS-uno | GAN-FS-m |
| Dimensiones | 5.0mm×5.5m m | |
| 5.0mm×10.0m m | ||
| 5.0mm×20.0m m | ||
| Tamaño modificado para requisitos particulares | ||
| Grueso | 350 µm del ± 25 | |
| Orientación | ± 1° del uno-avión | ± 1° del m-avión |
| TTV | µm ≤15 | |
| ARCO | µm ≤20 | |
| Tipo de la conducción | N-tipo | |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | |
| Densidad de dislocación | Menos que 5x106 cm-2 | |
| Superficie usable | > el 90% | |
| Polaco | Superficie delantera: Ra < 0=""> | |
| Superficie trasera: Tierra fina | ||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno. | |