• 4" silicio en el grado 4H de la prima de la producción de las obleas del zafiro N-dopó sic las obleas
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4" silicio en el grado 4H de la prima de la producción de las obleas del zafiro N-dopó sic las obleas

4" silicio en el grado 4H de la prima de la producción de las obleas del zafiro N-dopó sic las obleas

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZMKJ
Número de modelo: P-grado 4inch

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1pcs
Precio: 600-1500usd/pcs by FOB
Detalles de empaquetado: solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-6weeks
Condiciones de pago: T / T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1-50pcs/month
Mejor precio Contacto

Información detallada

Materiales: Tipo del cristal sic solo 4H-N Grado: Maniquí/grado de /Production de la investigación
Thicnkss: 350um o 500um Suraface: CMP/MP
Aplicación: prueba de pulido del fabricante del dispositivo Diámetro: 100±0.3m m
Alta luz:

substrato del carburo de silicio

,

sic oblea

Descripción de producto

Obleas de los substratos del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m del grado 6inch de la prueba 4H-N (sic), de los lingotes substratos sic cristalinos del semiconductor sic, de silicio del carburo de la oblea cristalina de Customzied del como-corte obleas sic

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)  

El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias

 

oblea n-dopada pulgada del carburo de silicio 4 4H sic

especificación del substrato del carburo de silicio de 4 pulgadas de diámetro (sic)

 Grado

Grado cero de la producción de MPD  

(Grado de Z)

Grado de la producción

(Grado de P)

Grado simulado (grado de D)

Diámetro

99.5-100 milímetros

 Grueso

4H-N

350 μm±25μm

4H-SI

500 μm±25μm

 Orientación de la oblea

De eje: 4.0°toward<> 1120 > ±0.5° para 4H-N en eje: <0001>±0.5° para 4H-SI

 Densidad de Micropipe

4H-N

0.5cm-2

2cm2s

15cm2s

4H-SI

1cm-2

5cm2s

15cm2s

 Resistencia

4H-N

0.015~0.025 Ω·cm

0.015~0.028 Ω·cm

4H-SI

1E7Ω·cm

1E5Ω·cm

 Plano primario

{10-10} ±5.0°

 Longitud plana primaria

32,5 mm±2.0 milímetro

 Longitud plana secundaria

18.0mm±2.0 milímetro

 Orientación plana secundaria

Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero

 Exclusión del borde

2 milímetros

 LTV/TTV/Bow /Warp

los4μm/≤10μm/≤25μm/≤35μm

el10μm/≤15μm/≤25μm/≤40μm

 Aspereza

polaco del Ra1nanómetro

del Ra del CMP0,5nanómetros

Grietas por la luz de intensidad alta

Ninguno

acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud

 Placas del hex. por la luz de intensidad alta

acumulativo0,05%del área

acumulativo0,1%del área

Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta

Ninguno

acumulativo el3%del área

Inclusiones visuales del carbono

acumulativo0,05%del área

acumulativo el3%del área

Rasguños por la luz de intensidad alta

Ninguno

Diámetro acumulativo del×waferdel 1 de la longitud

 Microprocesador del borde

Ninguno

5 permitidos, 1milímetropor cada uno

Contaminación por la luz de intensidad alta

Ninguno

 Empaquetado

casete de la Multi-oblea o solo envase de la oblea

Notas:
* los límites de los defectos se aplican a la superficie entera de la oblea a excepción del área de exclusión del borde. # los rasguños se deben comprobar cara del Si solamente.

4" silicio en el grado 4H de la prima de la producción de las obleas del zafiro N-dopó sic las obleas 14" silicio en el grado 4H de la prima de la producción de las obleas del zafiro N-dopó sic las obleas 24" silicio en el grado 4H de la prima de la producción de las obleas del zafiro N-dopó sic las obleas 3

 

Sobre sic usos de los substratos
 
4" silicio en el grado 4H de la prima de la producción de las obleas del zafiro N-dopó sic las obleas 4
 
TAMAÑO DEL CAMPO COMÚN DEL CATÁLOGO                             

 

Tipo 4H-N/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H
4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H

 

oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic

2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
 
 
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H

 
 Tamaño de Customzied para 2-6inch 
 

 

Ventas y servicio de atención al cliente               

Compra de los materiales

El departamento de compra de los materiales es responsable recolectar todas las materias primas necesarias para producir su producto. La rastreabilidad completa de todos los productos y materiales, incluyendo análisis químico y físico está siempre disponible.

Calidad

Durante y después de la fabricación o de trabajar a máquina de sus productos, el departamento del control de calidad está implicado en asegurarse de que todos los materiales y tolerancias resuelven o exceden su especificación.

 

Servicio

Nos enorgullecemos en tener el personal de la ingeniería de ventas con durante 5 años de experiencias en la industria del semiconductor. Se entrenan para contestar a preguntas técnicas así como para proporcionar las citas oportunas para sus necesidades.

estamos en su lado por en cualquier momento cuando usted tiene problema, y lo resolvemos en 10hours.

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Quiere saber más detalles sobre este producto
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¡Gracias!
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