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Oblea dopada Si del GaAs del arseniuro de galio del substrato del semiconductor para Microwave/HEMT/PHEMT
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | zmkj |
| Número de modelo: | 6inch S-C-N |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | la sola oblea embaló en 6" caja plástica debajo del N2 |
| Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 500pcs por mes |
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Información detallada |
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| Materiales: | Solo cristal del GaAs | Tamaño: | 6inch |
|---|---|---|---|
| Espesor: | 650um o customzied | Del tipo: | muesca o del plano |
| Orientación: | (100) 2°off | superficie: | DSP |
| Método del crecimiento: | VFG | ||
| Alta luz: | substrato del gasb,oblea de semiconductor |
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Descripción de producto
el tipo de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-dopó la oblea del GaAs del arseniuro de galio
Descripción de producto
Obleas del arseniuro de galio (GaAs)
PWAM desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y tecnología de proceso de la oblea del GaAs, establecimos una cadena de producción del crecimiento cristalino, corte, moliendo al proceso de pulido y construimos un cuarto limpio de 100 clases para la limpieza y el empaquetado de la oblea. Nuestra oblea del GaAs incluye el lingote/las obleas de 2~6 pulgadas para el LED, el LD y los usos de la microelectrónica. Nos dedican siempre para mejorar la calidad actualmente de subestados y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LED
- 1. Utilizado principalmente en electrónica, aleaciones de baja temperatura, arseniuro de galio.
- 2. El compuesto químico primario del galio en electrónica, se utiliza en circuitos de la microonda, circuitos de alta velocidad de la transferencia, y circuitos infrarrojos.
- 3. El nitruro del galio y el nitruro del galio del indio, porque las aplicaciones del semiconductor, producen los diodos electroluminosos azules y violetas (LEDs) y los lasers del diodo.
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ESPECIFICACIÓN --N-tipo oblea del SI-dopante de 6 pulgadas del arseniuro de galio de SSP/DSP LED/LD
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Método del crecimiento
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VGF
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Orientación
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<100>
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Diámetro
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150,0 +/- 0,3 milímetros
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Grueso
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650um +/- 25um
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Polaco
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Escoja (SSP) pulido echado a un lado
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Aspereza superficial
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Pulido
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TTV/Bow
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<10um>
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Dopante
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Si
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Tipo de la conductividad
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N-tipo
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Resistencia (en el RT)
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(1.2~9.9) *10-3 ohmio cm
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Densidad del hoyo de grabado de pistas (EPD)
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LED <5000>2; LD <500>
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Movilidad
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Cm2s/v.s del LED >1000; Cm2s/v.s del LD >1500
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Concentración de portador
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LED > (0.4-4) *1018 /cm 3; LD > (0.4-2.5) *1018 /cm3
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Especificaciones de la oblea semiconductora del GaAs
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Método del crecimiento |
VGF |
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Dopante |
p-tipo: Zn |
n-tipo: Si |
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Forma de la oblea |
Redondo (diámetro: 2", 3", 4", 6") |
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Orientación superficial * |
(100) ±0.5° |
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|
* otras orientaciones quizá disponibles a petición |
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Dopante |
Si (n-tipo) |
Zn (p-tipo) |
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Concentración de portador (cm-3) |
(0.8-4) × 1018 |
(0.5-5) × 1019 |
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Movilidad (cm2/V.S.) |
× 103 (de 1-2.5) |
50-120 |
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Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2) |
100-5000 |
3,000-5,000 |
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Diámetro de la oblea (milímetro) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
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Grueso (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
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TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
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|
TTV [P/E] (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
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|
DEFORMACIÓN (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
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|
DE (milímetro) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
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|
DE/SI (milímetro) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
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Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
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Especificaciones de la oblea semiaislante del GaAs
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Método del crecimiento |
VGF |
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Dopante |
Tipo del SI: Carbono |
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Forma de la oblea |
Redondo (diámetro: 2", 3", 4", 6") |
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Orientación superficial * |
(100) ±0.5° |
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|
* otras orientaciones quizá disponibles a petición |
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Resistencia (Ω.cm) |
× 107 del ≥ 1 |
× 108 del ≥ 1 |
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Movilidad (cm2/V.S) |
≥ 5.000 |
≥ 4.000 |
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Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2) |
1,500-5,000 |
1,500-5,000 |
||
|
Diámetro de la oblea (milímetro) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
150±0.3 |
|
Grueso (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
675±25 |
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TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
|
TTV [P/E] (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
|
DEFORMACIÓN (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 15 |
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DE (milímetro) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
MUESCA |
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DE/SI (milímetro) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
N/A |
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Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como lente de la bola, lente de powell y lente del colimador:
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
(2) para los productos apagado-estándar, la entrega es 2 o 6 workweeks después de que usted ponga la orden.
Q: ¿Cómo pagar?
T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, garantía segura del pago y del comercio en Alibaba y etc….
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-20pcs.
Depende de cantidad y de técnicas
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.
Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque. Según la cantidad y la forma del producto,
¡tomaremos un diverso proceso de empaquetado!