• Solo cristal pulido lado doble 4 H-N Sic Wafer
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Solo cristal pulido lado doble 4 H-N Sic Wafer

Solo cristal pulido lado doble 4 H-N Sic Wafer

Datos del producto:

Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: ZMKJ
Número de modelo: Obleas de la semilla

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 3 PC
Precio: by case
Detalles de empaquetado: solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-6weeks
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1-50pcs/month
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: Tipo del cristal sic solo 4H-N Grado: Grado de la producción
Thicnkss: 0.5m m o 1m m; Suraface: lado doble pulido
Uso: prueba de pulido del fabricante del dispositivo Diámetro: 153±0.5m m
Alta luz:

Solo cristal 4 H-N Sic Wafer

,

Sic oblea pulida lado doble

,

SIC 4 H-N Seed Crystal Wafer

Descripción de producto

 

 

oblea cristalina de semilla de SIC 4H-N del carburo de silicio de 2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC ingots/4inch 6inch para el crecimiento cristalino

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)

 

El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.

 
1. Descripción
Propiedad 4H-SiC, solo cristal 6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidad 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción

ningunos = 2,61

ne = 2,66

ningunos = 2,60

ne = 2,65

Constante dieléctrica c~9.66 c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conductividad termal (semiaislante)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Banda-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo eléctrico de la avería los 3-5×106V/cm los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

4 pulgadas n-doparon la oblea del carburo de silicio 4H sic

Especificación estándar para sic las obleas

 

4 especificación cristalina del substrato del carburo de silicio del diámetro del grado 4inch de H-N Seed (sic)

Solo cristal pulido lado doble 4 H-N Sic Wafer 1

Demostración del producto:

 

Solo cristal pulido lado doble 4 H-N Sic Wafer 2

Solo cristal pulido lado doble 4 H-N Sic Wafer 3

 
CATÁLOGO   TAMAÑO COMÚN
                            
 

 

4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H
4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H

 

oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic

2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
 
 
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H

 
 Tamaño de Customzied para 2-6inch
 
 

Sobre ZMKJ Company

 

ZMKJ puede proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en pulgada del diámetro 2-6, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

 

FAQ:

Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?

: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.

(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y

La carga está de acuerdo con el acuerdo real.

 

Q: ¿Cómo pagar?

: Depósito de T/T el 100% antes de la entrega.

 

Q: ¿Cuál es su MOQ?

: (1) para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs él es mejor.

(2) para los productos comunes modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.

 

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?

: (1) para los productos estándar

Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.

Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 -4 semanas después de usted contacto de la orden.

 

Q: ¿Usted tiene productos estándar?

: Nuestros productos estándar en existencia. como substratos similares 4inch 0.35m m.

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Solo cristal pulido lado doble 4 H-N Sic Wafer ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.