• Oblea pulida del carburo de silicio 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35m m sic
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Oblea pulida del carburo de silicio 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35m m sic

Oblea pulida del carburo de silicio 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35m m sic

Datos del producto:

Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: ZMKJ
Número de modelo: Tamaño modificado para requisitos particulares

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-6weeks
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1-50pcs/month
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: 4h-semi cristalino sic solo Grado: prueba grado
Thicnkss: 0.35m m o 0.5m m Suraface: DSP pulido
Uso: epitaxial Diámetro: 3inch
Color: Transparente MPD: <10cm-2>
Tipo: pureza elevada sin impurificar Resistividad: >1E7 O.hm
Alta luz:

oblea del carburo de silicio de 0.35m m

,

Oblea del carburo de silicio de 4 pulgadas

,

Sic oblea del carburo de silicio

Descripción de producto

 

 

Obleas sin impurificar de la pureza elevada 4H-semi resistivity>1E7 3inch 4inch 0.35m m de los lingotes de Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/de los substratos wafersS/del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic) sic

 

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)

 

El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.

 

1. Descripción
Propiedad 4H-SiC, solo cristal 6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidad 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción

ningunos = 2,61
ne = 2,66

ningunos = 2,60
ne = 2,65

Constante dieléctrica c~9.66 c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conductividad termal (semiaislante)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

Banda-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo eléctrico de la avería los 3-5×106V/cm los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación 2.0×105m/s 2.0×105m/s

4 pulgadas n-doparon la oblea del carburo de silicio 4H sic

Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de 4H-N 4inch (sic)

    
especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 2inch (sic)  
Grado Grado cero de MPD Grado de la producción Grado de la investigación Grado simulado  
 
Diámetro 100. mm±0.38mm  
 
Grueso los 350 μm±25μm o 500±25um o el otro grueso modificado para requisitos particulares  
 
Orientación de la oblea En eje: <0001> ±0.5° para 4h-semi  
 
Densidad de Micropipe cm2s ≤1 cm2s ≤5 ≤10cm-2 cm2s ≤30  
 
Resistencia 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm  
 
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm  
 
4h-semi ≥1E7 Ω·cm  
 
Plano primario {10-10} ±5.0°  
 
Longitud plana primaria 18,5 mm±2.0 milímetro  
 
Longitud plana secundaria 10.0mm±2.0 milímetro  
 
Orientación plana secundaria Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero  
 
Exclusión del borde 1 milímetro  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤15μm/≤30μm  
 
Aspereza Ra≤1 polaco nanómetro  
 
CMP Ra≤0.5 nanómetro  
 
Grietas por la luz de intensidad alta Ninguno 1 permitida, ≤2 milímetro ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud  
 
 
Placas del hex. por la luz de intensidad alta Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤3%  
 
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta Ninguno Área acumulativa el ≤2% Área acumulativa el ≤5%  
 
 
Rasguños por la luz de intensidad alta 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer  
 
 
microprocesador del borde Ninguno 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno  

 

 

Usos:

1) Deposición del nitruro de III-V

2) Dispositivos optoelectrónicos

3) Dispositivos de alta potencia

4) Dispositivos des alta temperatura

5) Dispositivos de poder de alta frecuencia

 

Demostración de la exhibición de la producción

Oblea pulida del carburo de silicio 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35m m sic 1Oblea pulida del carburo de silicio 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35m m sic 2

 
Oblea pulida del carburo de silicio 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35m m sic 3
 
 
CATÁLOGO   TAMAÑO COMÚN   En NUESTRA LISTA del INVENTARIO
  
 

 

4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H
4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H

oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic

2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
 
 
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H
 
Tamaño de Customzied para 2-6inch
 
 

Sic usos

 

Áreas de aplicación

  • 1 diodos de Schottky de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN,
  • diodos, IGBT, MOSFET
  • 2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED

>Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.

¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o casete 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados.

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Oblea pulida del carburo de silicio 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35m m sic ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
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