Oblea pulida del carburo de silicio 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35m m sic
Datos del producto:
Lugar de origen: | CHINA |
Nombre de la marca: | ZMKJ |
Número de modelo: | Tamaño modificado para requisitos particulares |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
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Precio: | by case |
Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
Información detallada |
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Material: | 4h-semi cristalino sic solo | Grado: | prueba grado |
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Thicnkss: | 0.35m m o 0.5m m | Suraface: | DSP pulido |
Uso: | epitaxial | Diámetro: | 3inch |
Color: | Transparente | MPD: | <10cm-2> |
Tipo: | pureza elevada sin impurificar | Resistividad: | >1E7 O.hm |
Alta luz: | oblea del carburo de silicio de 0.35m m,Oblea del carburo de silicio de 4 pulgadas,Sic oblea del carburo de silicio |
Descripción de producto
Obleas sin impurificar de la pureza elevada 4H-semi resistivity>1E7 3inch 4inch 0.35m m de los lingotes de Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/de los substratos wafersS/del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic) sic
Sobre cristal del carburo de silicio (sic)
El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.
Propiedad | 4H-SiC, solo cristal | 6H-SiC, solo cristal |
Parámetros del enrejado | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densidad | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
Therm. Coeficiente de la extensión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Índice @750nm de la refracción |
ningunos = 2,61 |
ningunos = 2,60 |
Constante dieléctrica | c~9.66 | c~9.66 |
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K |
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Conductividad termal (semiaislante) |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
Banda-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
Campo eléctrico de la avería | los 3-5×106V/cm | los 3-5×106V/cm |
Velocidad de deriva de la saturación | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de 4H-N 4inch (sic)
especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 2inch (sic) | ||||||||||
Grado | Grado cero de MPD | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | ||||||
Diámetro | 100. mm±0.38mm | |||||||||
Grueso | los 350 μm±25μm o 500±25um o el otro grueso modificado para requisitos particulares | |||||||||
Orientación de la oblea | En eje: <0001> ±0.5° para 4h-semi | |||||||||
Densidad de Micropipe | cm2s ≤1 | cm2s ≤5 | ≤10cm-2 | cm2s ≤30 | ||||||
Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
4h-semi | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
Plano primario | {10-10} ±5.0° | |||||||||
Longitud plana primaria | 18,5 mm±2.0 milímetro | |||||||||
Longitud plana secundaria | 10.0mm±2.0 milímetro | |||||||||
Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero | |||||||||
Exclusión del borde | 1 milímetro | |||||||||
TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤15μm/≤30μm | |||||||||
Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro | |||||||||
CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||||||||
Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitida, ≤2 milímetro | ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud | |||||||
Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤3% | |||||||
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | Área acumulativa el ≤2% | Área acumulativa el ≤5% | |||||||
Rasguños por la luz de intensidad alta | 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | |||||||
microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | |||||||
Usos:
1) Deposición del nitruro de III-V
2) Dispositivos optoelectrónicos
3) Dispositivos de alta potencia
4) Dispositivos des alta temperatura
5) Dispositivos de poder de alta frecuencia
Demostración de la exhibición de la producción
4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H |
oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic |
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H |
Tamaño de Customzied para 2-6inch
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Sic usos
Áreas de aplicación
- 1 diodos de Schottky de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN,
- diodos, IGBT, MOSFET
- 2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED
>Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.
¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o casete 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados.