Oblea simulada del carburo de silicio de la pulgada 6H-Semi de la investigación 2
Datos del producto:
Lugar de origen: | CHINA |
Nombre de la marca: | ZMKJ |
Número de modelo: | 6H-semi |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
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Precio: | by case |
Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
Información detallada |
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Material: | Monocristal de SiC 6H-tipo semi | Grado: | Maniquí |
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Thicnkss: | 0,33 mmt | Suraface: | SSP pulido |
Uso: | investigación óptica infrarroja | Diámetro: | 2 pulgadas |
Color: | Verde | Resistencia: | >1E5 Ω.cm |
Alta luz: | oblea del carburo de silicio 6H-Semi,Oblea simulada del carburo de silicio de la investigación,Oblea del carburo de silicio de 2 pulgadas |
Descripción de producto
De 2INCH 6H-semi de silicio del carburo grado simulado de la investigación de la oblea 330um sic
De Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC de los lingotes/de los substratos wafersS/Customzied del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic) del como-corte obleas sic
Sobre cristal del carburo de silicio (sic)
El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.
Propiedad | 4H-SiC, solo cristal | 6H-SiC, solo cristal |
Parámetros del enrejado | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densidad | 3,21 g/cm3 |
Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de la pureza elevada 4inch (sic)
especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 2inch (sic) | ||||||||||
Grado | Grado cero de MPD | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | ||||||
Diámetro | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
Grueso | 330 μm±25μm | |||||||||
Orientación de la oblea | De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
Densidad de Micropipe | cm2s ≤2 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | cm2s ≤100 | ||||||
Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
Plano primario | {10-10} ±5.0° | |||||||||
Longitud plana primaria | 18,5 mm±2.0 milímetro | |||||||||
Longitud plana secundaria | 10.0mm±2.0 milímetro | |||||||||
Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero | |||||||||
Exclusión del borde | 1 milímetro | |||||||||
TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro | |||||||||
CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||||||||
Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitida, ≤2 milímetro | ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud | |||||||
Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤3% | |||||||
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | Área acumulativa el ≤2% | Área acumulativa el ≤5% | |||||||
Rasguños por la luz de intensidad alta | 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | |||||||
microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | |||||||
6H-N
4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H |
2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic |
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H |
Tamaño de Customzied para 2-6inch
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1. ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
: Somos compañía comercial pero tenemos propia fábrica que sea foco en el zafiro y sic las obleas.