 |
6N oblea primera de SIC del grado HPSI del maniquí sin impurificar superficial de la pureza DSP
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Número de modelo: | 4 pulgadas - obleas de la pureza elevada sic |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 2pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
| Tiempo de entrega: | 1-4weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
|
Información detallada |
|||
| Material: | 4h-N cristalino sic solo | Grado: | Grado de la producción |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 2m m o 0.5m m | Suraface: | DSP |
| Uso: | epitaxial | Diámetro: | 4Inch |
| Color: | descolorido | MPD: | <1cm-2> |
| Alta luz: | oblea de silicio del carborundo,oblea de silicio simulada del grado,Oblea de silicio monocristalina de DSP |
||
Descripción de producto
Lingotes de Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch solo
4" 6" sin impurificar grado simulado de la producción de la oblea 4Inch de 6inch 4h-semi sic
Sobre cristal del carburo de silicio (sic)
El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.
| Propiedad | 4H-SiC, solo cristal | 6H-SiC, solo cristal |
| Parámetros del enrejado | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm de la refracción |
ningunos = 2,61 |
ningunos = 2,60 |
| Constante dieléctrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K |
|
| Conductividad termal (semiaislante) |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
| Banda-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo eléctrico de la avería | los 3-5×106V/cm | los 3-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de la saturación | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de 4H-N 4inch (sic)
| especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 2inch (sic) | ||||||||||
| Grado | Grado cero de MPD | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | ||||||
| Diámetro | 100. mm±0.38mm 150±0.5m m | |||||||||
| Grueso | el 500±25um o el otro grueso modificado para requisitos particulares | |||||||||
| Orientación de la oblea | De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidad de Micropipe | ≤0.4cm-2 | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | cm2s ≤10 | ||||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
| Plano primario | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| Longitud plana primaria | 18,5 mm±2.0 milímetro | |||||||||
| Longitud plana secundaria | 10.0mm±2.0 milímetro | |||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero | |||||||||
| Exclusión del borde | 1 milímetro | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||||||||
| Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitida, ≤2 milímetro | ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud | |||||||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤3% | |||||||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | Área acumulativa el ≤2% | Área acumulativa el ≤5% | |||||||
| Rasguños por la luz de intensidad alta | 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | |||||||
| microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | |||||||
Demostración de la exhibición de la producción
|
4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H |
oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic |
|
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H |
Tamaño de Customzied para 2-6inch
|
Sic usos
Áreas de aplicación
- 1 diodos de Schottky de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN,
- diodos, IGBT, MOSFET
- 2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED
>Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.
¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o casete 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados.
Según la cantidad.