• Al2o3 de alta frecuencia Sapphire Crystal For Laser Device dopada Ti
Al2o3 de alta frecuencia Sapphire Crystal For Laser Device dopada Ti

Al2o3 de alta frecuencia Sapphire Crystal For Laser Device dopada Ti

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: Zafiro dopado titanio

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 3pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: caja plástica modificada para requisitos particulares
Tiempo de entrega: 2-4weeks
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100pcs/month
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: Al2o3 monocristal dopado: TI
Color: rojo Tamaño: diámetro 1~120m m
Método del crecimiento: CZ Uso: Dispositivo del laser
Alta luz:

el dispositivo del laser dopó a Sapphire Crystal

,

Al2o3 dopó a Sapphire Crystal

,

Dispositivo Sapphire Crystal del laser

Descripción de producto

 

Altamente crstal dopada Ti+ del zafiro de la frecuencia (titanio dopado) solo usado en el cristal de laser/Ti Al2O3 para la máquina del laser, titanio dopó el zafiro, lente del cristal del zafiro del color, s, vidrio óptico de rubíes, lente óptica del zafiro del titanio, cristales del laser del zafiro del titanio, bola de cristal de rubíes

 

Uso

 

Ti: zafiro (el titanio dopó el zafiro, Al2O3: Ti3+) se utiliza para hacer pulso ultracorto los láseres sintonizables de estado sólido o de la longitud de onda. Ti: los lasers del zafiro son también muy convenientes e.g para las disposiciones de prueba de bombeo de nuevos láseres de estado sólido (e.g basó en el neodimio o los medios iterbio-dopados del aumento), puesto que pueden ser adaptados fácilmente a la longitud de onda requerida de la bomba y permitir que una trabaje con el brillo muy alto de la bomba debido a su buena calidad del haz y poder de alto rendimiento típicamente de varios vatios.

 

Al2o3 de alta frecuencia Sapphire Crystal For Laser Device dopada Ti 0

 

Al2o3 de alta frecuencia Sapphire Crystal For Laser Device dopada Ti 1Al2o3 de alta frecuencia Sapphire Crystal For Laser Device dopada Ti 2

Scitlion puede ofrecer
Concentración del dopand Ti2O3 de 0,06% a 0,26% (atm%)
Diámetro de Rod a partir 2m m hasta 100m m
Longitud a partir 2m m hasta 100m m
Capa por su requerimiento

 

Los mejores materiales del Ø para la generación ultracorta del pulso
Gama armoniosa del Ø de 600-1100nm
Alta ganancia del Ø
El Ø se podía bombear por las lámparas de destello del pulso corto
Propiedades físicas del Ø buenas y ópticas

Especificaciones principales

Especificación de pulido para el grado del laser
Tolerancia de la orientación <0>
Tolerancia del grueso/del diámetro ±0.05 milímetro
Paralelo 10"
Perpendicular 5'
calidad superficial 10/5
Distorsión del frente de onda λ/4@632nm
Llanura superficial λ/8@632nm
Abertura clara >el 90%
Chaflán <0>
Dimensiones máximas diámetro 120m m

Características materiales

Materiales Ti: Zafiro
Tolerancia de la concentración del Nd (% peso) Ti2O3del 0.05-0.35wt%
Orientación

Uno-AXIS dentro de 5°

paralelo del E-vector a C-AXIS

Configuración del final completamente/extremos planos o de Brewster/Brewster
Absorción Coefficence 0.5~6.0cm-1
Figura del mérito 100~300
Capas La capa estándar es BBAR con R < 5="">

Al2o3 de alta frecuencia Sapphire Crystal For Laser Device dopada Ti 3

Al2o3 de alta frecuencia Sapphire Crystal For Laser Device dopada Ti 4

Propiedades físicas y químicas

Propiedades Ti: Zafiro
Fórmula química Ti3+: Al2O3
Estructura cristalina A=4.758 hexagonal, c=12.991
Densidad 3,98 g/cm3
Punto de fusión 2040℃
Dureza de Mohs 9
Conductividad termal 52 W/m/k
Acción del laser 4-level vibriónico
Curso de la vida de la fluorescencia 3.2us (T=300K)
Gama de adaptación 660-1050 nanómetro
Gama de la absorción 400-600 nanómetro
Pico de la emisión 795 nanómetro
Límite de absorción 488 nanómetro
Índice de refracción

1,76 @ 800 nanómetro

 

Al2o3 de alta frecuencia Sapphire Crystal For Laser Device dopada Ti 5

Q1: ¿Puedo tener muestras a probar?

: Sí, estamos satisfechos suministrar muestras para probar y comprobar calidad, la orden mezclada de la muestra está disponible.

Q2: ¿Usted tiene MOQ limitó? : Nuestro MOQ: 3pcs Q3: ¿Cuál es el plazo de ejecución?

: Muestra: 2-7 días. Producción en masa: 15-20 días.

Q4: ¿Cómo usted envía las mercancías y cuánto tiempo él toma?

: Enviamos generalmente las mercancías por UPS, FEDEX, TNT. Tarda generalmente 3-5 días para llegar.

Q5: ¿Usted ofrece garantiza para sus productos?

: Después de prueba ellos si no prueba del paso, usted puede volver las mercancías en cualquier momento, re-oferta usted otra vez y también llevamos la tarifa de envío.

Q6: ¿Usted acepta al OEM?

: Tenemos nuestra propia marca-metalaser. El OEM es también aceptable.

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Al2o3 de alta frecuencia Sapphire Crystal For Laser Device dopada Ti ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.