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Oblea de 6 de la pulgada plantillas de Sapphire Based AlN para la ventana del zafiro de la oblea del zafiro de los dispositivos de 5G BAW
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Número de modelo: | AlN-zafiro 2inch |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo envase de la oblea en sitio de limpieza |
| Tiempo de entrega: | en 30days |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, Paypal |
| Capacidad de la fuente: | 50PCS/Month |
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Información detallada |
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| SUBSTRATO: | oblea del zafiro | Capa: | Plantilla de AlN |
|---|---|---|---|
| Grueso de la capa: | 1-5um | Tipo de la conductividad: | N/P |
| Orientación: | 0001 | Uso: | poder más elevado/dispositivos electrónicos de alta frecuencia |
| Uso 2: | dispositivos de 5G saw/BAW | grueso del silicio: | 525um/625um/725um |
| Alta luz: | El zafiro basó las plantillas de AlN,Oblea del zafiro de 6 pulgadas,Plantillas de AlN de 6 pulgadas |
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Descripción de producto
el zafiro de 2inch 4iinch 6Inch basó la película de AlN de las plantillas de AlN en la oblea del zafiro de la ventana del zafiro del substrato del zafiro
Usos de Plantilla de AlN
la tecnología de semiconductor Silicio-basada ha alcanzado sus límites y no podía satisfacer los requisitos del futuro
dispositivos electrónicos. Como clase típica de material del semiconductor 3rd/4th-generation, el nitruro de aluminio (AlN) tiene
las propiedades físicas y químicas superiores tales como bandgap ancho, alta conductividad termal, alta avería archivaron,
la alta resistencia electrónica de la movilidad y de la corrosión/de radiación, y es un substrato perfecto para los dispositivos optoelectrónicos,
los dispositivos electrónicos de los dispositivos de la radiofrecuencia (RF), de alta potencia/de alta frecuencia, etc… particularmente, substrato de AlN son
el mejor candidato a UV-LED, a los detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, radioinstrumentos de alta potencia/de alta frecuencia de 5G y 5G SAW/BAW
dispositivos, que se podrían utilizar extensamente en la protección del medio ambiente, electrónica, comunicaciones inalámbricas, impresión,
¿campos de la biología, de la atención sanitaria, militares y otro, tales como purificación/esterilización ULTRAVIOLETA, curado ULTRAVIOLETA, photocatalysis, coun?
detección del terfeit, almacenamiento de alta densidad, comunicación phototherapy, de la droga médica del descubrimiento, inalámbrica y segura,
detección aeroespacial/del profundo-espacio y otros campos.
hemos desarrollado los seriales de procesos y de tecnologías propietarios para fabricar
plantillas de alta calidad de AlN. Actualmente, nuestro OEM es la única compañía por todo el mundo quién puede producir 2-6 la pulgada AlN
plantillas en capacidad en grande de la producción industrial con la capacidad de 300.000 pedazos en 2020 de encontrar explosivo
demanda de mercado de la comunicación inalámbrica UVC-LED, 5G, de los detectores ULTRAVIOLETA y de los sensores etc
Nuestro OEM ha desarrollado los seriales de tecnologías propietarias y los reactores y las instalaciones del crecimiento de -estado-de- art PVT a
fabrique diversos tamaños de las obleas monocristalinas de alta calidad de AlN, temlpates de AlN. Somos uno del pocos mundo-principales
¿compañías de alta tecnología que propio capa lleno de la fabricación de AlN? bilities para producir los boules y las obleas de alta calidad de AlN, y a proporcionar
¿profes? servicios del sional y soluciones de llavero a nuestros clientes, dispuestos del diseño del reactor y del hotzone del crecimiento,
modelado y simulación, diseño de proceso y optimización, crecimiento cristalino,
¿characteriza wafering y material? tion. Hasta abril de 2019, han aplicado más de 27 patentes (PCT incluyendo).
Especificación
Especificación
aracteristic del Ch
aracteristic del Ch
La otra especificación del relaterd 4INCH GaN Template
| Substratos del ₃ del ₂ O del Al de GaN/(4") 4inch | |||
| Artículo | Sin impurificar | N-tipo |
Alto-dopado N-tipo |
| Tamaño (milímetros) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Estructura del substrato | GaN en el zafiro (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Estándar: Opción del SSP: DSP) | ||
| Grueso (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Modificado para requisitos particulares | ||
| Tipo de la conducción | Sin impurificar | N-tipo | N-tipo Alto-dopado |
| Resistencia (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity |
el ≤±10% (4") | ||
| Densidad de dislocación (cm2s) |
≤5×108 | ||
| Superficie usable | el >90% | ||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100. | ||
| Estructura cristalina |
Wurzita |
| Constante del enrejado (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Tipo de la banda de conducción | Bandgap directo |
| Densidad (g/cm3) | 3,23 |
| Microdureza superficial (prueba de Knoop) | 800 |
| Punto de fusión (℃) | 2750 (barra 10-100 en N2) |
| Conductividad termal (W/m·K) | 320 |
| Energía del hueco de banda (eV) | 6,28 |
| Movilidad de electrón (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo eléctrico de la avería (MV/cm) | 11,7 |
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