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4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Número de modelo: | GaN-zafiro 4inch |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo envase de la oblea en sitio de limpieza |
| Tiempo de entrega: | en 30days |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, Paypal |
| Capacidad de la fuente: | 50PCS/Month |
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Información detallada |
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| substrato: | oblea del zafiro | capa: | Plantilla de GaN |
|---|---|---|---|
| grueso de la capa: | 1-5um | tipo de la conductividad: | N/P |
| Orientación: | 0001 | uso: | poder más elevado/dispositivos electrónicos de alta frecuencia |
| uso 2: | dispositivos de 5G saw/BAW | grueso del silicio: | 525um/625um/725um |
| Alta luz: | 5G vio plantillas gan,4" plantillas gan,Substrato del semiconductor de GaN |
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Descripción de producto
2inch 4inch 4" zafiro basó la película de GaN de las plantillas de GaN en el substrato del zafiro
Propiedades químicas de GaN
1) En la temperatura ambiente, GaN es insoluble en agua, ácido y álcali.
2)Disuelto en una solución alcalina caliente a una tarifa muy lenta.
3) El NaOH, H2SO4 y H3PO4 pueden corroer rápidamente la mal calidad de GaN, se pueden utilizar para estos detección del defecto cristalino de GaN de la mal calidad.
4) GaN en el ácido clorhídrico o el hidrógeno, en la temperatura alta presenta características inestables.
5) GaN es el más estable debajo de nitrógeno.
Propiedades eléctricas de GaN
1) Las propiedades eléctricas de GaN son los factores más importantes que afectan al dispositivo.
2) El GaN sin el doping era n en todos los casos, y la concentración del electrón de la mejor muestra estaba sobre 4* (10^16) /c㎡.
3) Generalmente, las muestras preparadas de P se compensan altamente.
Propiedades ópticas de GaN
1) El material ancho del semiconductor compuesto del hueco de banda con el alto ancho de banda (2.3~6.2eV), puede cubrir el verde amarillo rojo, azul, violeta y el espectro ultravioleta, es hasta ahora que cualquier otro material del semiconductor no puede alcanzar.
2) Utilizado principalmente en dispositivo luminescente azul y violeta.
Propiedades de GaN Material
1) La propiedad de alta frecuencia, llega los herzios 300G. (El Si es 10G y el GaAs es 80G)
2) Propiedad da alta temperatura, trabajo en 300℃, muy conveniente normales para ambiente aeroespacial, militar y el otro de alta temperatura.
3) La deriva del electrón tiene alta velocidad de la saturación, constante dieléctrica baja y buena conductividad termal.
4) La resistencia del ácido y del álcali, resistencia a la corrosión, se puede utilizar en el ambiente duro.
5) Características de alto voltaje, resistencia de impacto, alta confiabilidad.
6) El poder grande, el equipo de comunicación es muy impaciente.
Uso principal de GaN:
1) diodos electroluminosos, LED
2) transistores de efecto de campo, FET
3) diodos láser, LD
aracteristic de C
La otra especificación del relaterd 4INCH GaN Template
| Substratos del ₃ del ₂ O del Al de GaN/(4") 4inch | |||
| Artículo | Sin impurificar | N-tipo |
Alto-dopado N-tipo |
| Tamaño (milímetros) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Estructura del substrato | GaN en el zafiro (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Estándar: Opción del SSP: DSP) | ||
| Grueso (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Modificado para requisitos particulares | ||
| Tipo de la conducción | Sin impurificar | N-tipo | N-tipo Alto-dopado |
| Resistencia (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity |
el ≤±10% (4") | ||
| Densidad de dislocación (cm2s) |
≤5×108 | ||
| Superficie usable | el >90% | ||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100. | ||
| Estructura cristalina |
Wurzita |
| Constante del enrejado (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Tipo de la banda de conducción | Bandgap directo |
| Densidad (g/cm3) | 3,23 |
| Microdureza superficial (prueba de Knoop) | 800 |
| Punto de fusión (℃) | 2750 (barra 10-100 en N2) |
| Conductividad termal (W/m·K) | 320 |
| Energía del hueco de banda (eV) | 6,28 |
| Movilidad de electrón (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo eléctrico de la avería (MV/cm) | 11,7 |