5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m

la tecnología de semiconductor Silicio-basada ha alcanzado sus límites y no podía satisfacer los requisitos del futuro

dispositivos electrónicos. Como clase típica de material del semiconductor 3rd/4th-generation, el nitruro de aluminio (AlN) tiene

las propiedades físicas y químicas superiores tales como bandgap ancho, alta conductividad termal, alta avería archivaron,

la alta resistencia electrónica de la movilidad y de la corrosión/de radiación, y es un substrato perfecto para los dispositivos optoelectrónicos,

los dispositivos electrónicos de los dispositivos de la radiofrecuencia (RF), de alta potencia/de alta frecuencia, etc… particularmente, substrato de AlN son

el mejor candidato a UV-LED, a los detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, radioinstrumentos de alta potencia/de alta frecuencia de 5G y 5G SAW/BAW

dispositivos, que se podrían utilizar extensamente en la protección del medio ambiente, electrónica, comunicaciones inalámbricas, impresión,

¿campos de la biología, de la atención sanitaria, militares y otro, tales como purificación/esterilización ULTRAVIOLETA, curado ULTRAVIOLETA, photocatalysis, coun?

detección del terfeit, almacenamiento de alta densidad, comunicación phototherapy, de la droga médica del descubrimiento, inalámbrica y segura,

detección aeroespacial/del profundo-espacio y otros campos.

hemos desarrollado los seriales de procesos y de tecnologías propietarios para fabricar

plantillas de alta calidad de AlN. Actualmente, nuestro OEM es la única compañía por todo el mundo quién puede producir 2-6 la pulgada AlN

plantillas en capacidad en grande de la producción industrial con la capacidad de 300.000 pedazos en 2020 de encontrar explosivo

demanda de mercado de la comunicación inalámbrica UVC-LED, 5G, de los detectores ULTRAVIOLETA y de los sensores etc

 

Proveemos actualmente de clientes nitrógeno de alta calidad estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8m m
De aluminio escoja los productos cristalinos del substrato, y puede también proveer de clientes 10-20m m no polar
substrato cristalino del nitruro de aluminio del M-avión solo, o modificar 5mm-50.8m m para requisitos particulares no estándar a los clientes
Solo substrato cristalino pulido del nitruro de aluminio. Este producto es ampliamente utilizado como material de gama alta del substrato
Utilizado en microprocesadores de UVC-LED, detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, y diverso poder más elevado
temperatura de /High/campo de alta frecuencia del dispositivo electrónico.

 

 

• Modelo                                                           Cristal de UTI-AlN-10x10B-single
• Diámetro                                                           10x10±0.5m m;
• Grueso del substrato (µm)                                      400 ± 50
• Orientación                                                        C-AXIS [0001] +/- 0.5°

     Grado de calidad              S-grado (estupendo)    P-grado (producción)       R-grado (investigación)

 

• Grietas                                                  Ninguno                      Ninguno <3mm>
                                 
• FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300>                  0
• FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200>                 0
• Aspereza superficial [los 5×5µm] (nanómetro)          CMP de la Al-cara<0>
 
• Área usable                                       el 90%
• Absorción<50>
                             
• 1r de la orientación de la longitud                                         {10-10} ±5°;
• TTV (µm)                                                                       ≤30
• Arco (µm)                                                                        ≤30
• Deformación (µm)                                                                    -30~30
• Nota: Estos resultados de la caracterización pueden variar levemente dependiendo de los equipos y/o del software empleados

 

PPMW                        27 90 5,4 0,92 0,23 <0>