• Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada
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Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada

Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZMKJ
Número de modelo: Solo cristal de UTI-AlN-1inch

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1PCS
Precio: by case
Detalles de empaquetado: solo envase de la oblea en sitio de limpieza
Tiempo de entrega: en 30days
Condiciones de pago: T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 10PCS/Month
Mejor precio Contacto

Información detallada

material: Cristal de AlN grueso: 400um
Orientación: 0001 uso: poder más elevado/dispositivos electrónicos de alta frecuencia
uso 2: dispositivos de 5G saw/BAW Ra: 0.5nm
superficie pulida: CMP de la cara del Al, P.M. de la N-cara tipo cristalino: 2H
Alta luz:

Oblea del nitruro de aluminio de AlN

,

oblea del nitruro de aluminio de 50.8m m

,

Oblea de AlN de los dispositivos de BAW

Descripción de producto

substrato de dia50.8mm 2inch 1inch AlN/obleas cristalinas de AlN solas

10x10m m o diámetro 10m m dia25.4mm dia30mm, dia45mm, obleas cristalinas de AlN del substrato de dia50.8mm AlN solas

 

Usos de   Plantilla de AlN
 
hemos desarrollado los seriales de procesos y de tecnologías propietarios para fabricar
plantillas de alta calidad de AlN. Actualmente, nuestro OEM es la única compañía por todo el mundo quién puede producir 2-6 la pulgada AlN
plantillas en capacidad en grande de la producción industrial con la capacidad de 300.000 pedazos en 2020 de encontrar explosivo
demanda de mercado de la comunicación inalámbrica UVC-LED, 5G, de los detectores ULTRAVIOLETA y de los sensores etc
 
Proveemos actualmente de clientes nitrógeno de alta calidad estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8m m
De aluminio escoja los productos cristalinos del substrato, y puede también proveer de clientes 10-20m m no polar
substrato cristalino del nitruro de aluminio del M-avión solo, o modificar 5mm-50.8m m para requisitos particulares no estándar a los clientes
Solo substrato cristalino pulido del nitruro de aluminio. Este producto es ampliamente utilizado como material de gama alta del substrato
Utilizado en microprocesadores de UVC-LED, detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, y diverso poder más elevado
temperatura de /High/campo de alta frecuencia del dispositivo electrónico.
 
 
Especificación característica
  • Modelo                                                           Cristal de UTI-AlN-10x10B-single
  • Diámetro                                                           10x10±0.5m m; o dia10mm, dia25.4mm, o dia30mm, o dia45mm;
  •  
  • Grueso del substrato (µm)                                      400 ± 50
  • Orientación                                                        C-AXIS [0001] +/- 0.5°

     Grado de calidad              S-grado (estupendo)    P-grado (producción)       R-grado (investigación)

 
  • Grietas                                                  Ninguno                      Ninguno <3mm>
  •                                  
  • FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300>                  0
  • FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200>                 0
  • Aspereza superficial [los 5×5µm] (nanómetro)          CMP de la Al-cara<0>
  •  
  • Área usable                                       el 90%
  • Absorción<50>
  •                              
  • 1r de la orientación de la longitud                                         {10-10} ±5°;
  • TTV (µm)                                                                       ≤30
  • Arco (µm)                                                                        ≤30
  • Deformación (µm)                                                                    -30~30
  • Nota: Estos resultados de la caracterización pueden variar levemente dependiendo de los equipos y/o del software empleados
Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada 0

Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada 1

Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada 2

 

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Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada 4

 
elemento de la impureza    FE del Na W.P.S Ti de C O Si B
PPMW                        27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
 
 
Estructura cristalina

Wurzita

Constante del enrejado (Å) a=3.112, c=4.982
Tipo de la banda de conducción Bandgap directo
Densidad (g/cm3) 3,23
Microdureza superficial (prueba de Knoop) 800
Punto de fusión (℃) 2750 (barra 10-100 en N2)
Conductividad termal (W/m·K) 320
Energía del hueco de banda (eV) 6,28
Movilidad de electrón (V·s/cm2) 1100
Campo eléctrico de la avería (MV/cm) 11,7

Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada 5

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
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