Diámetro 50.8m m de los dispositivos de BAW oblea del nitruro de aluminio de AlN de 1 pulgada
Datos del producto:
Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | ZMKJ |
Número de modelo: | Solo cristal de UTI-AlN-1inch |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1PCS |
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Precio: | by case |
Detalles de empaquetado: | solo envase de la oblea en sitio de limpieza |
Tiempo de entrega: | en 30days |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10PCS/Month |
Información detallada |
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material: | Cristal de AlN | grueso: | 400um |
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Orientación: | 0001 | uso: | poder más elevado/dispositivos electrónicos de alta frecuencia |
uso 2: | dispositivos de 5G saw/BAW | Ra: | 0.5nm |
superficie pulida: | CMP de la cara del Al, P.M. de la N-cara | tipo cristalino: | 2H |
Alta luz: | Oblea del nitruro de aluminio de AlN,oblea del nitruro de aluminio de 50.8m m,Oblea de AlN de los dispositivos de BAW |
Descripción de producto
substrato de dia50.8mm 2inch 1inch AlN/obleas cristalinas de AlN solas
10x10m m o diámetro 10m m dia25.4mm dia30mm, dia45mm, obleas cristalinas de AlN del substrato de dia50.8mm AlN solas
Usos de Plantilla de AlN
hemos desarrollado los seriales de procesos y de tecnologías propietarios para fabricar
plantillas de alta calidad de AlN. Actualmente, nuestro OEM es la única compañía por todo el mundo quién puede producir 2-6 la pulgada AlN
plantillas en capacidad en grande de la producción industrial con la capacidad de 300.000 pedazos en 2020 de encontrar explosivo
demanda de mercado de la comunicación inalámbrica UVC-LED, 5G, de los detectores ULTRAVIOLETA y de los sensores etc
Proveemos actualmente de clientes nitrógeno de alta calidad estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8m m
De aluminio escoja los productos cristalinos del substrato, y puede también proveer de clientes 10-20m m no polar
substrato cristalino del nitruro de aluminio del M-avión solo, o modificar 5mm-50.8m m para requisitos particulares no estándar a los clientes
Solo substrato cristalino pulido del nitruro de aluminio. Este producto es ampliamente utilizado como material de gama alta del substrato
Utilizado en microprocesadores de UVC-LED, detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, y diverso poder más elevado
temperatura de /High/campo de alta frecuencia del dispositivo electrónico.
De aluminio escoja los productos cristalinos del substrato, y puede también proveer de clientes 10-20m m no polar
substrato cristalino del nitruro de aluminio del M-avión solo, o modificar 5mm-50.8m m para requisitos particulares no estándar a los clientes
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Utilizado en microprocesadores de UVC-LED, detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, y diverso poder más elevado
temperatura de /High/campo de alta frecuencia del dispositivo electrónico.
Especificación característica
- Modelo Cristal de UTI-AlN-10x10B-single
- Diámetro 10x10±0.5m m; o dia10mm, dia25.4mm, o dia30mm, o dia45mm;
- Grueso del substrato (µm) 400 ± 50
- Orientación C-AXIS [0001] +/- 0.5°
Grado de calidad S-grado (estupendo) P-grado (producción) R-grado (investigación)
- Grietas Ninguno Ninguno <3mm>
- FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
- FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
- Aspereza superficial [los 5×5µm] (nanómetro) CMP de la Al-cara<0>
- Área usable el 90%
- Absorción<50>
- 1r de la orientación de la longitud {10-10} ±5°;
- TTV (µm) ≤30
- Arco (µm) ≤30
- Deformación (µm) -30~30
- Nota: Estos resultados de la caracterización pueden variar levemente dependiendo de los equipos y/o del software empleados
elemento de la impureza FE del Na W.P.S Ti de C O Si B
PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
Estructura cristalina |
Wurzita |
Constante del enrejado (Å) | a=3.112, c=4.982 |
Tipo de la banda de conducción | Bandgap directo |
Densidad (g/cm3) | 3,23 |
Microdureza superficial (prueba de Knoop) | 800 |
Punto de fusión (℃) | 2750 (barra 10-100 en N2) |
Conductividad termal (W/m·K) | 320 |
Energía del hueco de banda (eV) | 6,28 |
Movilidad de electrón (V·s/cm2) | 1100 |
Campo eléctrico de la avería (MV/cm) | 11,7 |
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