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El tipo substrato Si de 4 pulgadas N del semiconductor de 15° dopó la oblea SSP del GaAs
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | zmkj |
| Número de modelo: | GaAs-N-3inch |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
|---|---|
| Precio: | 100-200usd/pcs |
| Detalles de empaquetado: | en caso de la oblea solo o del casete 25pcs por el envasado al vacío |
| Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union |
| Capacidad de la fuente: | 2000pcs por mes |
|
Información detallada |
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| Material: | Cristal del GaAs | Método: | VGF |
|---|---|---|---|
| tamaño: | dia76.2mm | thickess: | 350um |
| Superficie: | DSP | Uso: | llevado, dispositivo del ld |
| tipo: | N-tipo | doping: | SI-dopado |
| Alta luz: | El Si dopó GaAs Wafe,Substrato GaAs Wafe del semiconductor,Tipo oblea de N del ssp |
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Descripción de producto
N-tipo 2inch/3inch, 4inch, N-tipo del metod de VFG de las obleas del arseniuro de galio de 6inch dia150mm GaAs
Tipo semiaislante para la microelectrónica,
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Obleas del arseniuro de galio (GaAs)
El arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de los elementos galio y arsénico. Es un semiconductor directo del bandgap de III-V
con una estructura cristalina de la blenda de cinc.
El arseniuro de galio se utiliza en la fabricación de dispositivos tales como circuitos integrados de la frecuencia microondas, monolítica
circuitos integrados de la microonda, diodos electroluminosos infrarrojos, diodos láser, células solares y ventanas ópticas. [2]
El GaAs es de uso frecuente como material del substrato para el crecimiento epitaxial de otros semiconductores de III-V incluyendo el arseniuro de galio del indio,
arseniuro y otros de galio de aluminio.
.
Característica y uso de la oblea del GaAs
| Característica | Campo del uso |
|---|---|
| Alta movilidad de electrón | Diodos electroluminosos |
| De alta frecuencia | Diodos láser |
| Alta eficacia de conversión | Dispositivos fotovoltaicos |
| Bajo consumo de energía | Alto transistor de movilidad de electrón |
| Hueco de banda directo | Transistor bipolar de la heterounión |
Especificación
GaAs sin impurificar
Especificaciones semiaislantes del GaAs
| Método del crecimiento | VGF |
| Dopante | Carbono |
| Oblea Shape* | Ronda (diámetro: 2", 3", 4", y 6") |
| Orientación superficial ** | (100) ±0.5° |
” Obleas *5 disponibles a petición
** Otras orientaciones quizá disponibles a petición
| Resistencia (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| Movilidad (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 |
| Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| Diámetro de la oblea (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| Grueso (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| DEFORMACIÓN (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | MUESCA |
| DE/SI (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
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Paquete y entrega
FAQ Y CONTACTO
Éste es Eric Wang, encargado de ventas del zmkj, nuestra compañía situada en Shangai, China. Nuestro tiempo de servicio es toda la hora de lunes - sábado. Lo sentimos para la inconveniencia causada por diferencia de tiempo. Si algunas preguntas, usted pueden dejar a mi email un mensaje y también añadir mi WeChat, cuál es app, Skype, yo están en línea. ¡Recepción para entrarme en contacto con!
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante? : Tenemos nuestros los propio para la fabricación de la oblea.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición? : Es generalmente 1-5 días si las mercancías están en existencia, si no, está para 2-3weeks
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional? : Sí, podríamos ofrecer la muestra libre por un cierto tamaño.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago? : para el primer negocio está 100% antes de entrega.