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Oblea de la capa de la plantilla de Sapphire Substrate AlN de 2 pulgadas para los dispositivos de 5G BAW
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Número de modelo: | AlN-zafiro 2inch |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo envase de la oblea en sitio de limpieza |
| Tiempo de entrega: | en 30days |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, Paypal |
| Capacidad de la fuente: | 50PCS/Month |
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Información detallada |
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| substrato: | oblea del zafiro | capa: | Plantilla de AlN |
|---|---|---|---|
| grueso de la capa: | 1-5um | tipo de la conductividad: | N/P |
| Orientación: | 0001 | uso: | poder más elevado/dispositivos electrónicos de alta frecuencia |
| uso 2: | dispositivos de 5G saw/BAW | grueso del silicio: | 525um/625um/725um |
| Alta luz: | plantilla de AlN de 2 pulgadas,plantilla de AlN de los dispositivos de 5G BAW,substrato del zafiro de 2 pulgadas |
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Descripción de producto
el zafiro de 2inch 4iinch 6Inch basó la película de AlN de las plantillas de AlN en el substrato del zafiro
2inch en la oblea de la capa de la plantilla de AlN del substrato del zafiro para los dispositivos de 5G BAW
Usos de Plantilla de AlN
Nuestro OEM ha desarrollado los seriales de tecnologías propietarias y los reactores y las instalaciones del crecimiento de -estado-de- art PVT a
fabrique diversos tamaños de las obleas monocristalinas de alta calidad de AlN, temlpates de AlN. Somos uno del pocos mundo-principales
¿compañías de alta tecnología que propio capa lleno de la fabricación de AlN? bilities para producir los boules y las obleas de alta calidad de AlN, y a proporcionar
¿profes? servicios del sional y soluciones de llavero a nuestros clientes, dispuestos del diseño del reactor y del hotzone del crecimiento,
modelado y simulación, diseño de proceso y optimización, crecimiento cristalino,
¿characteriza wafering y material? tion. Hasta abril de 2019, han aplicado más de 27 patentes (PCT incluyendo).
Especificación
Especificación
aracteristic del Ch
aracteristic del Ch
La otra especificación del relaterd 4INCH GaN Template
| Substratos del ₃ del ₂ O del Al de GaN/(4") 4inch | |||
| Artículo | Sin impurificar | N-tipo |
Alto-dopado N-tipo |
| Tamaño (milímetros) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Estructura del substrato | GaN en el zafiro (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Estándar: Opción del SSP: DSP) | ||
| Grueso (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Modificado para requisitos particulares | ||
| Tipo de la conducción | Sin impurificar | N-tipo | N-tipo Alto-dopado |
| Resistencia (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity |
el ≤±10% (4") | ||
| Densidad de dislocación (cm2s) |
≤5×108 | ||
| Superficie usable | el >90% | ||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100. | ||
| Estructura cristalina |
Wurzita |
| Constante del enrejado (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Tipo de la banda de conducción | Bandgap directo |
| Densidad (g/cm3) | 3,23 |
| Microdureza superficial (prueba de Knoop) | 800 |
| Punto de fusión (℃) | 2750 (barra 10-100 en N2) |
| Conductividad termal (W/m·K) | 320 |
| Energía del hueco de banda (eV) | 6,28 |
| Movilidad de electrón (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo eléctrico de la avería (MV/cm) | 11,7 |
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