• substrato de H-N Type Sic de la oblea 4 de 6inch dia150mm SIC para el dispositivo del MOS
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substrato de H-N Type Sic de la oblea 4 de 6inch dia150mm SIC para el dispositivo del MOS

substrato de H-N Type Sic de la oblea 4 de 6inch dia150mm SIC para el dispositivo del MOS

Datos del producto:

Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: ZMKJ
Número de modelo: obleas de 6inch 4h-n sic

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-6weeks
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1-50pcs/month
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: 4h-N cristalino sic solo Grado: Grado de la producción
Thicnkss: 0.4m m Suraface: traslapó
Uso: para la prueba polaca Diámetro: 6inch
Color: Verde MPD: <2cm-2>
Alta luz:

4 obleas epitaxiales de H-N Type

,

Obleas epitaxiales de 6 pulgadas

,

Oblea del epi de 4 H-N Type

Descripción de producto

 

grueso de la oblea 1m m de la semilla de 4h-n 4inch 6inch dia100mm sic para el crecimiento del lingote

De Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC de los lingotes/de los substratos wafersS/Customzied del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic) del como-corte obleas del grado 4H-N 1.5m m SIC del wafersProduction 4inch sic para el cristal de semilla

capa sic epitaxial de GaN de las obleas del grado de la producción de H-N Type de la oblea 4 de 6inch SIC encendido sic

 

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)

 

El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.

 

1. Descripción
Propiedad 4H-SiC, solo cristal 6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidad 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción

ningunos = 2,61
ne = 2,66

ningunos = 2,60
ne = 2,65

Constante dieléctrica c~9.66 c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conductividad termal (semiaislante)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

Banda-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo eléctrico de la avería los 3-5×106V/cm los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación 2.0×105m/s 2.0×105m/s

Sic usos

Áreas de aplicación

  • 1 diodos de Schottky de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN,
  • diodos, IGBT, MOSFET
  • 2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED

4 pulgadas n-doparon la oblea del carburo de silicio 4H sic

Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de 4H-N 4inch (sic)

6inch N-tipo sic especificaciones de los substratos
Propiedad Grado P-MOS Grado de P-SBD Grado de D  
Crystal Specifications  
Crystal Form 4H  
Área de Polytype Ningunos permitieron El Area≤5%  
(MPD) a ≤0.2 /cm2 ≤0.5 /cm2 ≤5 /cm2  
Placas del hex. Ningunos permitieron El Area≤5%  
Polycrystal hexagonal Ningunos permitieron  
Inclusiones a El Area≤0.05% El Area≤0.05% N/A  
Resistencia 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm  
(EPD) a ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 N/A  
(TED) a ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 N/A  
(BPD) a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 N/A  
(TSD) a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 N/A  
(Falta de amontonamiento) Área del ≤0.5% Área del ≤1% N/A  
Contaminación de metal superficial (Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) cm2s ≤1E11  
Especificaciones mecánicas  
Diámetro 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm  
Orientación superficial De fuera del eje: 4°toward <11-20>±0.5°  
Longitud plana primaria 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros  
Longitud plana secundaria Ningún plano secundario  
Orientación plana primaria <11-20>±1°  
Orientación plana secundaria N/A  
Misorientation ortogonal ±5.0°  
Final superficial C-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP  
Borde de la oblea El biselar  
Aspereza superficial
(el 10μm×10μm)
Cara Ra≤0.20 nanómetro del Si; Cara Ra≤0.50 nanómetro de C  
Grueso a μm 350.0μm± 25,0  
LTV (10mm×10m m) a ≤2μm ≤3μm  
(TTV) a ≤6μm ≤10μm  
(ARCO) a ≤15μm ≤25μm ≤40μm  
(Deformación) a ≤25μm ≤40μm ≤60μm  
Especificaciones superficiales  
Microprocesadores/mellas Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.5mm Anchura y profundidad de Qty.2 ≤1.0 milímetro  
Rasguños a
(Cara del Si, CS8520)
≤5 y diámetro acumulativo de Length≤0.5×Wafer ≤5 y diámetro acumulativo de la oblea de Length≤1.5×  
TUA (2mm*2m m) el ≥98% el ≥95% N/A  
Grietas Ningunos permitieron  
Contaminación Ningunos permitieron  
Exclusión del borde 3m m  
         

substrato de H-N Type Sic de la oblea 4 de 6inch dia150mm SIC para el dispositivo del MOS 1substrato de H-N Type Sic de la oblea 4 de 6inch dia150mm SIC para el dispositivo del MOS 2substrato de H-N Type Sic de la oblea 4 de 6inch dia150mm SIC para el dispositivo del MOS 3

 
CATÁLOGO   TAMAÑO COMÚN   En NUESTRA LISTA del INVENTARIO
  
 

 

4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H
4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H

oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic

2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
 
 
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H
 
 Tamaño de Customzied para 2-6inch
 
 

>Empaquetado – Logistcs

nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.

¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o casete 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados.

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. substrato de H-N Type Sic de la oblea 4 de 6inch dia150mm SIC para el dispositivo del MOS ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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