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Detalles de los productos

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Oblea del carburo de silicio
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6 pulgadas de carburo de silicio 4H SiC sustratos obleas

6 pulgadas de carburo de silicio 4H SiC sustratos obleas

Nombre De La Marca: ZMKJ
Número De Modelo: 6inch sic
MOQ: 1pcs
Precio: 600-1500usd/pcs by FOB
Detalles Del Embalaje: solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Condiciones De Pago: T / T, Western Union, MoneyGram
Información detallada
Lugar de origen:
China
Material:
Tipo cristalino sic solo 4H-N
Calificación:
Imitación / investigación / grado de producción
Thicnkss:
430um o personalizado
Suraface:
LP/LP
Solicitud:
prueba de pulido del fabricante del dispositivo
Diámetro:
150 ± 0.5 mm
Capacidad de la fuente:
1-50pcs/month
Resaltar:

substrato del carburo de silicio

,

sic oblea

Descripción de producto

4H-N Calidad de ensayo de carburo de silicio de 6 pulgadas de diámetro 150 mm sustratos de cristal único (sic) obleas, lingotes de cristal siccon un contenido de aluminio superior o igual a 10%,Wafer de cristal de carburo de silicio

 

6 pulgadas de carburo de silicio 4H SiC sustratos obleas para el crecimiento epitaxial dispositivo personalizado

Sobre el carburo de silicio (SiC) Cristal

El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC.El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajesSiC es también uno de los componentes importantes de LED, es un sustrato popular para el crecimiento de dispositivos GaN y también sirve como un dispersor de calor en LED de alta potencia

 

1. La especificación

Diámetro de 6 pulgadas, carburo de silicio (SiC) Especificación del sustrato  
Grado Grado de MPD cero Grado de producción Grado de investigación Grado de imitación
Diámetro 150.0 mm±0.2 mm
espesor Δ Unidad de ensamblaje para el ensamblaje de las partículas.
Orientación de la oblea Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120> ± 0,5° para 4H-N En el eje: < 0001> ± 0,5° para 6H-SI/4H-SI
Piso primario {10-10} ± 5,0°
Duración plana primaria 47.5 mm±2,5 mm
Exclusión de los bordes 3 mm
TTV/Bow/Warp Se aplicarán las siguientes medidas:
Densidad de los microtubos ≤ 1 cm2 ≤ 5 cm2 ≤ 15 cm2 ≤ 100 cm2
Resistencia 4H-N 0.015 ~ 0.028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
La rugosidad Polish Ra≤1 nm
CMP Ra≤0,5 nm
Las grietas causadas por la luz de alta intensidad No hay 1 permitido, ≤ 2 mm Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm
Placas hexagonales por luz de alta intensidad Área acumulada ≤ 1% Área acumulada ≤ 2% Área acumulada ≤ 5%
Áreas de politipo por luz de alta intensidad No hay Área acumulada ≤ 2% Área acumulada ≤ 5%
Rasguños por luz de alta intensidad 3 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea
Chip de borde No hay 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno
Contaminación por luz de alta intensidad No hay

 

6 pulgadas de carburo de silicio 4H SiC sustratos obleas 06 pulgadas de carburo de silicio 4H SiC sustratos obleas 1

 

Sobre nuestra compañía ZMKJ
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO., LTD. se encuentra en la ciudad de Shanghai, que es la mejor ciudad de China, y nuestra fábrica esfue fundada en la ciudad de Wuxi en 2014.
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico customizado.Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando estrechamente con muchas universidades nacionales y extranjeras., instituciones de investigación y empresas, proporcionan productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.
Es nuestra visiónManteniendo una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes por nuestra buena reputación.
6 pulgadas de carburo de silicio 4H SiC sustratos obleas 2
 
CATALOGO DE tamaño común                             
Wafer SiC de tipo 4H-N / de alta pureza
Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas 4H
Wafer SiC de tipo N de 3 pulgadas y 4H
Wafer SiC de tipo N de 4 pulgadas 4H
Wafer SiC de tipo N de 6 pulgadas 4H

 

4H Semi-aislante / de alta purezaWafer de SiC

2 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante
Wafer de SiC de 3 pulgadas 4H semisoladora
4 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante
Wafer de SiC de 6 pulgadas 4H semi-aislante
 
 
Wafer SiC de tipo N de 6H
Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas 6H

 
 
 

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Ventas y servicio al cliente

Compra de materiales

El departamento de compras de materiales es responsable de reunir todas las materias primas necesarias para producir su producto.incluidos los análisis químicos y físicos están siempre disponibles.

Calidad

Durante y después de la fabricación o el mecanizado de sus productos, el departamento de control de calidad está involucrado en asegurarse de que todos los materiales y tolerancias cumplan o excedan sus especificaciones.

 

Servicio

Nos enorgullecemos de tener personal de ingeniería de ventas con más de 5 años de experiencia en la industria de semiconductores.Están capacitados para responder preguntas técnicas y ofrecer cotizaciones oportunas para sus necesidades.

Estamos a su lado en cualquier momento cuando tenga un problema, y lo resolveremos en 10 horas.