| Nombre De La Marca: | ZMKJ |
| Número De Modelo: | 6inch sic |
| MOQ: | 1pcs |
| Precio: | 600-1500usd/pcs by FOB |
| Detalles Del Embalaje: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
| Condiciones De Pago: | T / T, Western Union, MoneyGram |
4H-N Calidad de ensayo de carburo de silicio de 6 pulgadas de diámetro 150 mm sustratos de cristal único (sic) obleas, lingotes de cristal siccon un contenido de aluminio superior o igual a 10%,Wafer de cristal de carburo de silicio
6 pulgadas de carburo de silicio 4H SiC sustratos obleas para el crecimiento epitaxial dispositivo personalizado
El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC.El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajesSiC es también uno de los componentes importantes de LED, es un sustrato popular para el crecimiento de dispositivos GaN y también sirve como un dispersor de calor en LED de alta potencia
1. La especificación
| Diámetro de 6 pulgadas, carburo de silicio (SiC) Especificación del sustrato | ||||||||
| Grado | Grado de MPD cero | Grado de producción | Grado de investigación | Grado de imitación | ||||
| Diámetro | 150.0 mm±0.2 mm | |||||||
| espesor Δ | Unidad de ensamblaje para el ensamblaje de las partículas. | |||||||
| Orientación de la oblea | Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120> ± 0,5° para 4H-N En el eje: < 0001> ± 0,5° para 6H-SI/4H-SI | |||||||
| Piso primario | {10-10} ± 5,0° | |||||||
| Duración plana primaria | 47.5 mm±2,5 mm | |||||||
| Exclusión de los bordes | 3 mm | |||||||
| TTV/Bow/Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||||||
| Densidad de los microtubos | ≤ 1 cm2 | ≤ 5 cm2 | ≤ 15 cm2 | ≤ 100 cm2 | ||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015 ~ 0.028 Ω·cm | ||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
| La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | |||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||
| Las grietas causadas por la luz de alta intensidad | No hay | 1 permitido, ≤ 2 mm | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||||
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |||||
| Áreas de politipo por luz de alta intensidad | No hay | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |||||
| Rasguños por luz de alta intensidad | 3 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | |||||
| Chip de borde | No hay | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||||
| Contaminación por luz de alta intensidad | No hay | |||||||
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Wafer SiC de tipo 4H-N / de alta pureza
Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas 4H
Wafer SiC de tipo N de 3 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 4 pulgadas 4H Wafer SiC de tipo N de 6 pulgadas 4H |
4H Semi-aislante / de alta purezaWafer de SiC 2 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante
Wafer de SiC de 3 pulgadas 4H semisoladora 4 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante Wafer de SiC de 6 pulgadas 4H semi-aislante |
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Wafer SiC de tipo N de 6H
Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas 6H |
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El departamento de compras de materiales es responsable de reunir todas las materias primas necesarias para producir su producto.incluidos los análisis químicos y físicos están siempre disponibles.
Durante y después de la fabricación o el mecanizado de sus productos, el departamento de control de calidad está involucrado en asegurarse de que todos los materiales y tolerancias cumplan o excedan sus especificaciones.
Servicio
Nos enorgullecemos de tener personal de ingeniería de ventas con más de 5 años de experiencia en la industria de semiconductores.Están capacitados para responder preguntas técnicas y ofrecer cotizaciones oportunas para sus necesidades.
Estamos a su lado en cualquier momento cuando tenga un problema, y lo resolveremos en 10 horas.