Nombre De La Marca:	ZMKJ
Número De Modelo:	4 pulgadas - pureza elevada
MOQ:	1pcs
Precio:	1000-2000usd/pcs by FOB
Detalles Del Embalaje:	solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Condiciones De Pago:	T / T, Western Union, MoneyGram

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Material:

Tipo semicristalino 4H de alta pureza de SiC

Calificación:

Imitación / investigación / grado de producción

Thicnkss:

500 mm

Suraface:

CMP/MP

Solicitud:

dispositivo 5G

Diámetro:

Las demás partidas de las placas

Capacidad de la fuente:

1-50pcs/month

Resaltar:

substrato del carburo de silicio

sic oblea

Descripción de producto

Substrato de carburo de silicio de alta pureza de 150 mm de diámetro 4H-N, de 4 pulgadas y 6 pulgadas, de cristal único (sic), obleas, lingotes de cristal siccon un contenido de aluminio superior o igual a 10%,Oferta de cristal de carburo de silicio/Oferta de silicona cortada a medida

Wafer de carburo de silicio de alta pureza Prime/Dummy/Ultra Grade 4H-Semi SiC Wafers para dispositivo 5G

Sobre el carburo de silicio (SiC) Cristal

El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC.El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajesSiC es también uno de los componentes importantes de los LED, es un sustrato popular para el cultivo de dispositivos GaN, y también sirve como un dispersor de calor en los LED de alta potencia.

Propiedades del cristal único de 4H-SiC

Parámetros de la red: a=3.073Å c=10.053Å
Secuencia de apilamiento:
Dureza de Mohs: ≈9.2
Densidad: 3,21 g/cm3
Coeficiente de expansión térmica: 4-5×10-6/K
Indice de refracción: no= 2,61 ne= 2.66
Constante dieléctrica: 9.6
Conductividad térmica: a~4,2 W/cm·K@298K
(tipo N, 0,02 ohm.cm) c~3,7 W/cm·K@298K
Conductividad térmica: a~4,9 W/cm·K@298K
(Semi-aislante) c~3,9 W/cm·K@298K
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Campo eléctrico de ruptura: 3-5×10 6V/m
Velocidad de deriva de saturación: 2.0 × 105 m/s

Wafer de carburo de silicio de alta pureza 0

Alta pureza de 4 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato

4 pulgadas de diámetro de alta pureza 4H de carburo de silicio especificaciones de sustrato

Propiedad del sustrato	Grado de producción	Grado de investigación	Grado de imitación
Diámetro	100.0 mm+0.0/-0,5 mm
Orientación de la superficie	{0001} ± 0,2°
Orientación plana primaria	< 11-20> ± 5,0 ̊
Orientación plana secundaria	90.0 ̊ CW desde el núcleo primario ± 5.0 ̊, de silicio hacia arriba
Duración plana primaria	32.5 mm ± 2,0 mm
Duración plana secundaria	18.0 mm ± 2,0 mm
El borde de la oblea	Las demás
Densidad de los microtubos	≤ 5 micropipes/cm2	No más10 micropipes/cm2	≤ 50las micro-tubos/cm2
Áreas de politipo por luz de alta intensidad	Ninguno permitido		No más10% de la superficie
Resistencia	≥1E5O · cm		(área 75%)≥ 1E5O · cm
El grosor	350.0 μm ± 25,0 μmo 500.0 μm ± 25,0 μm
TTV	¿Qué quieres decir?10 μm		¿Qué quieres decir?15 μm
- ¿ Por qué?(Valor absoluto)	¿Qué quieres decir?25 μm		¿Qué quieres decir?30 μm
La velocidad warp.	¿Qué quieres decir?45Mm
Finalización de la superficie	Polvo de doble cara, Si Face CMP(Polido químico)
La rugosidad de la superficie	CMP Si Face Ra≤0,5 nm		No incluido
Las grietas causadas por la luz de alta intensidad	Ninguno permitido
Las fichas de borde/inclinaciones mediante iluminación difusa	Ninguno permitido	¿Cuánto tiempo?2<1.0 mm de ancho y profundidad	¿Cuánto tiempo?2<1.0 mm de ancho y profundidad
Área total utilizable	≥ 90%	≥ 80%	No incluido

* Las demás especificaciones pueden ser personalizadas según el cliente¿Qué quieres decir?Requisitos

6 pulgadas de alta pureza Semi-aislante 4H-SiC sustratos especificaciones

Propiedad	Grado U (Ultra)	P(Producción)Grado	R(Investigación)Grado	D(¡ Qué tonto!)Grado
Diámetro	150.0 mm±0.25 mm
Orientación de la superficie	{0001} ± 0,2°
Orientación plana primaria	La temperatura máxima de la superficie de la cubierta de ensayo será de ± 5 °C.
Orientación plana secundaria	No incluido
Duración plana primaria	47.5 mm ± 1,5 mm
Duración del plano secundario	No hay
El borde de la oblea	Las demás
Densidad de los microtubos	≤ 1 /cm2	≤ 5 /cm2	≤ 10 /cm2	≤ 50 /cm2
Área de politipo por luz de alta intensidad	No hay			≤ 10 por ciento
Resistencia	≥1E7 Ω·cm			(área 75%)≥1E7 Ω·cm
El grosor	350.0 μm ± 25,0 μm o 500.0 μm ± 25,0 μm
TTV	¿Qué quieres decir?10 μm
Arco (valor absoluto)	¿Qué quieres decir?40 μm
La velocidad warp.	¿Qué quieres decir?60 μm
Finalización de la superficie	Características de los productos:
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, el artículo 6 del Reglamento (UE) n.o 1308/2013 no se aplica.M- ¿ Qué?×10Mm) el	CMP Si-face Ra<0.5 nm			No incluido
Ruptura por luz de alta intensidad	No hay
Las fichas de borde/indentes por iluminación difusa	No hay		Qty≤2, la longitud y el ancho de cada<1 mm
Área efectiva	≥ 90%		≥ 80%	No incluido

* Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto a la zona de exclusión de los bordes.

Sobre las aplicaciones de los sustratos de SiC

CATALOGO DE tamaño común

Tipo 4H-N / obleas de SiC de alta pureza / lingotes Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 3 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 4 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 6 pulgadas 4H/lingotes	4H Semi-aislante / de alta purezaWafer de SiC 2 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante Wafer de SiC de 3 pulgadas 4H semisoladora 4 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante Wafer de SiC de 6 pulgadas 4H semi-aislante
Wafer SiC de tipo N de 6H Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas 6H/lingota	Tamaño personalizado para 2-6 pulgadas

Wafer de carburo de silicio de alta pureza 1

El SAle & Servicio al Cliente

Compra de materiales

El departamento de compras de materiales es responsable de reunir todas las materias primas necesarias para producir su producto.incluidos los análisis químicos y físicos están siempre disponibles.

Calidad

Durante y después de la fabricación o el mecanizado de sus productos, el departamento de control de calidad está involucrado en asegurarse de que todos los materiales y tolerancias cumplan o excedan sus especificaciones.

Servicio

Nos enorgullecemos de tener personal de ingeniería de ventas con más de 5 años de experiencia en la industria de semiconductores.Están capacitados para responder preguntas técnicas y ofrecer cotizaciones oportunas para sus necesidades.

Estamos a su lado en cualquier momento cuando tenga un problema, y lo resolveremos en 10 horas.

Etiquetas:

substrato del zafiro

Zafiro Windows óptico

Oblea del carburo de silicio

Sapphire Tube

Substrato del semiconductor

Gem Stone sintético

Partes de cerámica

equipo de laboratorio científico

Caja de reloj del cristal de zafiro

Caja del portador de la oblea

Substrato monocristalino fino superconductor

Oblea del nitruro del galio