Nombre De La Marca:	ZMKJ
Número De Modelo:	4 pulgadas - pureza elevada
MOQ:	1pcs
Precio:	1000-2000usd/pcs by FOB
Detalles Del Embalaje:	solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Condiciones De Pago:	T / T, Western Union, MoneyGram

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Materiales:

Tipo del solo cristal 4H-semi de la pureza sic elevada

Grado:

Maniquí/grado de /Production de la investigación

Thicnkss:

500um

Suraface:

CMP/MP

Aplicación:

dispositivo 5G

Diámetro:

100±0.3m m

Capacidad de la fuente:

1-50pcs/month

Resaltar:

substrato del carburo de silicio

sic oblea

Descripción de producto

Obleas de los substratos del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic), de los lingotes substratos sic cristalinos del semiconductor sic, de silicio del carburo de la oblea cristalina de Customzied del como-corte obleas sic

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)

El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.

PROPIEDADES del solo cristal 4H-SiC

Parámetros del enrejado: a=3.073Å c=10.053Å
Amontonamiento de secuencia: ABCB
Dureza de Mohs: ≈9.2
Densidad: 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión: 4-5×10-6/K
Índice de la refracción: ne= 2,66 del no= 2,61
Constante dieléctrica: 9,6
Conductividad termal: a~4.2 W/cm·K@298K
(N-tipo, 0,02 ohm.cm) c~3.7 W/cm·K@298K
Conductividad termal: a~4.9 W/cm·K@298K
C~3.9 (semiaislante) W/cm·K@298K
Banda-Gap: 3,23 eV Banda-Gap: eV 3,02
Campo eléctrico de la avería: 3-5×10 los 6V/m
Velocidad de deriva de la saturación: 2.0×105m/

Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G 0

Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de la pureza elevada 4inch (sic)

4 especificaciones del substrato del carburo de silicio de la pureza elevada 4H de la pulgada de diámetro

PROPIEDAD DEL SUBSTRATO	Grado de la producción	Grado de la investigación	Grado simulado
Diámetro	100,0 milímetro +0.0/-0.5milímetros
Orientación superficial	{0001} ±0.2°
Orientación plana primaria	<11->20> ̊ del ± 5,0
Orientación plana secundaria	90,0 ̊ CW del ̊ primario del ± 5,0, silicio cara arriba
Longitud plana primaria	32,5 milímetros ±2.0 milímetro
Longitud plana secundaria	18,0 milímetros ±2.0 milímetro
Borde de la oblea	Chaflán
Densidad de Micropipe	cm2s de ≤5 micropipes/	cm2sdel ≤10micropipes/	cm2s de ≤50 micropipes/
Áreas de Polytype por la luz de alta intensidad	Ningunos permitieron		áreadel ≤el10%
Resistencia	≥1E5 Ω·cm		(área el 75%) ≥1E5 Ω·cm
Grueso	350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm
TTV	≦el10μm		μmdel ≦15
Arco (valor absoluto)	μmdel ≦25		μmdel ≦30
Deformación	μmdel ≦45
Final superficial	Polaco doble del lado, CMP de la cara del Si (pulido de la sustancia química)
Aspereza superficial	Cara Ra≤0.5 nanómetro del CMP Si		N/A
Grietas por la luz de alta intensidad	Ningunos permitieron
Microprocesadores/mellas del borde por la iluminación difusa	Ningunos permitieron	Qty.2<> anchura y profundidad de 1,0 milímetros	Qty.2<> anchura y profundidad de 1,0 milímetros
Área usable total	el ≥90%	el ≥80%	N/A

el *The otras especificaciones se puede modificar para requisitos particulares según los requisitos de cliente

6 pulgadas - de alto - especificaciones semiaislantes de los substratos 4H-SiC de la pureza

Propiedad	Grado de U (ultra)	Grado de P (producción)	Grado de R (investigación)	Grado (simulado) de D
Diámetro	150,0 mm±0.25 milímetro
Orientación superficial	{± 0.2° de 0001}
Orientación plana primaria	<11-20> ̊ del ± 5,0
Orientación plana secundaria	N/A
Longitud plana primaria	47,5 milímetros ±1.5 milímetro
Longitud plana secundaria	Ninguno
Borde de la oblea	Chaflán
Densidad de Micropipe	≤1 /cm2	≤5 /cm2	≤10 /cm2	≤50 /cm2
Área de Polytype por la luz de alta intensidad	Ninguno			≤ el 10%
Resistencia	≥1E7 Ω·cm			(área el 75%) ≥1E7 Ω·cm
Grueso	350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm
TTV	μmdel ≦10
Arco (valor absoluto)	μmdel ≦40
Deformación	μmdel ≦60
Final superficial	C-cara: Haber pulido óptico, Si-cara: CMP
Aspereza (10μm del ×10delμm)	Ra de la Si-cara del CMP<> 0,5 nanómetros			N/A
Grieta por la luz de alta intensidad	Ninguno
Microprocesadores/mellas del borde por la iluminación difusa	Ninguno		Qty≤2, la longitud y anchura de cada<> 1m m
Área eficaz	el ≥90%		el ≥80%	N/A

* los límites de los defectos se aplican a la superficie entera de la oblea a excepción del área de exclusión del borde. # los rasguños se deben comprobar cara del Si solamente.

Sobre sic usos de los substratos

TAMAÑO DEL CAMPO COMÚN DEL CATÁLOGO

Tipo 4H-N/oblea/lingotes de la pureza elevada sic 2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H	oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
6H N-tipo sic oblea 2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H	Tamaño de Customzied para 2-6inch

Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G 1

Ventas y servicio de atención al cliente

Compra de los materiales

El departamento de compra de los materiales es responsable recolectar todas las materias primas necesarias para producir su producto. La rastreabilidad completa de todos los productos y materiales, incluyendo análisis químico y físico está siempre disponible.

Calidad

Durante y después de la fabricación o de trabajar a máquina de sus productos, el departamento del control de calidad está implicado en asegurarse de que todos los materiales y tolerancias resuelven o exceden su especificación.

Servicio

Nos enorgullecemos en tener el personal de la ingeniería de ventas con durante 5 años de experiencias en la industria del semiconductor. Se entrenan para contestar a preguntas técnicas así como para proporcionar las citas oportunas para sus necesidades.

estamos en su lado por en cualquier momento cuando usted tiene problema, y lo resolvemos en 10hours.

Etiquetas:

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substrato del zafiro

Zafiro Windows óptico

Oblea del carburo de silicio

Sapphire Tube

Oblea del nitruro del galio

Substrato del semiconductor

Gem Stone sintético

Partes de cerámica

equipo de laboratorio científico

Caja de reloj del cristal de zafiro

Caja del portador de la oblea

Substrato monocristalino fino superconductor

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Zafiro Windows óptico

Oblea del carburo de silicio

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