• el lado de 4inch 101.6m m Sapphire Wafer Substrate Carrier Single pulió a solo Crystal Al 2O3
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Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: ROHS
Número de modelo: 4INCH*0.5mmt

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 25pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: en caja de la oblea del casete 25pcs bajo sitio de limpieza 100grade
Tiempo de entrega: 1 semana
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1000pcs por mes
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: solo cristal Al2O3 99,999% del zafiro orientación: C-AXIS/A-AXIS/M-AXIS/M-AXIS
Superficie: SSP DSP o pulido Grueso: 0.17m m, 0.5m m u otro
Uso: vidrio llevado o óptico Método del crecimiento: KY
Tamaño: 4inch DIA100mm Paquete: 25/Cassette
Alta luz:

4inch Sapphire Wafer Substrate Carrier

,

Solo Crystal Al 2O3 Sapphire Substrate

,

Solo portador pulido lateral del substrato

Descripción de producto

el lado de 4inch 101.6m m Sapphire Wafer Substrate Carrier Single pulió a solo Crystal Al 2O3

Cristal de zafiro alrededor de sintético

El zafiro es un solo cristal del alúmina y es el material segundo-más duro de la naturaleza, después de diamante. El zafiro tiene buena transmitencia ligera, de alta resistencia, resistencia de la colisión, lleva la resistencia, resistencia a la corrosión, y la resistencia da alta temperatura y de alta presión, biocompatibility es un material ideal del substrato para la producción de los dispositivos optoelectrónicos del semiconductor, las propiedades eléctricas del zafiro hacer que se convierte en el material del substrato para la producción del LED blanco y azul.

Grueso a largo plazo ≧0.1mm de la producción de nuestra compañía, y su oblea del zafiro alta precisión del tamaño ≧Φ2 de la forma de la”. Además del Φ2 convencional “, Φ4”, Φ6 “, Φ8”, Φ10 “, Φ12” y otros tamaños se pueden modificar para requisitos particulares, entran en contacto con por favor a nuestro personal de ventas.

El zafiro (substrato del ₃ del ₂ del Al O) es una clase de material para los microprocesadores del LED. Debido a su alta estabilidad, ₃ del zafiro es conveniente para el crecimiento de alta temperatura. Finalmente, el zafiro es mecánicamente fuerte y fácil de dirigir y de limpiar. Por lo tanto, el zafiro se utiliza generalmente como substrato para la mayoría de los procesos.

Sapphire Properties

Físico
Fórmula química Al2O3
Densidad 3,97 g/cm3
Dureza 9 Mohs
Punto de fusión Oc 2050
Temperatura máxima del uso 1800-1900oC
Mecánico
Resistencia a la tensión 250-400 MPa
Fuerza compresiva MPa 2000
El ratio de Poisson 0.25-0.30
Módulo de Young 350-400 GPa
Resistencia de flexión 450-860 MPa
Módulo del éxtasis 350-690 MPa
Termal
Tarifa linear de la extensión (en 293-323 K) 5.0*10-6K-1 (⊥ C)
6.6*10-6K-1 (∥ C)
Conductividad termal (en 298 K) 30,3 con (m*K) (⊥ C)
32,5 con (m*K) (∥ C)
Calor específico (en 298 K) 0,10 cal*g-1
Eléctrico
Resistencia (en 298 K) 5.0*1018 Ω*cm (⊥ C)
1.3-2.9*1019 Ω*cm (∥ C)
Constante dieléctrica (en 298 K, en intervalo de 103 - 109 herzios) 9,3 (⊥ C)
11,5 (∥ C)

 

 

El zafiro sintético es solo 99,99% Al2O3 puros cristalino transparente que exhibe una combinación única de propiedades físicas, químicas, eléctricas y ópticas: alta conductividad termal, de alta resistencia, resistencia del rasguño, dureza (9 en la escala de Mohs), transparente en una amplia gama de longitud de onda, inercia química.
La alta perfección cristalina, la reactividad baja, y el tamaño de célula apropiado de unidad hacen zafiro un substrato excelente en la industria del semiconductor para los diodos electroluminosos azules (LED).
Desde premio Nobel en la física Shuji Nakamura utilizó el substrato del zafiro en los años 90 para el LED, la demanda para el cristal de zafiro ha estado creciendo rápidamente.

Conduce el desarrollo de nuevos mercados como la iluminación general, iluminación de la parte trasera en televisiones, las exhibiciones, los dispositivos del consumidor, espacio aéreo y defensa, y otros usos

el lado de 4inch 101.6m m Sapphire Wafer Substrate Carrier Single pulió a solo Crystal Al 2O3 0

Especificaciones del portador del substrato de la oblea del zafiro 4inch

Espec. 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8inch
Diámetro ± 50,8 0,1 milímetros ± 100 0,1 milímetros ± 150 0,1 milímetros ± 200 0,1 milímetros
Grueso 430 ± 25 um 650 ± 25 um ± 1300 25 um ± 1300 25 um
Ra ≤ del Ra 0,3 nanómetros ≤ 0.3nm del Ra ≤ 0.3nm del Ra ≤ del Ra 0,3 nanómetros
TTV ≤ 10um ≤ 10um ≤ 10um ≤ 10um
Tolerancia ≤ 3 um ≤ 3 um ≤ 3 um ≤ 3 um
Superficie de la calidad 20/10 20/10 20/10 20/10
Estado superficial Pulido de DSP SSP
Forma Círculo con la muesca o la llanura
Chaflán 45°, forma de C
Material Al2O3 99,999%
N/O Oblea del zafiro

 

Se crece y se orienta el material, y los substratos se fabrican y se pulen a una superficie Epi-lista libre de daños extremadamente lisa en un o ambo lados de la oblea. Una variedad de orientaciones y de tamaños hasta 6" de la oblea de diámetro están disponibles.

Los substratos del zafiro del Uno-avión - se utilizan generalmente para los usos microelectrónicos híbridos que requieren una constante dieléctrica uniforme y que aíslan altamente características.

Los substratos del C-avión - tienda a ser utilizado para todo-v y los compuestos del ll-Vl, tales como GaN, para el LED brillante y los diodos láser azules y verdes.

Substratos del R-avión - éstos se prefieren para la deposición hetero-epitaxial del silicio usada en los usos microelectrónicos de IC.

 

Oblea estándar

oblea SSP/DSP del zafiro del C-avión de 2 pulgadas
oblea SSP/DSP del zafiro del C-avión de 3 pulgadas
oblea SSP/DSP del zafiro del C-avión de 4 pulgadas
oblea SSP/DSP del zafiro del C-avión de 6 pulgadas
Corte especial
1120) obleas del zafiro del Uno-avión (
1102) obleas del zafiro del R-avión (
1010) obleas del zafiro del M-avión (
1123) obleas del zafiro del N-avión (
C-AXIS con un despunte de 0.5°~ 4°, hacia Uno-AXIS o M-AXIS
La otra orientación modificada para requisitos particulares
Tamaño modificado para requisitos particulares
oblea del zafiro de 10*10m m
oblea del zafiro de 20*20m m
Oblea ultra fina del zafiro (100um)
oblea del zafiro de 8 pulgadas
 
Sapphire Substrate modelada (PSS)
C-avión PSS de 2 pulgadas
C-avión PSS de 4 pulgadas
 
    
2inch

DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4m m

/0.5mm/ 1.0mmt

 

SSP C-AXIS 0.2/0.43m m

(DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43m m

 

 

3inch

 

DSP/SSP C-AXIS 0.43mm/0.5m m

 

 

4Inch

 

dsp   c-AXIS 0.4mm/0.5mm/1.0m m

ssp c-AXIS 0.5mm/0.65mm/1.0mmt

 

 

6inch

ssp c-AXIS 1.0mm/1.3mmm

 

dsp c-AXIS 0.65mm/0.8mm/1.0mmt

 

 

 

detalles del zafiro de la oblea del zafiro 4inch de 101.6m m

el lado de 4inch 101.6m m Sapphire Wafer Substrate Carrier Single pulió a solo Crystal Al 2O3 1el lado de 4inch 101.6m m Sapphire Wafer Substrate Carrier Single pulió a solo Crystal Al 2O3 2el lado de 4inch 101.6m m Sapphire Wafer Substrate Carrier Single pulió a solo Crystal Al 2O3 3el lado de 4inch 101.6m m Sapphire Wafer Substrate Carrier Single pulió a solo Crystal Al 2O3 4

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Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. el lado de 4inch 101.6m m Sapphire Wafer Substrate Carrier Single pulió a solo Crystal Al 2O3 ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.