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GaP Wafer Gallio Fosfuro Orientación de cristal único (111)A 0°±0.2 Células solares
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | GaP wafer |
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Información detallada |
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| El grosor: | Min:175 máximo:225 | dopante: | S |
|---|---|---|---|
| Superficie de acabado: | Las demás: | cuenta de partícula: | No incluido |
| Redondeo del borde: | 0.250 mmR | IF Ubicación/Leyenda: | Se aplicará el método de ensayo de las pruebas de ensayo. |
| Tipo de conducta: | S-C-N | Preparación para epi: | - ¿ Qué? |
| Alta luz: | Substrato de semiconductores de obleas GaP,Orientación de cristal único de fosfuro de galio,Wafer GaP de fosfuro de galio |
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Descripción de producto
Wafer GaP, Orientación de cristal único de fosfuro de galio (111)A 0°±0.2 Células solares
Descripción del producto:
El fosfuro de galio GaP, un semiconductor importante de propiedades eléctricas únicas como otros materiales compuestos III-V, cristaliza en la estructura cúbica ZB termodinámicamente estable,es un material cristalino semitransparente de color naranja-amarillo con una banda indirecta de 2.26 eV (300K), que se sintetiza a partir de 6N 7N de alta pureza de galio y fósforo, y se cultiva en cristal único mediante la técnica Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Los cristales de fosfuro de galio se dopan con azufre o telurio para obtener semiconductores de tipo n, y zinc dopado como conductividad de tipo p para su posterior fabricación en la oblea deseada, que tiene aplicaciones en sistemas ópticos, dispositivos electrónicos y otros dispositivos optoelectrónicos.Single Crystal GaP oblea se puede preparar Epi-Listo para su LPEAplicación epitaxial de MOCVD y MBE.La conductividad de tipo n o sin dopado en Western Minmetals (SC) Corporation se puede ofrecer en tamaño 2′′ y 3′′ (50mm), 75 mm de diámetro), orientación < 100>, < 111> con acabado superficial de proceso cortado, pulido o preparado para epi.
Características:
- Amplio intervalo de banda adecuado para emitir longitudes de onda específicas de luz.
- GaP Wafer Excelentes propiedades ópticas que permiten la producción de LED en varios colores.
- Alta eficiencia en la generación de luces rojas, amarillas y verdes para LED.
- Capacidad superior de absorción de luz a longitudes de onda específicas.
- Buena conductividad eléctrica que facilita los dispositivos electrónicos de alta frecuencia.
- Wafer GaP Estabilidad térmica adecuada para un rendimiento fiable.
- Estabilidad química adecuada para procesos de fabricación de semiconductores.
- GaP Wafer Parámetros de red favorables para el crecimiento epitaxial de capas adicionales.
- Capacidad para servir como sustrato para la deposición de semiconductores.
- Wafer GaP Material robusto con una alta conductividad térmica.
- Excelentes capacidades optoelectrónicas para fotodetectores.
- Versatilidad en el diseño de dispositivos ópticos para rangos de longitudes de onda específicos.
- Aplicación potencial en células solares para absorción de luz adaptada.
- Estructuras de red relativamente compatibles para el crecimiento de semiconductores de calidad.
- Un papel esencial en la fabricación de LED, diodos láser y fotodetectores debido a sus propiedades ópticas y eléctricas.
Parámetros técnicos:
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Método de crecimiento | El LEC |
| - ¿Qué quieres decir? | - ¿ Qué pasa?10 |
| Diámetro | 50.6 ± 0,3 mm |
| Número de partículas | No incluido |
| Ángulo de orientación | No incluido |
| TTV/TIR | - ¿ Qué pasa?10 |
| Agentes de superación | El S |
| Marcado por láser | No incluido |
| Orientación | (111) A 0° ± 0.2 |
| Movilidad | ¿ Qué es?100 |
| Materiales semiconductores | Substrato de semiconductores |
| Oxidación superficial | Wafer de óxido de silicio ultra grueso |
Aplicaciones:
- Fabricación de GaP Wafer LED para producir luces rojas, amarillas y verdes.
- Fabricación de diodos láser GaP Wafer para diversas aplicaciones ópticas.
- Desarrollo de fotodetectores GaP Wafer para rangos de longitudes de onda específicos.
- Utilización de la oblea GaP en sensores optoelectrónicos y sensores de luz.
- GaP Wafer Integración de células solares para absorción del espectro de luz a medida.
- Producción de paneles de visualización y luces indicadoras.
- GaP Wafer Contribución a los dispositivos electrónicos de alta frecuencia
- GaP Wafer Formación de dispositivos ópticos para rangos de longitudes de onda distintos.
- GaP Wafer Uso en telecomunicaciones y sistemas de comunicación óptica.
- GaP Wafer Desarrollo de dispositivos fotónicos para el procesamiento de señales.
- Incorporación de GaP Wafer en sensores infrarrojos (IR) y ultravioleta (UV).
- Implementación de GaP Wafer en dispositivos de detección biomédica y ambiental.
- Aplicación de GaP Wafer en sistemas ópticos militares y aeroespaciales
- Integración de GaP Wafer en la espectroscopia y la instrumentación analítica.
- GaP Wafer Utilización en investigación y desarrollo de tecnologías emergentes.
Personalización:
Nombre de marca: ZMSH
Número de modelo: oblea GaP
Lugar de origen: China
TTV/TIR: máximo:10
- ¿ Qué pasa?10
El número de puntos de contacto de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo se determinará en función de los resultados de los ensayos.
Movilidad: Min:100
Resistencia: Min:0.01 máximo:0.5 Ω.cm
Características:
• Utilizando tecnología de película delgada
• Oblea de óxido de silicio
• Electro-oxidación
• Servicio personalizado
Apoyo y servicios:
Proporcionamos una amplia gama de soporte técnico y servicios para nuestros productos de sustrato de semiconductores.
Ya sea que necesite asesoramiento sobre la selección de productos, la instalación, las pruebas o cualquier otro problema técnico, estamos aquí para ayudarle.
- Selección y evaluación del producto
- Instalación y ensayos
- Solución de problemas y solución de problemas
- Optimización del rendimiento
- Formación y educación sobre productos
Nuestro equipo de ingenieros y técnicos experimentados está disponible para responder a cualquier pregunta y proporcionar el mejor asesoramiento técnico y apoyo.Póngase en contacto con nosotros hoy y permítanos ayudarle a encontrar la mejor solución para sus necesidades.