Mapa de la cadena industrial y tecnológica mundial del nitruro de galio (GaN)

- ¿ Qué?- ¿ Qué?Nitruro de galio (GaN)- ¿ Qué?
El nitruro de galio (GaN) es un compuesto químico inorgánico con la fórmula ¿ Por qué?, compuesto por galio (Ga) y nitrógeno (N).material semiconductor de tercera generación , normalmente existe en forma de polvo sólido blanco o ligeramente amarillo.

• - ¿ Qué?Estabilidad estructural En condiciones extremas
• - ¿ Qué?Punto de fusión alto.Más de 1700 °C
• - ¿ Qué?Resistencia a alta tensión.(campo de descomposición ~ 3,3 MV/cm)
• - ¿ Qué?Tolerancia a la radiación(efectivo para el espacio y los entornos nucleares)

Este semiconductor de banda ancha muestra un rendimiento superior en ambientes operativos adversos en comparación con los materiales tradicionales a base de silicio, lo que lo hace crítico para aplicaciones en electrónica de potencia,Sistemas de radiofrecuencia (RF) y optoelectrónica.

II. Tamaño del mercado y tendencias de crecimiento
Con la continua expansión de la tecnología del nitruro de galio (GaN) desde la electrónica de consumo a aplicaciones de alta potencia como vehículos eléctricos (VE), almacenamiento de energía fotovoltaica y centros de datos,El mercado mundial de dispositivos de potencia GaN está experimentando un crecimiento acelerado:
- ¿ Qué?Datos del mercado - ¿ Por qué?

• En 2022, el tamaño del mercado alcanzó los 180 millones de USD, y se proyecta que alcanzará los 1.33 mil millones de USD para 2026, con una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 65%.
• Los productos electrónicos de consumo siguen siendo el segmento de mercado dominante, con un valor aproximado de 146 millones USD en 2022, que se espera que aumente a 1.307 mil millones USD para 2028 (Yole Développement).

- ¿ Qué?Expansión de la aplicación - ¿ Por qué?

El ámbito de aplicación se ha ampliado desde la carga rápida tradicional de teléfonos inteligentes y los adaptadores de alimentación hasta escenarios de potencia media a alta, incluidos los cargadores a bordo de vehículos de nueva energía (OBC),Estaciones base de telecomunicaciones, inversores fotovoltaicos, servidores de centros de datos, fuentes de alimentación industrial y sistemas de almacenamiento de energía.

III. Tendencias del desarrollo técnico y evolución de las aplicaciones

- ¿ Qué?1. Tendencias técnicas - ¿ Qué?

• - ¿ Qué?Alta integración : Embalaje conjunto de controladores con dispositivos de potencia GaN para reducir los componentes periféricos
• - ¿ Qué?Alta confiabilidad : Mejora de la dureza de la radiación y la inmunidad a las oleadas
• - ¿ Qué?Alta eficiencia : Baja resistencia, alta frecuencia de conmutación, mejora de la densidad de potencia y eficiencia de conversión del sistema

- ¿ Qué?- ¿ Qué?2. Escenarios de expansión de la aplicación - ¿ Qué?

IV. Resumen y perspectivas
El nitruro de galio (GaN), como el principal representante de los semiconductores de tercera generación, está acelerando su penetración en dominios fundamentales como la conversión de energía, la carga rápida,y sistemas de control eléctrico de automóviles, aprovechando sus ventajas de alta frecuencia, alta eficiencia y alta integración.

- ¿ Qué?Proyecciones para los próximos cinco años - ¿ Por qué?

1. Mientras que los dispositivos GaN mantienen un crecimiento constante en la electrónica de consumo, los dispositivos GaN de alta velocidad, que se encuentran en la actualidad en el mercado de la electrónica de consumo, siguen aumentando.Se introducirán gradualmente en escenarios de alto valor, incluidos los sistemas de tren motriz de automóviles., servidores de IA, e inversores fotovoltaicos.
2. El ecosistema tecnológico pasará de "dirigido por dispositivos" a "sinergizado por sistemas".y la optimización específica de la aplicación se convertirán en los principales diferenciadores competitivos.