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Nuevo Wafer SiC de 12 pulgadas lanzado, impulsando una revolución en la industria de semiconductores de alto rendimiento

Shanghái, 20 de febrero de 2025 Shanghai Famous Trade Co., Ltd. se complace en anunciar el lanzamiento de su nuevoWafer de carburo de silicio (SiC) de 12 pulgadas (300 mm), marcando un gran avance en el campo de los materiales semiconductores de alto rendimiento.este producto cumple los estrictos requisitos tanto de los entornos de investigación como de producción, y se utiliza ampliamente en industrias como vehículos eléctricos (EV), electrónica de potencia y tecnología de radio frecuencia (RF).

Características clave de la oblea de SiC de alto rendimiento

La nueva oblea de SiC de 12 pulgadas presenta una orientación cristalina 4H-N y un grosor de 750 ± 25 μm, ofreciendo propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas excepcionales.Comparado con los materiales tradicionales de silicioLa alta conductividad térmica, el alto voltaje de descomposición y la excelente movilidad de los electrones permiten que funcione a voltajes, temperaturas y frecuencias más altos.mejora considerablemente la eficiencia y fiabilidad del dispositivo.

• Ventajas materiales: El SiC tiene una amplia banda, alta conductividad térmica y tolerancia a alto voltaje, lo que lo hace ideal para dispositivos electrónicos de alta potencia y alta temperatura, como los MOSFET de potencia y los diodos de potencia.
• Propiedades mecánicas: La dureza y la rigidez del SiC® superan con creces los materiales tradicionales de silicio, mejorando la durabilidad y la integridad estructural de los dispositivos.
• Amplias aplicaciones: La nueva oblea de SiC de 12 pulgadas es particularmente adecuada para requisitos de alto rendimiento en vehículos eléctricos, electrónica de potencia, comunicaciones de alta frecuencia, iluminación LED y más,impulsar el progreso en industrias como los vehículos de nueva energía, las energías renovables y los sistemas de energía industrial.

Especificaciones del producto

• Diámetro: 300 mm
• El grosor: 750 ± 25 μm
• Orientación cristalina: tipo 4H-N, <0001> (en el eje) y 4° fuera del eje <1120>
• Resistencia: 0,015 0,03 Ω·cm
• Densidad de micropipo (MPD): ≤ 10/cm2
• La rugosidad de la superficie: Polish Ra ≤1nm, CMP Ra ≤0,2nm
• Embalaje: Contenedor de una sola oblea

Perspectivas de aplicación innovadora

La nueva oblea de SiC de 12 pulgadas se utilizará ampliamente en productos electrónicos de alta potencia, especialmente en sistemas de gestión de energía de vehículos eléctricos, redes inteligentes, almacenamiento de energía y sistemas de conversión de energía.Estabilidad a altas temperaturas del SiC, las fuertes capacidades de manejo de energía y las características de conmutación rápida lo convierten en una opción ideal para dispositivos semiconductores de baja potencia y eficiencia energética de próxima generación.

Además, estas obleas desempeñarán un papel clave en aplicaciones de alta frecuencia como las comunicaciones 5G, los sistemas aeroespaciales y de radar militares.A medida que la demanda de dispositivos electrónicos de alto rendimiento continúa aumentando, la oblea de SiC de 12 pulgadas está a punto de convertirse en una fuerza impulsora importante en la industria de semiconductores.

Acerca de la empresa Shanghai Famous Trade Co., Ltd.

Shanghai Famous Trade Co., Ltd. se especializa en la investigación, desarrollo y suministro de materiales semiconductores de alto rendimiento.Estamos comprometidos a proporcionar tecnologías de vanguardia y productos de alta calidad a los clientes globalesCon años de experiencia tecnológica y de mercado, nos hemos convertido en un líder reconocido y un socio de confianza en la industria.

Para obtener más información sobre el producto o solicitar pedidos, visite nuestro sitio web oficial o póngase en contacto con nuestro equipo de ventas.Esperamos unirse a ustedes en el avance de la próxima generación de semiconductores de alto rendimiento.