La competencia de sic y GaN

Desde hacia 2001, el nitruro del galio del semiconductor compuesto ha accionado una revolución de iluminación, que en cierto modo es la revolución tecnológica más rápida en historia de la humanidad. Según un estudio por el Organismo Internacional de Energía, la parte del galio nitruro-basó los diodos electroluminosos en el mercado de iluminación global ha aumentado a partir de la cero encima al 50% en apenas dos décadas. La inteligencia de Mordor de la compañía de la investigación predijo recientemente que la iluminación del LED reducirá el encender del consumo de energía por el 30% al 40% global en los siete años próximos. Según datos del programa del ambiente de Naciones Unidas, la iluminación explica el aproximadamente 20% de consumo de electricidad y el 6% de emisiones del dióxido de carbono global.

Esta revolución está lejos de encima. De hecho, está a punto de saltar a un de alto nivel. La tecnología de semiconductor que ha transformado la industria de iluminación, nitruro del galio (GaN), es también parte de la revolución de la electrónica de poder, que se contrapesa para sacar. Porque uno de los semiconductores compuestos, carburo de silicio (sic), ha comenzado a substituir el silicio basó productos electrónicos en el campo enorme e importante de la electrónica de poder.

GaN y sic los dispositivos realiza mejor y es más eficiente que los componentes del silicio que están substituyendo. Hay cientos de millones de tales dispositivos por todo el mundo, muchos cuyo actúe por varias horas por día, así que los ahorros de la energía serán significativos. Comparado a GaN LED que substituye las lámparas incandescentes y la otra iluminación tradicional, la subida de GaN y sic electrónica de poder tendrá en última instancia un mayor impacto positivo en el clima de la tierra.

En casi todos los lugares donde está necesario convertir corriente alternada a la corriente continua o a la corriente continua a la corriente continua, se reduce el poder perdido. Esta conversión ocurre en los cargadores de la pared para los teléfonos o los ordenadores portátiles móviles, cargadores más grandes y los inversores que los vehículos eléctricos del poder, y a otra parte. Pues otras ciudadelas del silicio también caen en los nuevos semiconductores, habrá ahorros similares. Los amplificadores inalámbricos de la estación base son uno de los usos cada vez mayor en los cuales estos semiconductores emergentes tienen claramente ventajas. En el esfuerzo para atenuar el cambio de clima, eliminando el consumo y la basura de energía es un resultado práctico, y estos semiconductores son la manera que la cosechamos.

Éste es un nuevo ejemplo de un modelo común en la historia de la tecnología: el logro simultáneo de dos innovaciones competentes. ¿Cómo todo el esto se librará? ¿En qué áreas de aplicación sic dominará, y en qué áreas GaN dominará? El examen cuidadoso de las ventajas comparativas de estos dos semiconductores puede proveer de nosotros algunas pistas confiables.

Nitruro del galio y carburo de silicio: sus áreas competitivas

Hoy, sic domina los inversores de EV y se localiza típicamente donde están críticas las capacidades del bloqueo y del manejo de la potencia del voltaje y las frecuencias son bajas. GaN es la tecnología preferida para el funcionamiento de alta frecuencia crítico, por ejemplo las estaciones base 5G y 6G, y radar y usos de alta frecuencia de la conversión de poder, tales como adaptadores de enchufe de pared, microinverters, y fuentes de alimentación.

Pero el esfuerzo supremo entre GaN y sic acaba de comenzar. Sin importar la competencia, un uso, un mercado, un mercado, podemos decir con confianza que sentirá bien el ambiente de la tierra a un ganador. Como este nuevo ciclo de los movimientos tecnológicos de la renovación y de la revitalización imparable adelante, los mil millones de toneladas de emisiones de gases de efecto invernadero serán evitados en los próximos años.