¿Cuáles son las especificaciones clave que deben tenerse en cuenta al seleccionar las obleas de silicio?

Para fabricar los dispositivos deseados a partir deOferta de silicioEl primer paso es elegir la oblea adecuada. ¿Pero cuáles son las especificaciones clave para centrarse?

El espesor de la oblea (THK):
El espesor delplaquetas de silicioDurante la fabricación de las obleas, es esencial un control preciso del grosor.tanto la precisión como la uniformidad del grosor de la oblea afectan directamente al rendimiento del dispositivo y a la estabilidad del proceso de fabricación.

Variación total del grosor (TTV):

TTV se refiere a la diferencia máxima de espesor entre los puntos más gruesos y más delgados a través de la superficie de la oblea. Es un parámetro importante utilizado para evaluar la uniformidad del espesor de la oblea.El mantenimiento de un TTV bajo garantiza una distribución de espesor constante durante el procesamiento, lo que ayuda a prevenir problemas en las etapas de fabricación posteriores y garantiza un rendimiento óptimo del dispositivo.

Indicador de lectura total (TIR):
El TIR representa la planitud de la superficie de la oblea, definida como la distancia vertical entre los puntos más altos y más bajos de la superficie de la oblea.El TIR se utiliza para evaluar si la oblea presenta alguna deformación o deformación durante el proceso de fabricación., asegurando que la planitud de la oblea cumple con las especificaciones de proceso requeridas.

Arco:
El arco se refiere al desplazamiento vertical del punto central de la oblea en relación con el plano de sus bordes, utilizado principalmente para evaluar la flexión local de la oblea.Se mide colocando la oblea en una superficie plana de referencia y determinando la distancia vertical entre el centro de la oblea y el plano de referenciaEl valor de arco generalmente se centra solo en el área central de la oblea e indica si la oblea exhibe una forma general convexa (cúpula) o cóncava (discos).

- ¿ Qué pasa?
La curvatura describe la desviación de la forma general de la oblea de su plano de referencia ideal.La curvatura se define como la desviación máxima entre cualquier punto de la superficie de la oblea y el plano de referencia de mejor ajuste (generalmente calculado utilizando un método de mínimos cuadrados)Se determina escaneando toda la superficie de la oblea, midiendo la altura de todos los puntos y calculando la desviación máxima del plano de mejor ajuste.Warp proporciona un indicador general de la planitud de la oblea, capturando tanto la flexión y torsión a través de toda la oblea.

Diferencia entre el arco y la curva:
La diferencia clave entre la curvatura y la curvatura radica en el área que evalúan y el tipo de deformación que describen.proporcionando información sobre la curvatura local alrededor del área central, ideal para evaluar la curvatura localizadaEn contraste, Warp mide las desviaciones a través de toda la superficie de la oblea en relación con el plano de mejor ajuste,Proporciona una visión completa de la planitud y torsión generales, lo que lo hace más adecuado para evaluar la forma global y la distorsión de la oblea..

Tipo de conductividad / dopante:
Este parámetro identifica el tipo de conductividad de la oblea, es decir, si los electrones o los agujeros son los principales portadores de carga.Oferta de tipo NEn la mayoría de los casos, los electrones son los principales portadores, generalmente obtenidos mediante el dopaje con elementos pentavalentes como el fósforo (P), el arsénico (As) o el antimonio (Sb).Wafers de tipo PLos agujeros son los principales portadores, creados por el dopaje con elementos trivalentes como el boro (B), el aluminio (Al) o el galio (Ga).La elección del tipo de dopante y conductividad influye directamente en el comportamiento eléctrico de los dispositivos finales.

Resistencia (RES):
La resistividad, a menudo abreviada como RES, se refiere a la resistividad eléctrica delplaquetas de silicioEl control de la resistividad durante la fabricación de obleas es fundamental, ya que afecta directamente al rendimiento de los dispositivos resultantes.Los fabricantes suelen ajustar la resistividad de las obleas mediante la introducción de dopantes específicos durante el procesamiento.Los valores de resistividad objetivo típicos se proporcionan en las tablas de especificaciones para referencia.

Número de partículas de superficie (partículas):
Las partículas se refieren a la contaminación delplaquetas de silicioEstas partículas pueden provenir de materiales residuales, gases de proceso, polvo o fuentes ambientales durante la fabricación.La contaminación por partículas superficiales puede afectar negativamente la fabricación y el rendimiento del dispositivo, por lo que es esencial un estricto control y limpieza de las superficies de las obleas durante la producción.Los fabricantes suelen emplear procesos de limpieza especializados para reducir y eliminar las partículas superficiales para mantener una alta calidad de las obleas.

Cómo elegir el adecuadoWafer de silicio?
La selección de la oblea de silicio adecuada puede guiarse por las normas de inspección y los parámetros típicos que se muestran en la tabla siguiente para las obletas de 6 pulgadas.

• Variación del espesor:Las variaciones en el grosor a menudo causan desviaciones en los procesos de grabado y corrosión, que requieren una compensación durante la fabricación.

• Variación del diámetro:Las desviaciones de diámetro pueden conducir a una desalineación de la litografía, pero el impacto generalmente se considera menor.

• Tipo de conductividad y dopantes:La elección del tipo correcto de dopaje es especialmente importante.

• Resistencia:La uniformidad de la resistividad a través de la superficie de la oblea debe considerarse cuidadosamente, ya que la no uniformidad puede reducir seriamente el rendimiento del dispositivo.

• Orientación de cristal:Esto influye en gran medida en los procesos de grabado en húmedo.

• Arco y Warp:La flexión de la oblea y la curvatura afectan fuertemente la precisión de la litografía, particularmente cuando se trata de pequeñas dimensiones críticas (CD) en el patrón.

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