Nombre De La Marca: | ZMKJ |
Número De Modelo: | Tamaño de Customzied |
MOQ: | 1pcs |
Precio: | 600-1500usd/pcs by FOB |
Detalles Del Embalaje: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
Condiciones De Pago: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Obleas de los substratos del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m del grado 6inch de la prueba 4H-N (sic), de los lingotes substratos sic cristalinos del semiconductor sic, oblea cristalina del carburo de silicio
El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias
especificación conductora de la oblea de 4 pulgadas sic | ||||
Producto | 4H-SiC | |||
Grado | Grado I | Grado II | Grado III | |
áreas policristalinas | Ningunos permitieron | Ningunos permitieron | <5> | |
áreas del polytype | Ningunos permitieron | ≤el20% | el 20% ~ el 50% | |
Densidad de Micropipe) | <>5micropipes/cm-2 | <>30micropipes/cm-2 | <100micropipes>-2 | |
Área usable total | >el 95% | >el 80% | N/A | |
Diámetro | 100,0 milímetros +0/-0.5 milímetros | |||
Grueso | 500 μm del ± 25 del μm o especificación del cliente | |||
Dopante | tipo de n: nitrógeno | |||
Orientación plana primaria) | Perpendicular<11-20> al ± 5.0° | |||
Longitud plana primaria | 32,5 milímetros de ± 2,0 milímetros | |||
Orientación plana secundaria) | El 90° CW del ± plano primario 5.0° | |||
Longitud plana secundaria) | 18,0 milímetros de ± 2,0 milímetros | |||
En la orientación de la oblea del eje) | {± 0.25° de 0001} | |||
De la orientación de la oblea del eje | 4.0° hacia <11-20> el ± 0.5° o la especificación del cliente | |||
TTV/BOW/Warp | <>los 5μm/<10>μm/< 20=""> | |||
Resistencia | 0.01~0.03 ×cm de Ω | |||
Final superficial | Pulimento de la cara de C. CMP de la cara del Si (cara del Si: Rq<> 0,15 nanómetros) o especificación del cliente |
Pulimento doble del lado |
Oblea del tipo 4H-N/de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H |
oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic |
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea de la pulgada 6H |
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El departamento de compra de los materiales es responsable recolectar todas las materias primas necesarias para producir su producto. La rastreabilidad completa de todos los productos y materiales, incluyendo análisis químico y físico está siempre disponible.
Durante y después de la fabricación o de trabajar a máquina de sus productos, el departamento del control de calidad está implicado en asegurarse de que todos los materiales y tolerancias resuelven o exceden su especificación.
Servicio
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