 |
el substrato del carburo de silicio 4Inch, maniquí primero de la pureza elevada ultra califica semi sic las obleas 4H-
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Número de modelo: | 4 pulgadas - pureza elevada |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1pcs |
|---|---|
| Precio: | 600-1500usd/pcs by FOB |
| Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
| Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
| Condiciones de pago: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
|
Información detallada |
|||
| El material: | Tipo cristalino sic solo 4H-N | Grado: | Imitación / investigación / grado de producción |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 350um o 500um | Suraface: | CMP/MP |
| Aplicación: | prueba de pulido del fabricante del dispositivo | Diámetro: | Las demás partidas de las placas |
| Resaltar: | substrato del carburo de silicio,silicio en las obleas del zafiro |
||
Descripción de producto
Substrato de carburo de silicio de alta pureza de 4H-N de 4 pulgadas y 6 pulgadas de diámetro de 150 mm, de cristal único (sic), obleas, lingotes de cristal siccon un contenido de aluminio superior o igual a 10%,Oferta de cristal de carburo de silicio/Oferta de silicona cortada a medida
Sobre el carburo de silicio (SiC) Cristal
El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC.El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajesSiC es también uno de los componentes importantes de los LED, es un sustrato popular para el cultivo de dispositivos GaN, y también sirve como un dispersor de calor en los LED de alta potencia.
El sustrato de carburo de silicio (SiC) de 4 pulgadas, fabricado con obleas de 4H-SiC de ultra grado de alta pureza, está diseñado para aplicaciones avanzadas de semiconductores.Estas obleas ofrecen excelentes propiedades eléctricas y térmicasEl politipo 4H-SiC proporciona una banda ancha, un alto voltaje de ruptura y una conductividad térmica superior.que permite un rendimiento eficiente del dispositivo en condiciones extremasEstos sustratos son esenciales para la producción de semiconductores fiables y de alta calidad utilizados en la electrónica de potencia, los sistemas de energía renovable y los vehículos eléctricos.donde la precisión y la durabilidad son críticasLa calidad de ultra grado garantiza un mínimo de defectos, favoreciendo el crecimiento de capas epitaxiales y mejorando los procesos de fabricación del dispositivo.
Propiedades del cristal único de 4H-SiC
- Parámetros de la red: a=3.073Å c=10.053Å
- Secuencia de apilamiento:
- Dureza de Mohs: ≈9.2
- Densidad: 3,21 g/cm3
- Coeficiente de expansión térmica: 4-5×10-6/K
- Indice de refracción: no= 2,61 ne= 2.66
- Constante dieléctrica: 9.6
- Conductividad térmica: a~4,2 W/cm·K@298K
- (tipo N, 0,02 ohm.cm) c~3,7 W/cm·K@298K
- Conductividad térmica: a~4,9 W/cm·K@298K
- (Semi-aislante) c~3,9 W/cm·K@298K
- Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
- Campo eléctrico de ruptura: 3-5×10 6V/m
- Velocidad de deriva de saturación: 2.0 × 105 m/s
Alta pureza de 4 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato
4 pulgadas de diámetro de alta pureza 4H de carburo de silicio especificaciones de sustrato
|
Propiedad del sustrato |
Grado de producción |
Grado de investigación |
Grado de imitación |
|
Diámetro |
100.0 mm+0.0/-0,5 mm |
||
|
Orientación de la superficie |
{0001} ± 0,2° |
||
|
Orientación plana primaria |
< 11-20> ± 5,0 ̊ |
||
|
Orientación plana secundaria |
90.0 ̊ CW desde el núcleo primario ± 5.0 ̊, de silicio hacia arriba |
||
|
Duración plana primaria |
32.5 mm ± 2,0 mm |
||
|
Duración plana secundaria |
18.0 mm ± 2,0 mm |
||
|
El borde de la oblea |
Las demás |
||
|
Densidad de los microtubos |
≤ 5 micropipes/cm2 |
No más10 micropipes/cm2 |
≤ 50 añoslas micro-tubos/cm2 |
|
Áreas de politipo por luz de alta intensidad |
Ninguno permitido |
No más10% de la superficie |
|
|
Resistencia |
≥1E5O · cm |
(área 75%)≥ 1E5O · cm |
|
|
El grosor |
350.0 μm ± 25,0 μmo 500.0 μm ± 25,0 μm |
||
|
TTV |
¿Qué quieres decir?10 μm |
¿Qué quieres decir?15 μm |
|
|
- ¿ Por qué?(Valor absoluto) |
¿Qué quieres decir?25 μm |
¿Qué quieres decir?30 μm |
|
|
La velocidad warp. |
¿Qué quieres decir?45Mm |
||
|
Finalización de la superficie |
Polvo de doble cara, Si Face CMP(Polido químico) |
||
|
La rugosidad de la superficie |
CMP Si Face Ra≤0,5 nm |
No incluido |
|
|
Las grietas causadas por la luz de alta intensidad |
Ninguno permitido |
||
|
Las fichas de borde/inclinaciones mediante iluminación difusa |
Ninguno permitido |
¿Cuánto tiempo?2<1.0 mm de ancho y profundidad |
¿Cuánto tiempo?2<1.0 mm de ancho y profundidad |
|
Área total utilizable |
≥ 90% |
≥ 80% |
No incluido |
* Las demás especificaciones pueden ser personalizadas según el cliente¿Qué quieres decir?Requisitos
6 pulgadas de alta pureza Semi-aislante 4H-SiC sustratos especificaciones
|
Propiedad |
Grado U (Ultra) |
P(Producción)Grado |
R(Investigación)Grado |
D(¡ Qué tonto!)Grado |
|
Diámetro |
150.0 mm±0.25 mm |
|||
|
Orientación de la superficie |
{0001} ± 0,2° |
|||
|
Orientación plana primaria |
La temperatura máxima de la superficie de la cubierta de ensayo será de ± 5 °C. |
|||
|
Orientación plana secundaria |
No incluido |
|||
|
Duración plana primaria |
47.5 mm ± 1,5 mm |
|||
|
Duración del plano secundario |
No hay |
|||
|
El borde de la oblea |
Las demás |
|||
|
Densidad de los microtubos |
≤ 1 /cm2 |
≤ 5 /cm2 |
≤ 10 /cm2 |
≤ 50 /cm2 |
|
Área de politipo por luz de alta intensidad |
No hay |
≤ 10 por ciento |
||
|
Resistencia |
≥1E7 Ω·cm |
(área 75%)≥1E7 Ω·cm |
||
|
El grosor |
350.0 μm ± 25,0 μm o 500.0 μm ± 25,0 μm |
|||
|
TTV |
¿Qué quieres decir?10 μm |
|||
|
Arco (valor absoluto) |
¿Qué quieres decir?40 μm |
|||
|
La velocidad warp. |
¿Qué quieres decir?60 μm |
|||
|
Finalización de la superficie |
Características de los productos: |
|||
|
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, el artículo 6 del Reglamento (UE) n.o 1308/2013 no se aplica.M- ¿ Qué?×10Mm) el |
CMP Si-face Ra<0.5 nm |
No incluido |
||
|
Ruptura por luz de alta intensidad |
No hay |
|||
|
Las fichas de borde/indentes por iluminación difusa |
No hay |
Qty≤2, la longitud y el ancho de cada<1 mm |
||
|
Área efectiva |
≥ 90% |
≥ 80% |
No incluido |
|
* Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto a la zona de exclusión de los bordes.
|
Tipo 4H-N / obleas de SiC de alta pureza / lingotes
Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas y 4H
Wafer SiC de tipo N de 3 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 4 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 6 pulgadas 4H/lingotes |
4H Semi-aislante / de alta purezaWafer de SiC 2 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante
Wafer de SiC de 3 pulgadas 4H semisoladora 4 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante Wafer de SiC de 6 pulgadas 4H semi-aislante |
|
Wafer SiC de tipo N de 6H
Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas 6H/lingota |
Tamaño personalizado para 2-6 pulgadas
|
Ventas y servicio al cliente
Compra de materiales
El departamento de compras de materiales es responsable de reunir todas las materias primas necesarias para producir su producto.incluidos los análisis químicos y físicos están siempre disponibles.
Calidad
Durante y después de la fabricación o mecanizado de sus productos, el departamento de control de calidad está involucrado en asegurarse de que todos los materiales y tolerancias cumplan o superen sus especificaciones.
Servicio
Nos enorgullecemos de tener personal de ingeniería de ventas con más de 5 años de experiencia en la industria de semiconductores.Están capacitados para responder preguntas técnicas y ofrecer cotizaciones oportunas para sus necesidades.
Estamos a su lado en cualquier momento cuando tenga un problema, y lo resolveremos en 10 horas.