| Nombre De La Marca: | zmkj |
| Número De Modelo: | GaN-FS-C-U-C50-SSP 2inch |
| MOQ: | 10pcs |
| Precio: | 1200~2500usd/pc |
| Detalles Del Embalaje: | sola caja de la oblea por el envasado al vacío |
| Condiciones De Pago: | T/T |
Plantilla de sustratos de GaN de 2 pulgadas, oblea de GaN para LED, oblea de nitruro de galio semiconductor para ld, plantilla de GaN, oblea de GaN mocvd, sustratos de GaN independientes por tamaño personalizado, oblea de GaN de tamaño pequeño para LED,mocvd oblea de nitruro de galio 10x10 mm,5x5mm, 10x5mm gaN wafer, Substratos GaN independientes no polares ((un plano y un plano m)
III - Nitruro 2 INCH Wafer GaN libre para proyección láser Display Power Device
Características de las obleas de GaN
El nitruro de galio es un tipo de semiconductores compuestos de amplio hueco.
un sustrato de cristal único de alta calidad, fabricado con el método HVPE original y la tecnología de procesamiento de obleas, que se ha desarrollado originalmente durante más de 10 años en China.Las características son muy cristalinas.Los sustratos de GaN se utilizan para muchos tipos de aplicaciones, para LED blanco y LD ((violeta, azul y verde).El desarrollo ha progresado para aplicaciones de dispositivos electrónicos de potencia y alta frecuencia.
El ancho de banda prohibido (emisión y absorción de luz) cubre la luz ultravioleta, visible e infrarroja.
Especificación de los sustratos GaN de 2 pulgadas de pie libre
| Tipo n | Tipo p | Las demás: | |
|---|---|---|---|
| n [cm- ¿ Qué pasa?] | hasta 1019 | - | - |
| p [cm- ¿ Qué pasa?] | - | hasta 1018 | - |
| p [cm- ¿ Qué pasa?] | 10- ¿ Qué pasa?-10 años- ¿ Qué pasa? | 102-10 años3 | 109-10 años12 |
| ¡1⁄4 [cm2/Vs] | hasta 150 | - | - |
| Variación total del grosor (TTV)/μm | < 40 años | < 40 años | < 40 años |
| Arco/μm | < 10 | < 10 | < 10 |
| FWHM [arcsec] de la curva de oscilación de rayos X, superficie preparada para epi, a una hendidura de 100 μm x 100 μm | < 20 años | ||
| Densidad de dislocación [cm]- ¿ Qué pasa?] | < 105 | ||
| Desorientación/grado | A petición | ||
| Finalización de la superficie | Como cortado / molido Las demás partidas de las demás partidas Las demás partidas de las máquinas de la partida 85 Preparado para epi (RMS < 0,5 nm) |
||
Ventajas de la presente especificación
| Curvatura más pequeña | Menos dislocaciones | Más portadores eléctricos | |
| Lasers | Productos más altos | Válvulas de voltaje de umbral inferior | Potencia superior |
| Los LEDs | Mejor eficiencia (IQE) | ||
| Transistores | Corriente de fuga más baja | Po más alto | |
Aplicación:
El GaN se puede utilizar en muchas áreas como pantalla LED, detección e imagen de alta energía,
Display de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.
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Acerca de nuestra fábrica OEM
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Nuestra visión de la empresa Factroy
Proporcionaremos un sustrato GaN de alta calidad y tecnología de aplicación para la industria con nuestra fábrica.
El material GaN de alta calidad es el factor de restricción para la aplicación de nitritos III, por ejemplo, una larga vida útil.
y LD de alta estabilidad, dispositivos de microondas de alta potencia y alta fiabilidad,
y LED de alta eficiencia y ahorro de energía.
-Preguntas frecuentes
P: ¿Qué puede suministrar logística y costo?
(1) Aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF y otros.
(2) Si usted tiene su propio número expreso, es genial.
Si no, podríamos ayudarle a entregar.
P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
(1) Para los productos estándar, como las obleas de 2 pulgadas de 0,33 mm.
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles desde el pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 4 semanas laborales después del pedido.
P: ¿Cómo se paga?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial.
P: ¿Cuál es el MOQ?
(1) Para el inventario, el MOQ es de 5pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 5pcs-10pcs.
Depende de la cantidad y de la técnica.
P: ¿Tiene un informe de inspección del material?
Podemos suministrar el informe ROHS y llegar a informes para nuestros productos.
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