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GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación

GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: GaN-FS-C-U-C50-SSP

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1pcs
Precio: 1000~3000usd/pc
Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea por el envasado al vacío
Tiempo de entrega: 1-5weeks
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 50PCS por mes
Mejor precio Contacto

Información detallada

El material: Solo cristal de GaN El tamaño: 2 pulgadas 4 pulgadas
El grosor: 0.4 mm Tipo de producto: Tipo N/semidopado sin dopaje
Aplicación: Dispositivo de semiconductor Aplicación: Dispositivo de polvo
Superficie: SSP Paquete: sola caja del envase de la oblea
Resaltar:

Substrato derecho libre del nitruro del galio

,

HVPE GaN Epi Wafer

,

Dispositivo del polvo de la oblea del arseniuro de galio

Descripción de producto

Plantilla de sustratos de GaN de 2 pulgadas, oblea de GaN para LED, oblea de nitruro de galio semiconductor para ld, plantilla de GaN, oblea de GaN mocvd, sustratos de GaN independientes por tamaño personalizado, oblea de GaN de tamaño pequeño para LED,mocvd oblea de nitruro de galio 10x10 mm,5x5mm, 10x5mm gaN wafer, Substratos GaN independientes no polares ((un plano y un plano m)

4 pulgadas 2 pulgadas de sustantivo libre de GaN HVPE GaN Wafers

 

Características de las obleas de GaN

  1. El contenido de nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno

El nitruro de galio es un tipo de semiconductores compuestos de amplio hueco.

un sustrato de cristal único de alta calidad, fabricado con el método HVPE original y la tecnología de procesamiento de obleas, que se ha desarrollado originalmente durante más de 10 años en China.Las características son muy cristalinas.Los sustratos de GaN se utilizan para muchos tipos de aplicaciones, para LED blanco y LD ((violeta, azul y verde).El desarrollo ha progresado para aplicaciones de dispositivos electrónicos de potencia y alta frecuencia.

 

El ancho de banda prohibido (emisión y absorción de luz) cubre la luz ultravioleta, visible e infrarroja.

 

Aplicación

El GaN se puede utilizar en muchas áreas como pantalla LED, detección e imagen de alta energía,
Display de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.

  • Display de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc. Almacenamiento de datos
  • Iluminación de bajo consumo de energía
  • Proyecciones láser Dispositivos electrónicos de alta eficiencia
  • Dispositivos de microondas de alta frecuencia Detección e imaginación de alta energía
  • Nuevas energías solar o tecnología del hidrógeno Medio ambiente Detección y medicina biológica
  • Banda de terahercios de la fuente de luz

 

Especificación de las obleas GaN independientes

Tamaño 2 " por segundo 4" de largo.
Diámetro 500,8 mm 士 0,3 mm 1000,0 mm 士 0,3 mm
El grosor 400 y 30 y 450 mm 士 30 mm
Orientación (0001) Caras Ga-planas c (estándar); (000-1) Caras N (opcional)
002 XRD Curva de balanceo FWHM < 100 segundos de arco
102 XRD Curva de balanceo FWHM < 100 segundos de arco
Radius de curvatura de la red > 10 m (medido a un 80% x diámetro)
Desvío hacia el plano m. 0.5° ± 0.15° hacia [10-10] @ centro de la oblea
Desvío hacia el plano ortogonal a 0.0° ± 0.15° hacia [1-210] @ centro de la oblea
Dirección en el plano La proyección vectorial del plano c apunta hacia el mayor OF
Plano plano de orientación mayor (10-10) m-plano 2° (estándar); ±0,1° (opcional)
Orientación principal longitud plana 16.0 mm ± 1 mm 32.0 mm ± 1 mm
Orientación menor orientación plana Ga-face = mayor OF en la parte inferior y menor OF en la izquierda
Orientación menor longitud plana 8.0 mm ± 1 mm 18.0 mm ± 1 mm
El borde del bisel con el cubo
TTV (excluyendo los bordes de 5 mm) < 15 mm < 30 mm
La velocidad de curvatura (excluyendo los bordes de 5 mm) < 20 mm < 80 mm
Arco (excluido el borde de 5 mm) -10 um a +5 um -40 um a +20 um
Roughness del lado delantero (Sa) < 0,3 nm (área AFM: 10 um x 10 um)
Se aplicará una medida de la distancia entre el punto de contacto y el punto de contacto.
Revestimiento de la superficie lateral trasera Polido (estándar); grabado (opcional)
Roughness del lado trasero (Sa) Polished: < 3 nm (área WLI: 239 um x 318 um)
grabado: 1 um ± 0,5 um (área WLI: 239 um x 318 um)
Marcado por láser La parte trasera en el piso mayor
 
Propiedades eléctricas El dopaje Resistencia
Licón de tipo N (5) < 0,02 ohm-cm
UID < 0,2 ohm-cm
Semi-aislantes (carbono) > 1E8 ohm-cm
 
Sistema de clasificación de los pozos Densidad (pozos/cm2) 2 " (pozos) 4" (pozos)
Producción Se trata de un5 Sección 2 < 40 años
Investigación < 1 año5 < 30 años < 120 años
¡ Qué tonto! < 2 años5 En el caso de las < 200

 

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Acerca de nuestra fábrica OEM

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Nuestra visión de la empresa Factroy
Proporcionaremos un sustrato GaN de alta calidad y tecnología de aplicación para la industria con nuestra fábrica.
El material GaN de alta calidad es el factor de restricción para la aplicación de nitritos III, por ejemplo, una larga vida útil.
y LD de alta estabilidad, dispositivos de microondas de alta potencia y alta fiabilidad,
y LED de alta eficiencia y ahorro de energía.

-Preguntas frecuentes
P: ¿Qué puede suministrar logística y costo?
(1) Aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF y otros.
(2) Si usted tiene su propio número expreso, es genial.
Si no, podríamos ayudarle a entregar.

P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
(1) Para los productos estándar, como las obleas de 2 pulgadas de 0,33 mm.
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles desde el pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 4 semanas laborales después del pedido.

P: ¿Cómo se paga?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial.

P: ¿Cuál es el MOQ?
(1) Para el inventario, el MOQ es de 5pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 5pcs-10pcs.
Depende de la cantidad y de la técnica.

P: ¿Tiene un informe de inspección del material?
Podemos suministrar el informe ROHS y llegar a informes para nuestros productos.

 

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
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