Oblea cristalina dopada Zn industrial del fosfuro de indio del INP del FE del substrato S del semiconductor sola
Datos del producto:
Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | zmkj |
Número de modelo: | INP 2-4inch |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 3pcs |
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Precio: | by case |
Detalles de empaquetado: | sola caja de la oblea |
Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
Condiciones de pago: | Western Union, T/T, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 100PCS |
Información detallada |
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Material: | Sola oblea cristalina del INP | Tamaño: | 2inch/3inch/4inch |
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Tipo: | N/P | Ventaja: | alta velocidad electrónica de la deriva del límite, buena resistencia de radiación y buena conductiv |
dopado: | Fe/s/zn/undoped | apsplications: | para la iluminación de estado sólido, comunicación de microonda, comunicación fibroóptica, |
Alta luz: | substrato del gasb,substrato de la oblea |
Descripción de producto
2inch/3inch/4inch S/Fe/Zn dopó el fosfuro de indio del INP solo Crystal Wafer
El fosfuro de indio (INP) es un material importante del semiconductor compuesto con las ventajas de la alta velocidad electrónica de la deriva del límite, de la buena resistencia de radiación y de la buena conductividad termal. Conveniente para el de alta frecuencia, la velocidad, los dispositivos de la microonda del poder más elevado y los circuitos integrados de fabricación. Es ampliamente utilizada en la iluminación de estado sólido, la comunicación de microonda, la comunicación fibroóptica, células solares, la dirección/la navegación, el satélite y otros campos de usos civiles y militares.
la poder del zmkj ofrece la oblea del INP – fosfuro de indio que son crecidas por LEC (Czochralski encapsulado líquido) o VGF (helada vertical de la pendiente) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diversa orientación (111) o (100).
El fosfuro de indio (INP) es un semiconductor binario integrado por el indio y el fósforo. Tiene (“blenda de cinc ") una estructura cristalina cúbica cara-centrada, idéntica a la del GaAs y la mayor parte de los semiconductores de III-V. El fosfuro de indio se puede preparar de la reacción del yoduro del fósforo blanco y del indio [clarificación necesaria] en 400 °C., [5] también por la combinación directa de los elementos purificados en la temperatura alta y la presión, o por la descomposición termal de una mezcla de un compuesto y de un fosfuro del indio del trialkyl. El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.
Proceso de la oblea del INP | |
Cada lingote se corta en las obleas se traslapan que, pulido y la superficie preparada para la epitaxia. El proceso total se detalla abajo. | |
Especificación e identificación planas | La orientación es indicada en las obleas por dos planos (de largo planos para la orientación, el pequeño plano para la identificación). El estándar de E.J. (europeo japonés) se utiliza generalmente. La configuración plana alterna (los E.E.U.U.) se utiliza sobre todo para Ø 4" las obleas. |
Orientación del boule | Se ofrecen las obleas exactas (100) o misoriented. |
Exactitud de la orientación de DE | En respuesta a las necesidades de la industria optoelectrónica, nosotros obleas de las ofertas con la exactitud excelente de la orientación: < 0=""> |
Perfil del borde | Hay dos espec. comunes: borde químico que procesa o que procesa mecánico del borde (con una amoladora del borde). |
Polaco | Las obleas se pulen mediante un proceso sustancia-mecánico dando por resultado una superficie plana, libre de daños. proporcionamos las obleas pulidas y solo-lado pulidas del doble-lado (con el lado trasero traslapado y grabado al agua fuerte). |
Preparación superficial y empaquetado finales | Las obleas pasan con muchos pasos químicos quitar el óxido producido durante el pulido y crear una superficie limpia con la capa estable y uniforme del óxido que está lista para el crecimiento epitaxial - la superficie epiready y ésa reduce los oligoelementos a extremadamente - los niveles bajos. Después de la inspección final, las obleas se empaquetan de una manera que mantenga la limpieza superficial. Las instrucciones específicas para el retiro del óxido están disponibles para todos los tipos de las tecnologías epitaxiales (MOCVD, MBE). |
Base de datos | Como parte de nuestro programa del control de proceso estadístico/de la gestión de calidad total, la base de datos extensa que registra las propiedades eléctricas y mecánicas para cada lingote así como análisis cristalino del calidad y superficial de obleas está disponible. En cada etapa de la fabricación, el producto se examina antes de pasar a la etapa siguiente para mantener un nivel de la consistencia de la calidad de la oblea a la oblea y del boule al boule. |
el pecification del s para 2-4inch
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