• Oblea cristalina dopada Zn industrial del fosfuro de indio del INP del FE del substrato S del semiconductor sola
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Oblea cristalina dopada Zn industrial del fosfuro de indio del INP del FE del substrato S del semiconductor sola

Oblea cristalina dopada Zn industrial del fosfuro de indio del INP del FE del substrato S del semiconductor sola

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: INP 2-4inch

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 3pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea
Tiempo de entrega: 2-4 semanas
Condiciones de pago: Western Union, T/T, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100PCS
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: Sola oblea cristalina del INP Tamaño: 2inch/3inch/4inch
Tipo: N/P Ventaja: alta velocidad electrónica de la deriva del límite, buena resistencia de radiación y buena conductiv
dopado: Fe/s/zn/undoped apsplications: para la iluminación de estado sólido, comunicación de microonda, comunicación fibroóptica,
Alta luz:

substrato del gasb

,

substrato de la oblea

Descripción de producto

 

2inch/3inch/4inch S/Fe/Zn dopó el fosfuro de indio del INP solo Crystal Wafer

 

El fosfuro de indio (INP) es un material importante del semiconductor compuesto con las ventajas de la alta velocidad electrónica de la deriva del límite, de la buena resistencia de radiación y de la buena conductividad termal. Conveniente para el de alta frecuencia, la velocidad, los dispositivos de la microonda del poder más elevado y los circuitos integrados de fabricación. Es ampliamente utilizada en la iluminación de estado sólido, la comunicación de microonda, la comunicación fibroóptica, células solares, la dirección/la navegación, el satélite y otros campos de usos civiles y militares.

 

la poder del zmkj ofrece la oblea del INP – fosfuro de indio que son crecidas por LEC (Czochralski encapsulado líquido) o VGF (helada vertical de la pendiente) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diversa orientación (111) o (100).

El fosfuro de indio (INP) es un semiconductor binario integrado por el indio y el fósforo. Tiene (“blenda de cinc ") una estructura cristalina cúbica cara-centrada, idéntica a la del GaAs y la mayor parte de los semiconductores de III-V. El fosfuro de indio se puede preparar de la reacción del yoduro del fósforo blanco y del indio [clarificación necesaria] en 400 °C., [5] también por la combinación directa de los elementos purificados en la temperatura alta y la presión, o por la descomposición termal de una mezcla de un compuesto y de un fosfuro del indio del trialkyl. El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.

 

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Proceso de la oblea del INP
Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD
Cada lingote se corta en las obleas se traslapan que, pulido y la superficie preparada para la epitaxia. El proceso total se detalla abajo.

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Especificación e identificación planas La orientación es indicada en las obleas por dos planos (de largo planos para la orientación, el pequeño plano para la identificación). El estándar de E.J. (europeo japonés) se utiliza generalmente. La configuración plana alterna (los E.E.U.U.) se utiliza sobre todo para Ø 4" las obleas.
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Orientación del boule Se ofrecen las obleas exactas (100) o misoriented.
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Exactitud de la orientación de DE En respuesta a las necesidades de la industria optoelectrónica, nosotros obleas de las ofertas con la exactitud excelente de la orientación: < 0="">
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Perfil del borde Hay dos espec. comunes: borde químico que procesa o que procesa mecánico del borde (con una amoladora del borde).
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Polaco Las obleas se pulen mediante un proceso sustancia-mecánico dando por resultado una superficie plana, libre de daños. proporcionamos las obleas pulidas y solo-lado pulidas del doble-lado (con el lado trasero traslapado y grabado al agua fuerte).
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Preparación superficial y empaquetado finales Las obleas pasan con muchos pasos químicos quitar el óxido producido durante el pulido y crear una superficie limpia con la capa estable y uniforme del óxido que está lista para el crecimiento epitaxial - la superficie epiready y ésa reduce los oligoelementos a extremadamente - los niveles bajos. Después de la inspección final, las obleas se empaquetan de una manera que mantenga la limpieza superficial.
Las instrucciones específicas para el retiro del óxido están disponibles para todos los tipos de las tecnologías epitaxiales (MOCVD, MBE).
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Base de datos Como parte de nuestro programa del control de proceso estadístico/de la gestión de calidad total, la base de datos extensa que registra las propiedades eléctricas y mecánicas para cada lingote así como análisis cristalino del calidad y superficial de obleas está disponible. En cada etapa de la fabricación, el producto se examina antes de pasar a la etapa siguiente para mantener un nivel de la consistencia de la calidad de la oblea a la oblea y del boule al boule.

 

el pecification del s para 2-4inch

 

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Sobre nuestra compañía
SHANGAI CO. COMERCIAL FAMOSO, LTD. localiza en la ciudad de Shangai, que es la mejor ciudad de China, y nuestra fábrica se funda en la ciudad de Wuxi en 2014.
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico custiomized ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D.
Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes al lado de nuestros buenos reputatiaons.
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