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oblea 6H-N/4 H-N Dummy sic Crystal Wafers For Device Test del carburo de silicio de 2Inch 4inch
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Número de modelo: | 2inch*0.625mmt |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 10pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
| Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
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Información detallada |
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| Material: | Tipo cristalino sic solo 4H-N | Grado: | Maniquí/grado de la producción de la investigación |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.625M M | Suraface: | como-corte |
| Uso: | prueba polaca del dispositivo | Diámetro: | 50.8m m |
| Alta luz: | substrato del carburo de silicio,sic oblea |
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Descripción de producto
De Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC de los lingotes/de los substratos wafersS/Customzied del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic) del como-corte obleas sic
Sobre cristal del carburo de silicio (sic)
El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
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Propiedad |
4H-SiC, solo cristal |
6H-SiC, solo cristal |
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Parámetros del enrejado |
a=3.076 Å c=10.053 Å |
a=3.073 Å c=15.117 Å |
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Amontonamiento de secuencia |
ABCB |
ABCACB |
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Dureza de Mohs |
≈9,2 |
≈9,2 |
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Densidad |
3,21 g/cm3 |
3,21 g/cm3 |
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Therm. Coeficiente de la extensión |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
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Índice @750nm de la refracción |
ningunos = 2,61 ne = 2,66 |
ningunos = 2,60 ne = 2,65 |
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Constante dieléctrica |
c~9.66 |
c~9.66 |
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Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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Conductividad termal (semiaislante) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
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Banda-Gap |
eV 3,23 |
eV 3,02 |
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Campo eléctrico de la avería |
los 3-5×106V/cm |
los 3-5×106V/cm |
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Velocidad de deriva de la saturación |
2,0×105 m/s |
2,0×105 m/s |
especificación del substrato del carburo de silicio de 2 pulgadas de diámetro (sic)
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Grado |
Grado de la producción |
Grado de la investigación |
Grado simulado |
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Diámetro |
50,8 mm±0.38 milímetro |
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Grueso |
330 μm±25μm o customzied |
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Orientación de la oblea |
En eje: <0001> ±0.5° para 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI del eje: 4.0° hacia el 1120 del ±0.5° para 4H-N/4H-SI |
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Densidad de Micropipe |
cm2s ≤5 |
cm2s ≤15 |
cm2s ≤50 |
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Resistencia |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
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6H-N |
0.02~0.1 Ω·cm |
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4/6H-SI |
>1E5 Ω·cm |
(el 90%) >1E5 Ω·cm |
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Plano primario |
{10-10} ±5.0° |
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Longitud plana primaria |
15,9 mm±1.7 milímetro |
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Longitud plana secundaria |
8,0 mm±1.7 milímetro |
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Orientación plana secundaria |
Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero |
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Exclusión del borde |
1 milímetro |
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TTV/Bow /Warp |
≤15μm/≤25μm/≤25μm |
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Aspereza |
Ra≤1 polaco nanómetro |
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CMP Ra≤0.5 nanómetro |
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Ninguno |
Ninguno |
1 permitida, ≤1 milímetro |
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Placas del hex. por la luz de intensidad alta |
Area≤ acumulativo el 1% |
Area≤ acumulativo el 1% |
Area≤ acumulativo el 3% |
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Ninguno |
Area≤ acumulativo el 2% |
El area≤5% acumulativo |
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3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer |
5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer |
8 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer |
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Microprocesador del borde |
Ninguno |
3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno |
5 permitida, ≤1 milímetro cada uno |
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4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H |
2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic |
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6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H |
Tamaño de Customzied para 2-6inch
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Sobre ZMKJ Company
ZMKJ puede proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en pulgada del diámetro 2-6, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.
Nuestros productos de la relación
Obleas cristalinas LaAlO3/SrTiO3/obleas Ruby Ball/obleas de la lente LiTaO3 del wafer& del zafiro sic de Gap
FAQ:
Q: ¿Cuál es la manera de término del envío y del coste y de la paga?
: (1) aceptamos el 100% T/T por adelantado por DHL, Fedex, el ccsme etc.
(2) si usted tiene su propia cuenta expresa, es grande. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
La carga está de acuerdo con el acuerdo real.
Q: ¿Cuál es su MOQ?
: (1) para el inventario, el MOQ es 2pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.
Q: ¿Puedo modificar los productos para requisitos particulares basados en mi necesidad?
: Sí, podemos modificar el material, las especificaciones y la forma para requisitos particulares, tamaño basado en sus necesidades.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
: (1) para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.
(2) para los productos especial-formados, la entrega es 4 workweeks después de que usted ponga la orden.