Nombre De La Marca: | ZMKJ |
Número De Modelo: | Tamaño modificado para requisitos particulares |
MOQ: | 5pcs |
Precio: | by case |
Detalles Del Embalaje: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Tamaño personalizado/Lingotes SIC de 2 pulgadas / 3 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N / Obleas de sustratos de cristal único (sic) de carburo de silicio de alta pureza 4H-N 4 pulgadas 6 pulgadas de diámetro 150 mmS/Obleas sic de alta pureza sin dopar 4H-semi resistividad>1E7 3 pulgadas 4 pulgadas 0,35 mm
Acerca del cristal de carburo de silicio (SiC)
El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC. El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajes, o ambos. El SiC también es uno de los componentes LED importantes, es un sustrato popular para el cultivo de dispositivos GaN y también sirve como disipador de calor en entornos de alta temperatura. LED de alimentación.
Propiedad | 4H-SiC, monocristal | 6H-SiC, monocristal |
Parámetros de red | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
Secuencia de apilamiento | ABCB | ABCACB |
Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densidad | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
Termia. Coeficiente de expansión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Índice de refracción @ 750 nm |
no = 2,61 |
no = 2,60 |
Constante dieléctrica | ~9.66 | ~9.66 |
Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
~4,2 W/cm·K@298K |
|
Conductividad térmica (semiaislante) |
~4,9 W/cm·K@298K |
~4,6 W/cm·K@298K |
banda prohibida | 3,23 eV | 3,02 eV |
Campo eléctrico de avería | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
Velocidad de deriva de saturación | 2,0×105 m/s | 2,0×105 m/s |
Especificación de sustrato de carburo de silicio (SiC) de 2 pulgadas de diámetro | ||||||||||
Calificación | Grado cero MPD | Grado de producción | Grado de investigación | Grado ficticio | ||||||
Diámetro | 100 mm ± 0,38 mm | |||||||||
Espesor | 350 μm±25μm o 500±25um u otro espesor personalizado | |||||||||
Orientación de la oblea | En el eje: <0001>±0,5° durante 4h-semi | |||||||||
Densidad del microtubo | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤10cm-2 | ≤30cm-2 | ||||||
Resistividad | 4H-N | 0,015~0,028 Ω·cm | ||||||||
6H-N | 0,02~0,1 Ω·cm | |||||||||
4h-semi | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
Piso Primario | {10-10}±5,0° | |||||||||
Longitud plana primaria | 18,5 mm±2,0 mm | |||||||||
Longitud plana secundaria | 10,0 mm ± 2,0 mm | |||||||||
Orientación plana secundaria | Silicio boca arriba: 90° CW. desde plano primario ±5.0° | |||||||||
Exclusión de bordes | 1 milímetro | |||||||||
TTV/arco/deformación | ≤10μm/≤15μm/≤30μm | |||||||||
Aspereza | Polaco Ra≤1 nm | |||||||||
CMPRa≤0,5 nm | ||||||||||
Grietas por luz de alta intensidad. | Ninguno | 1 permitido, ≤2 mm | Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||||||
Placas hexagonales por luz de alta intensidad. | Área acumulada ≤1% | Área acumulada ≤1% | Área acumulada ≤3% | |||||||
Áreas politipo por luz de alta intensidad. | Ninguno | Área acumulada ≤2% | Área acumulada ≤5% | |||||||
Arañazos por luz de alta intensidad. | 3 rayones por longitud acumulada de 1 × diámetro de oblea | 5 rayones por longitud acumulada de 1 × diámetro de oblea | 5 rayones por longitud acumulada de 1 × diámetro de oblea | |||||||
chip de borde | Ninguno | Se permiten 3, ≤0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤1 mm cada uno | |||||||
Aplicaciones:
1) Deposición de nitruro III-V
2)Dispositivos optoelectrónicos
3)Dispositivos de alta potencia
4)Dispositivos de alta temperatura
5)Dispositivos de potencia de alta frecuencia
Electrónica de potencia:
Dispositivos de RF y microondas:
Dispositivos LED y optoelectrónicos:
Aplicaciones de alta temperatura:
Investigación y Desarrollo:
Exhibición de producción
Tipo 4H-N / Obleas/lingotes de SiC de alta pureza
Obleas/lingotes de SiC tipo N 4H de 2 pulgadas
Oblea de SiC tipo N 4H de 3 pulgadas Obleas/lingotes de SiC tipo N 4H de 4 pulgadas Obleas/lingotes de SiC tipo N 4H de 6 pulgadas |
Oblea de SiC semiaislante / de alta pureza 4H Oblea de SiC semiaislante 4H de 2 pulgadas
Oblea de SiC semiaislante 4H de 3 pulgadas Oblea de SiC semiaislante 4H de 4 pulgadas Oblea de SiC semiaislante 4H de 6 pulgadas |
Oblea de SiC tipo 6H N
Oblea/lingote de SiC tipo N 6H de 2 pulgadas |
Tamaño personalizado para 2-6 pulgadas
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Aplicaciones de SiC
Áreas de aplicación
>Embalaje – Logística
Nos preocupamos de cada detalle del paquete, limpieza, tratamiento antiestático y de choque.
Según la cantidad y forma del producto, ¡tomaremos un proceso de embalaje diferente! Casi mediante casetes de oblea individuales o casetes de 25 piezas en una sala de limpieza de grado 100.