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Oblea pulida del carburo de silicio 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35m m sic
Datos del producto:
| Lugar de origen: | CHINA |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Número de modelo: | Tamaño modificado para requisitos particulares |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
| Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
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Información detallada |
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| El material: | SiC monocristalino 4h-semicristalino | Grado: | grado de prueba |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.35 mm o 0.5 mm | Suraface: | DSP pulido |
| Aplicación: | el epitaxial | Diámetro: | 3 pulgadas |
| El color: | Transparente | MPD: | Se trata de una muestra de las características de los productos. |
| Tipo de producto: | de alta pureza sin dopaje | Resistencia: | > 1E7 O.hm |
| Resaltar: | oblea del carburo de silicio de 0.35m m,Oblea del carburo de silicio de 4 pulgadas,Sic oblea del carburo de silicio |
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Descripción de producto
Tamaño personalizado/Lingotes SIC de 2 pulgadas / 3 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N / Obleas de sustratos de cristal único (sic) de carburo de silicio de alta pureza 4H-N 4 pulgadas 6 pulgadas de diámetro 150 mmS/Obleas sic de alta pureza sin dopar 4H-semi resistividad>1E7 3 pulgadas 4 pulgadas 0,35 mm
Acerca del cristal de carburo de silicio (SiC)
El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC. El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajes, o ambos. El SiC también es uno de los componentes LED importantes, es un sustrato popular para el cultivo de dispositivos GaN y también sirve como disipador de calor en entornos de alta temperatura. LED de alimentación.
| Propiedad | 4H-SiC, monocristal | 6H-SiC, monocristal |
| Parámetros de red | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Secuencia de apilamiento | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Termia. Coeficiente de expansión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice de refracción @ 750 nm |
no = 2,61 |
no = 2,60 |
| Constante dieléctrica | ~9.66 | ~9.66 |
| Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
~4,2 W/cm·K@298K |
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| Conductividad térmica (semiaislante) |
~4,9 W/cm·K@298K |
~4,6 W/cm·K@298K |
| banda prohibida | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Campo eléctrico de avería | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2,0×105 m/s | 2,0×105 m/s |
Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) 4H-N de 4 pulgadas de diámetro
| Especificación de sustrato de carburo de silicio (SiC) de 2 pulgadas de diámetro | ||||||||||
| Calificación | Grado cero MPD | Grado de producción | Grado de investigación | Grado ficticio | ||||||
| Diámetro | 100 mm ± 0,38 mm | |||||||||
| Espesor | 350 μm±25μm o 500±25um u otro espesor personalizado | |||||||||
| Orientación de la oblea | En el eje: <0001>±0,5° durante 4h-semi | |||||||||
| Densidad del microtubo | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤10cm-2 | ≤30cm-2 | ||||||
| Resistividad | 4H-N | 0,015~0,028 Ω·cm | ||||||||
| 6H-N | 0,02~0,1 Ω·cm | |||||||||
| 4h-semi | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
| Piso Primario | {10-10}±5,0° | |||||||||
| Longitud plana primaria | 18,5 mm±2,0 mm | |||||||||
| Longitud plana secundaria | 10,0 mm ± 2,0 mm | |||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicio boca arriba: 90° CW. desde plano primario ±5.0° | |||||||||
| Exclusión de bordes | 1 milímetro | |||||||||
| TTV/arco/deformación | ≤10μm/≤15μm/≤30μm | |||||||||
| Aspereza | Polaco Ra≤1 nm | |||||||||
| CMPRa≤0,5 nm | ||||||||||
| Grietas por luz de alta intensidad. | Ninguno | 1 permitido, ≤2 mm | Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||||||
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad. | Área acumulada ≤1% | Área acumulada ≤1% | Área acumulada ≤3% | |||||||
| Áreas politipo por luz de alta intensidad. | Ninguno | Área acumulada ≤2% | Área acumulada ≤5% | |||||||
| Arañazos por luz de alta intensidad. | 3 rayones por longitud acumulada de 1 × diámetro de oblea | 5 rayones por longitud acumulada de 1 × diámetro de oblea | 5 rayones por longitud acumulada de 1 × diámetro de oblea | |||||||
| chip de borde | Ninguno | Se permiten 3, ≤0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤1 mm cada uno | |||||||
Aplicaciones:
1) Deposición de nitruro III-V
2)Dispositivos optoelectrónicos
3)Dispositivos de alta potencia
4)Dispositivos de alta temperatura
5)Dispositivos de potencia de alta frecuencia
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Electrónica de potencia:
- Dispositivos de alto voltaje:Las obleas de SiC son ideales para dispositivos de potencia que requieren altos voltajes de ruptura. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como MOSFET de potencia y diodos Schottky, que son esenciales para la conversión de energía eficiente en los sectores de la automoción y las energías renovables.
- Inversores y Convertidores:La alta conductividad térmica y la eficiencia del SiC permiten el desarrollo de inversores compactos y eficientes para vehículos eléctricos (EV) e inversores solares.
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Dispositivos de RF y microondas:
- Amplificadores de alta frecuencia:La excelente movilidad electrónica del SiC permite la fabricación de dispositivos de RF de alta frecuencia, lo que los hace adecuados para sistemas de radar y telecomunicaciones.
- GaN en tecnología SiC:Nuestras obleas de SiC pueden servir como sustratos para dispositivos GaN (nitruro de galio), mejorando el rendimiento en aplicaciones de RF.
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Dispositivos LED y optoelectrónicos:
- LED ultravioleta:La amplia banda prohibida del SiC lo convierte en un excelente sustrato para la producción de LED UV, que se utiliza en aplicaciones que van desde la esterilización hasta los procesos de curado.
- Diodos láser:La gestión térmica superior de las obleas de SiC mejora el rendimiento y la longevidad de los diodos láser utilizados en diversas aplicaciones industriales.
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Aplicaciones de alta temperatura:
- Aeroespacial y Defensa:Las obleas de SiC pueden soportar temperaturas extremas y entornos hostiles, lo que las hace adecuadas para aplicaciones aeroespaciales y electrónica militar.
- Sensores automotrices:Su durabilidad y rendimiento a altas temperaturas hacen que las obleas de SiC sean ideales para sensores y sistemas de control de automóviles.
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Investigación y Desarrollo:
- Ciencia de los materiales:Los investigadores utilizan obleas de SiC pulidas para diversos estudios de ciencia de materiales, incluidas investigaciones sobre propiedades de semiconductores y el desarrollo de nuevos materiales.
- Fabricación del dispositivo:Nuestras obleas se utilizan en laboratorios e instalaciones de I+D para la fabricación de prototipos de dispositivos y la exploración de tecnologías avanzadas de semiconductores.
Exhibición de producción
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Tipo 4H-N / Obleas/lingotes de SiC de alta pureza
Obleas/lingotes de SiC tipo N 4H de 2 pulgadas
Oblea de SiC tipo N 4H de 3 pulgadas Obleas/lingotes de SiC tipo N 4H de 4 pulgadas Obleas/lingotes de SiC tipo N 4H de 6 pulgadas |
Oblea de SiC semiaislante / de alta pureza 4H Oblea de SiC semiaislante 4H de 2 pulgadas
Oblea de SiC semiaislante 4H de 3 pulgadas Oblea de SiC semiaislante 4H de 4 pulgadas Oblea de SiC semiaislante 4H de 6 pulgadas |
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Oblea de SiC tipo 6H N
Oblea/lingote de SiC tipo N 6H de 2 pulgadas |
Tamaño personalizado para 2-6 pulgadas
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Aplicaciones de SiC
Áreas de aplicación
- 1 dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia Diodos Schottky, JFET, BJT, PiN,
- diodos, IGBT, MOSFET
- 2 dispositivos optoelectrónicos: utilizados principalmente en LED de material de sustrato LED azul GaN/SiC (GaN/SiC)
>Embalaje – Logística
Nos preocupamos de cada detalle del paquete, limpieza, tratamiento antiestático y de choque.
Según la cantidad y forma del producto, ¡tomaremos un proceso de embalaje diferente! Casi mediante casetes de oblea individuales o casetes de 25 piezas en una sala de limpieza de grado 100.