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350um espesor 4h-N 4H-SEMI SIC Wafer de carburo de silicio para epitaxial
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Número de modelo: | sic obleas 4inch |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 3PCS |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
| Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
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Información detallada |
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| El material: | 4h-N cristalino sic solo | Grado: | Grado de producción |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 1.5 mm | Suraface: | DSP |
| Aplicación: | el epitaxial | Diámetro: | 4inch |
| El color: | El verde | MPD: | < 1cm-2 |
| Resaltar: | oblea de 4h-N SIC,4 H-N Silicon Carbide Wafer,oblea del carburo de silicio de 1.5m m |
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Descripción de producto
Tamaño personalizado2 pulgadas / 3 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N lingotes SIC / alta pureza 4H-N 4 pulgadas 6 pulgadas de diámetro 150 mm carburo de silicio único
Wafer sic 4 pulgadas maniquí de investigación de primer grado 4H-N/SEMI tamaño estándar
Sobre el carburo de silicio (SiC) Cristal
El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC.El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajesSiC es también uno de los componentes importantes de los LED, es un sustrato popular para el cultivo de dispositivos GaN, y también sirve como un dispersor de calor en los LED de alta potencia.
1Descripción.
| Propiedad | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único |
| Parámetros de la red | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABCB | El ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 4 a 5 × 10 a 6/K | 4 a 5 × 10 a 6/K |
| Indice de refracción @750nm |
no = 2.61 |
no = 2.60 |
| Constante dieléctrica | C ~ 9.66 | C ~ 9.66 |
| Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a ~ 4,2 W/cm·K@298K |
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| Conductividad térmica (semi-aislante) |
a ~ 4,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K |
| - ¿ Qué haces? | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
4H-N 4 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) Especificación del sustrato
| 2 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato | ||||||||||
| Grado | Grado de MPD cero | Grado de producción | Grado de investigación | Grado de imitación | ||||||
| Diámetro | 100. mm±0,5 mm | |||||||||
| El grosor | 350 μm±25 μm o 500±25 μm u otro grosor personalizado | |||||||||
| Orientación de la oblea | Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120> ± 0,5° para 4H-N/4H-SI En el eje: < 0001> ± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidad de los microtubos | ≤ 0 cm2 | ≤ 1 cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm2 | ||||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015 ~ 0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02 ~ 0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Piso primario | {10-10} ± 5,0° | |||||||||
| Duración plana primaria | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| Duración plana secundaria | 10.0 mm±2.0 mm | |||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0° | |||||||||
| Exclusión de los bordes | 1 mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||||||||
| La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Las grietas causadas por la luz de alta intensidad | No hay | 1 permitido, ≤ 2 mm | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||||||
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 3% | |||||||
| Áreas de politipo por luz de alta intensidad | No hay | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |||||||
| Rasguños por luz de alta intensidad | 3 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | |||||||
| el chip de borde | No hay | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||||||
Exposición de producción
CATALOGO DE tamaño comúnEn nuestra lista de inventario
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Tipo 4H-N / obleas de SiC de alta pureza / lingotes
Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas y 4H
Wafer SiC de tipo N de 3 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 4 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 6 pulgadas 4H/lingotes |
4H Semi-aislante / de alta purezaWafer de SiC 2 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante
Wafer de SiC de 3 pulgadas 4H semisoladora 4 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante Wafer de SiC de 6 pulgadas 4H semi-aislante |
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Wafer SiC de tipo N de 6H
Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas 6H/lingota |
Tamaño personalizado para 2-6 pulgadas
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Aplicaciones de SiC
Áreas de aplicación
- 1 dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia diodos Schottky, JFET, BJT, PiN,
- Diodos, IGBT y MOSFET
- 2 dispositivos optoelectrónicos: utilizados principalmente en el material de sustrato de GaN/SiC azul LED (GaN/SiC)
>Embalaje
Nos preocupamos por cada detalle del paquete, limpieza, antistático, tratamiento de choque.
De acuerdo a la cantidad y forma del producto, vamos a tomar un proceso de embalaje diferente!
Preguntas frecuentes
¿Usted es una fábrica?
R1. Sí, somos un fabricante profesional de componentes ópticos, tenemos más de 8 años de experiencia en wafers y proceso de lentes ópticos.
¿Cuál es el MOQ de sus productos?
No hay MOQ para el cliente si nuestro producto está en stock, o 1-10pcs.
P3: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R3.Sí, podemos personalizar el material, las especificaciones y el recubrimiento óptico para sus componentes ópticos según sus requisitos.
¿Cómo puedo obtener una muestra de usted?
A4.Simplemente envíenos sus requisitos, luego enviaremos muestras en consecuencia.
¿Cuántos días estarán terminadas las muestras? ¿Qué pasa con los productos en masa?
A. En general, necesitamos 1 ~ 2 semanas para terminar la producción de muestras. En cuanto a los productos en masa, depende de su cantidad de pedido.
¿Cuál es el tiempo de entrega?
A6. (1) Para el inventario: el plazo de entrega es de 1 a 3 días hábiles. (2) Para los productos personalizados: el plazo de entrega es de 7 a 25 días hábiles.
Según la cantidad.
Según la cantidad.
¿Cómo se controla la calidad?
A7. más de cuatro veces inspeccionar la calidad durante el proceso de producción, podemos proporcionar el informe de prueba de calidad.
¿Qué tal su capacidad de producción de lentes ópticas por mes?
A8. Aproximadamente 1.000pcs/Mese.Según los requisitos de detalle.
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