 |
6N oblea primera de SIC del grado HPSI del maniquí sin impurificar superficial de la pureza DSP
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMKJ |
| Número de modelo: | 4 pulgadas - obleas de la pureza elevada sic |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 2pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
| Tiempo de entrega: | 1-4weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
|
Información detallada |
|||
| El material: | 4h-N cristalino sic solo | Grado: | Grado de producción |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 2 mm o 0,5 mm | Suraface: | DSP |
| Aplicación: | el epitaxial | Diámetro: | 4inch |
| El color: | Sin color | MPD: | < 1cm-2 |
| Resaltar: | oblea de silicio del carborundo,oblea de silicio simulada del grado,Oblea de silicio monocristalina de DSP |
||
Descripción de producto
Tamaño personalizado2 pulgadas / 3 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N lingotes SIC / alta pureza 4H-N 4 pulgadas 6 pulgadas de diámetro 150 mm carburo de silicio único
No dopado 4" 6" 6 pulgadas 4h semicicic wafer 4 pulgadas de producción maniquí de grado
Sobre el carburo de silicio (SiC) Cristal
El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC.El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajesSiC es también uno de los componentes importantes de los LED, es un sustrato popular para el cultivo de dispositivos GaN, y también sirve como un dispersor de calor en los LED de alta potencia.
| Propiedad | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único |
| Parámetros de la red | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABCB | El ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 4 a 5 × 10 a 6/K | 4 a 5 × 10 a 6/K |
| Indice de refracción @750nm |
no = 2.61 |
no = 2.60 |
| Constante dieléctrica | C ~ 9.66 | C ~ 9.66 |
| Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a ~ 4,2 W/cm·K@298K |
|
| Conductividad térmica (semi-aislante) |
a ~ 4,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K |
| - ¿ Qué haces? | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
4H-N 4 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) Especificación del sustrato
| 2 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato | ||||||||||
| Grado | Grado de MPD cero | Grado de producción | Grado de investigación | Grado de imitación | ||||||
| Diámetro | 100. mm ± 0,38 mm 150 ± 0,5 mm | |||||||||
| El grosor | 500 ± 25 mm o otro grosor personalizado | |||||||||
| Orientación de la oblea | Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120> ± 0,5° para 4H-N/4H-SI En el eje: < 0001> ± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidad de los microtubos | ≤ 0,4 cm-2 | ≤ 1 cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm2 | ||||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015 ~ 0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02 ~ 0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
| Piso primario | {10-10} ± 5,0° | |||||||||
| Duración plana primaria | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| Duración plana secundaria | 10.0 mm±2.0 mm | |||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0° | |||||||||
| Exclusión de los bordes | 1 mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||||||||
| La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Las grietas causadas por la luz de alta intensidad | No hay | 1 permitido, ≤ 2 mm | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||||||
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 3% | |||||||
| Áreas de politipo por luz de alta intensidad | No hay | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |||||||
| Rasguños por luz de alta intensidad | 3 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | |||||||
| el chip de borde | No hay | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||||||
Exposición de producción
|
Tipo 4H-N / obleas de SiC de alta pureza / lingotes
Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas y 4H
Wafer SiC de tipo N de 3 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 4 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 6 pulgadas 4H/lingotes |
4H Semi-aislante / de alta purezaWafer de SiC 2 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante
Wafer de SiC de 3 pulgadas 4H semisoladora 4 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante Wafer de SiC de 6 pulgadas 4H semi-aislante |
|
Wafer SiC de tipo N de 6H
Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas 6H/lingota |
Tamaño personalizado para 2-6 pulgadas
|
Aplicaciones de SiC
Áreas de aplicación
- 1 dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia diodos Schottky, JFET, BJT, PiN,
- Diodos, IGBT y MOSFET
- 2 dispositivos optoelectrónicos: utilizados principalmente en el material de sustrato de GaN/SiC azul LED (GaN/SiC)
1.Dispositivos electrónicos de alta potencia
Debido a su conductividad térmica superior, alto voltaje de ruptura y amplio intervalo de banda, las obleas HPSI SiC sin doping de pureza 6N son ideales para dispositivos electrónicos de alta potencia.Estas obleas se pueden utilizar en la electrónica de potencia como diodos, MOSFET y IGBT para aplicaciones como vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y gestión de la red eléctrica, lo que permite una conversión eficiente de energía y reduce las pérdidas de energía.
2.Dispositivos de radiofrecuencia (RF) y microondas
Las obleas HPSI SiC son esenciales para los dispositivos de RF y microondas, particularmente para su uso en telecomunicaciones, radar y sistemas de comunicación por satélite.Su naturaleza semi-isolante ayuda a reducir las capacitancias parasitarias y mejorar el rendimiento de alta frecuencia, lo que los hace adecuados para amplificadores de RF, interruptores y osciladores en comunicaciones inalámbricas y tecnologías de defensa.
3.Dispositivos optoelectrónicos
Las obleas de SiC se utilizan cada vez más en aplicaciones optoelectrónicas, incluidos detectores UV, LED y láseres.Las obleas sin dopado de pureza 6N proporcionan características materiales superiores que mejoran el rendimiento de estos dispositivosLas aplicaciones incluyen diagnósticos médicos, equipos militares y detección industrial.
4.Semiconductores de banda ancha para ambientes adversos
Las obleas de SiC son conocidas por su capacidad para funcionar en temperaturas extremas y ambientes de alta radiación.y las industrias de defensa, donde los dispositivos deben funcionar en condiciones adversas, como en naves espaciales, motores de alta temperatura o reactores nucleares.
5.Investigación y desarrollo
Como una oblea ficticia de primer grado, este tipo de oblea de SiC se utiliza en entornos de I + D para fines de prueba y calibración.Su alta pureza y superficie pulida lo hacen ideal para validar procesos en la fabricación de semiconductoresSe utiliza con frecuencia en laboratorios de investigación académicos e industriales para estudios en ciencia de materiales,Física de los dispositivos, y ingeniería de semiconductores.
6.Dispositivos de conmutación de alta frecuencia
Las obleas de SiC se utilizan comúnmente en dispositivos de conmutación de alta frecuencia para aplicaciones en sistemas de gestión de energía.Sus propiedades de banda ancha y semi-aislamiento los hacen altamente eficientes para manejar velocidades de conmutación rápidas con pérdidas de energía reducidas, que son críticos en sistemas como inversores, convertidores y fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS).
7.Embalaje a nivel de obleas y MEMS
La superficie DSP de la oblea SiC permite una integración precisa en el embalaje a nivel de oblea y en los sistemas microelectromecánicos (MEMS).Estas aplicaciones requieren superficies extremadamente lisas para el patrón y el grabado de alta resoluciónLos dispositivos MEMS se utilizan comúnmente en sensores, actuadores y otros sistemas miniaturizados para automóviles, médicos,y aplicaciones de electrónica de consumo.
8.Computación cuántica y electrónica avanzada
En aplicaciones de vanguardia como la computación cuántica y los dispositivos semiconductores de próxima generación, la oblea HPSI SiC sin dopaje sirve como una plataforma estable y altamente pura para construir dispositivos cuánticos.Las propiedades de alta pureza y semi-aislamiento lo convierten en un material ideal para alojar qubits y otros componentes cuánticos.
En conclusión, la superficie DSP de pureza 6N, una obletera SiC sin doping HPSI Dummy Prime Grade es un material esencial para una amplia gama de aplicaciones, incluyendo electrónica de alta potencia, dispositivos de RF,OptoelectrónicaSu alta pureza, propiedades semi-aislantes,Las superficies pulidas permiten un rendimiento superior en entornos difíciles y contribuyen a los avances tanto en la investigación industrial como académica..
>Embalaje
Nos preocupamos por cada detalle del paquete, limpieza, antistático, tratamiento de choque.
De acuerdo a la cantidad y forma del producto, vamos a tomar un proceso de embalaje diferente!
Según la cantidad.