Nombre De La Marca:	ZMKJ
Número De Modelo:	UTI-AlN-150
MOQ:	3pcs
Precio:	by case
Detalles Del Embalaje:	solo envase de la oblea en sitio de limpieza
Condiciones De Pago:	T/T, Western Union, Paypal

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

substrato:

oblea de silicio

capa:

Plantilla de AlN

grueso de la capa:

200-1000nm

tipo de la conductividad:

N/P

Orientación:

0001

uso:

poder más elevado/dispositivos electrónicos de alta frecuencia

uso 2:

dispositivos de 5G saw/BAW

grueso del silicio:

525um/625um/725um

Capacidad de la fuente:

50PCS/Month

Resaltar:

Substrato del semiconductor de AlN

substrato del aln del diámetro de 30m m

el aln de 30m m escoge cristalino

Descripción de producto

diámetro 150m m 8inch 4inch 6inch Silicio-basó la película de las plantillas 500nm AlN de AlN en el substrato de silicio

Usos de Plantilla de AlN

la tecnología de semiconductor Silicio-basada ha alcanzado sus límites y no podía satisfacer los requisitos del futuro

dispositivos electrónicos. Como clase típica de material del semiconductor 3rd/4th-generation, el nitruro de aluminio (AlN) tiene

las propiedades físicas y químicas superiores tales como bandgap ancho, alta conductividad termal, alta avería archivaron,

la alta resistencia electrónica de la movilidad y de la corrosión/de radiación, y es un substrato perfecto para los dispositivos optoelectrónicos,

los dispositivos electrónicos de los dispositivos de la radiofrecuencia (RF), de alta potencia/de alta frecuencia, etc… particularmente, substrato de AlN son

el mejor candidato a UV-LED, a los detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, radioinstrumentos de alta potencia/de alta frecuencia de 5G y 5G SAW/BAW

dispositivos, que se podrían utilizar extensamente en la protección del medio ambiente, electrónica, comunicaciones inalámbricas, impresión,

¿campos de la biología, de la atención sanitaria, militares y otro, tales como purificación/esterilización ULTRAVIOLETA, curado ULTRAVIOLETA, photocatalysis, coun?

detección del terfeit, almacenamiento de alta densidad, comunicación phototherapy, de la droga médica del descubrimiento, inalámbrica y segura,

detección aeroespacial/del profundo-espacio y otros campos.

hemos desarrollado los seriales de procesos y de tecnologías propietarios para fabricar

plantillas de alta calidad de AlN. Actualmente, nuestro OEM es la única compañía por todo el mundo quién puede producir 2-6 la pulgada AlN

plantillas en capacidad en grande de la producción industrial con la capacidad de 300.000 pedazos en 2020 de encontrar explosivo

demanda de mercado de la comunicación inalámbrica UVC-LED, 5G, de los detectores ULTRAVIOLETA y de los sensores etc

Proveemos actualmente de clientes nitrógeno de alta calidad estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8m m
De aluminio escoja los productos cristalinos del substrato, y puede también proveer de clientes 10-20m m no polar
substrato cristalino del nitruro de aluminio del M-avión solo, o modificar 5mm-50.8m m para requisitos particulares no estándar a los clientes
Solo substrato cristalino pulido del nitruro de aluminio. Este producto es ampliamente utilizado como material de gama alta del substrato
Utilizado en microprocesadores de UVC-LED, detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, y diverso poder más elevado
temperatura de /High/campo de alta frecuencia del dispositivo electrónico.

Especificación

Especificación característica

Modelo Cristal de UTI-AlN-030B-single
Diámetro Dia30±0.5mm;
Grueso del substrato (µm) 400 ± 50
Orientación C-AXIS [0001] +/- 0.5°

Grado de calidad S-grado (estupendo) P-grado (producción) R-grado (investigación)

Grietas Ninguno Ninguno <3mm>

FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
Aspereza superficial [los 5×5µm] (nanómetro) Al-cara <0>
Área usable el 90%
Absorción<50>

1r de la orientación de la longitud {10-10} ±5°;
TTV (µm) ≤30
Arco (µm) ≤30
Deformación (µm) -30~30
Nota: Estos resultados de la caracterización pueden variar levemente dependiendo de los equipos y/o del software empleados

diámetro AlN solo Crystal Semiconductor Substrate de 30m m 1

diámetro AlN solo Crystal Semiconductor Substrate de 30m m 2

diámetro AlN solo Crystal Semiconductor Substrate de 30m m 3

diámetro AlN solo Crystal Semiconductor Substrate de 30m m 4

elemento de la impureza FE del Na W.P.S Ti de C O Si B

PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>

Estructura cristalina	Wurzita
Constante del enrejado (Å)	a=3.112, c=4.982
Tipo de la banda de conducción	Bandgap directo
Densidad (g/cm3)	3,23
Microdureza superficial (prueba de Knoop)	800
Punto de fusión (℃)	2750 (barra 10-100 en N2)
Conductividad termal (W/m·K)	320
Energía del hueco de banda (eV)	6,28
Movilidad de electrón (V·s/cm2)	1100
Campo eléctrico de la avería (MV/cm)	11,7

Etiquetas:

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