Nombre De La Marca:	ZMKJ
Número De Modelo:	Solo cristal UTI-AlN-10x10
MOQ:	1PCS
Precio:	by case
Detalles Del Embalaje:	solo envase de la oblea en sitio de limpieza
Condiciones De Pago:	T/T, Western Union, Paypal

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

material:

Cristal de AlN

grueso:

400um

Orientación:

0001

uso:

poder más elevado/dispositivos electrónicos de alta frecuencia

uso 2:

dispositivos de 5G saw/BAW

Ra:

0.5nm

superficie pulida:

CMP de la cara del Al, P.M. de la N-cara

tipo cristalino:

Capacidad de la fuente:

10PCS/Month

Resaltar:

substrato del aln del diámetro 10m m

5G vio el substrato del semiconductor

solo substrato cristalino del aln

Descripción de producto

10x10m m o diámetro 10m m dia25.4mm dia30mm, dia45mm, obleas cristalinas de AlN del substrato de dia50.8mm AlN solas

Usos de Plantilla de AlN

la tecnología de semiconductor Silicio-basada ha alcanzado sus límites y no podía satisfacer los requisitos del futuro

dispositivos electrónicos. Como clase típica de material del semiconductor 3rd/4th-generation, el nitruro de aluminio (AlN) tiene

las propiedades físicas y químicas superiores tales como bandgap ancho, alta conductividad termal, alta avería archivaron,

la alta resistencia electrónica de la movilidad y de la corrosión/de radiación, y es un substrato perfecto para los dispositivos optoelectrónicos,

los dispositivos electrónicos de los dispositivos de la radiofrecuencia (RF), de alta potencia/de alta frecuencia, etc… particularmente, substrato de AlN son

el mejor candidato a UV-LED, a los detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, radioinstrumentos de alta potencia/de alta frecuencia de 5G y 5G SAW/BAW

dispositivos, que se podrían utilizar extensamente en la protección del medio ambiente, electrónica, comunicaciones inalámbricas, impresión,

¿campos de la biología, de la atención sanitaria, militares y otro, tales como purificación/esterilización ULTRAVIOLETA, curado ULTRAVIOLETA, photocatalysis, coun?

detección del terfeit, almacenamiento de alta densidad, comunicación phototherapy, de la droga médica del descubrimiento, inalámbrica y segura,

detección aeroespacial/del profundo-espacio y otros campos.

hemos desarrollado los seriales de procesos y de tecnologías propietarios para fabricar

plantillas de alta calidad de AlN. Actualmente, nuestro OEM es la única compañía por todo el mundo quién puede producir 2-6 la pulgada AlN

plantillas en capacidad en grande de la producción industrial con la capacidad de 300.000 pedazos en 2020 de encontrar explosivo

demanda de mercado de la comunicación inalámbrica UVC-LED, 5G, de los detectores ULTRAVIOLETA y de los sensores etc

Proveemos actualmente de clientes nitrógeno de alta calidad estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8m m
De aluminio escoja los productos cristalinos del substrato, y puede también proveer de clientes 10-20m m no polar
substrato cristalino del nitruro de aluminio del M-avión solo, o modificar 5mm-50.8m m para requisitos particulares no estándar a los clientes
Solo substrato cristalino pulido del nitruro de aluminio. Este producto es ampliamente utilizado como material de gama alta del substrato
Utilizado en microprocesadores de UVC-LED, detectores ULTRAVIOLETA, lasers ULTRAVIOLETA, y diverso poder más elevado
temperatura de /High/campo de alta frecuencia del dispositivo electrónico.

Especificación característica

Modelo Cristal de UTI-AlN-10x10B-single
Diámetro 10x10±0.5m m;
Grueso del substrato (µm) 400 ± 50
Orientación C-AXIS [0001] +/- 0.5°

Grado de calidad S-grado (estupendo) P-grado (producción) R-grado (investigación)

Grietas Ninguno Ninguno <3mm>

FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
Aspereza superficial [los 5×5µm] (nanómetro) CMP de la Al-cara<0>

Área usable el 90%
Absorción<50>

1r de la orientación de la longitud {10-10} ±5°;
TTV (µm) ≤30
Arco (µm) ≤30
Deformación (µm) -30~30
Nota: Estos resultados de la caracterización pueden variar levemente dependiendo de los equipos y/o del software empleados

5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m 1

5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m 2

5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m 3

5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m 4

elemento de la impureza FE del Na W.P.S Ti de C O Si B

PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>

Estructura cristalina	Wurzita
Constante del enrejado (Å)	a=3.112, c=4.982
Tipo de la banda de conducción	Bandgap directo
Densidad (g/cm3)	3,23
Microdureza superficial (prueba de Knoop)	800
Punto de fusión (℃)	2750 (barra 10-100 en N2)
Conductividad termal (W/m·K)	320
Energía del hueco de banda (eV)	6,28
Movilidad de electrón (V·s/cm2)	1100
Campo eléctrico de la avería (MV/cm)	11,7

Etiquetas:

substrato del zafiro

Zafiro Windows óptico

Oblea del carburo de silicio

Sapphire Tube

Oblea del nitruro del galio

Substrato del semiconductor

Gem Stone sintético

Partes de cerámica

equipo de laboratorio científico

Caja de reloj del cristal de zafiro

Caja del portador de la oblea

Substrato monocristalino fino superconductor

substrato del zafiro

Zafiro Windows óptico

Oblea del carburo de silicio

Sapphire Tube

Oblea del nitruro del galio

Substrato del semiconductor

Gem Stone sintético

Partes de cerámica

equipo de laboratorio científico

Caja de reloj del cristal de zafiro

Caja del portador de la oblea

Substrato monocristalino fino superconductor

Detalles de los productos

5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m

substrato del zafiro

Zafiro Windows óptico

Oblea del carburo de silicio

Sapphire Tube

Oblea del nitruro del galio

Substrato del semiconductor

Gem Stone sintético

Partes de cerámica

equipo de laboratorio científico

Caja de reloj del cristal de zafiro

Caja del portador de la oblea

Substrato monocristalino fino superconductor

substrato del zafiro

Zafiro Windows óptico

Oblea del carburo de silicio

Sapphire Tube

Oblea del nitruro del galio

Substrato del semiconductor

Gem Stone sintético

Partes de cerámica

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Caja de reloj del cristal de zafiro

Caja del portador de la oblea

Substrato monocristalino fino superconductor

5G vio el substrato del semiconductor de AlN del solo cristal del diámetro 10m m

substrato del aln del diámetro 10m m

5G vio el substrato del semiconductor

solo substrato cristalino del aln