Nombre De La Marca:	ZMKJ
Número De Modelo:	AlN-zafiro 2inch
MOQ:	5pcs
Precio:	by case
Detalles Del Embalaje:	solo envase de la oblea en sitio de limpieza
Condiciones De Pago:	T/T, Western Union, Paypal

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

substrato:

oblea del zafiro

capa:

Plantilla de AlN

grueso de la capa:

1-5um

tipo de la conductividad:

N/P

Orientación:

0001

uso:

poder más elevado/dispositivos electrónicos de alta frecuencia

uso 2:

dispositivos de 5G saw/BAW

grueso del silicio:

525um/625um/725um

Capacidad de la fuente:

50PCS/Month

Resaltar:

plantilla de AlN de 2 pulgadas

plantilla de AlN de los dispositivos de 5G BAW

substrato del zafiro de 2 pulgadas

Descripción de producto

el zafiro de 2inch 4iinch 6Inch basó la película de AlN de las plantillas de AlN en el substrato del zafiro

2inch en la oblea de la capa de la plantilla de AlN del substrato del zafiro para los dispositivos de 5G BAW

Usos de Plantilla de AlN

Nuestro OEM ha desarrollado los seriales de tecnologías propietarias y los reactores y las instalaciones del crecimiento de -estado-de- art PVT a

fabrique diversos tamaños de las obleas monocristalinas de alta calidad de AlN, temlpates de AlN. Somos uno del pocos mundo-principales

¿compañías de alta tecnología que propio capa lleno de la fabricación de AlN? bilities para producir los boules y las obleas de alta calidad de AlN, y a proporcionar

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Especificación

Especificación Oblea de la capa de la plantilla de Sapphire Substrate AlN de 2 pulgadas para los dispositivos de 5G BAW 0

aracteristic del Ch

La otra especificación del relaterd 4INCH GaN Template

	Substratos del ₃ del ₂ O del Al de GaN/(4") 4inch
Artículo	Sin impurificar	N-tipo	Alto-dopado N-tipo
Tamaño (milímetros)	Φ100.0±0.5 (4")
Estructura del substrato	GaN en el zafiro (0001)
SurfaceFinished	(Estándar: Opción del SSP: DSP)
Grueso (μm)	4.5±0.5; 20±2; Modificado para requisitos particulares
Tipo de la conducción	Sin impurificar	N-tipo	N-tipo Alto-dopado
Resistencia (Ω·cm) (300K)	≤0.5	≤0.05	≤0.01
GaN Thickness Uniformity	el ≤±10% (4")
Densidad de dislocación (cm2s)	≤5×108
Superficie usable	el >90%
Paquete	Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100.

Oblea de la capa de la plantilla de Sapphire Substrate AlN de 2 pulgadas para los dispositivos de 5G BAW 1

Estructura cristalina	Wurzita
Constante del enrejado (Å)	a=3.112, c=4.982
Tipo de la banda de conducción	Bandgap directo
Densidad (g/cm3)	3,23
Microdureza superficial (prueba de Knoop)	800
Punto de fusión (℃)	2750 (barra 10-100 en N2)
Conductividad termal (W/m·K)	320
Energía del hueco de banda (eV)	6,28
Movilidad de electrón (V·s/cm2)	1100
Campo eléctrico de la avería (MV/cm)	11,7

Oblea de la capa de la plantilla de Sapphire Substrate AlN de 2 pulgadas para los dispositivos de 5G BAW 3

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