substrato de H-N Type Sic de la oblea 4 de 6inch dia150mm SIC para el dispositivo del MOS
Datos del producto:
Lugar de origen: | CHINA |
Nombre de la marca: | ZMKJ |
Número de modelo: | obleas de 6inch 4h-n sic |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 5pcs |
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Precio: | by case |
Detalles de empaquetado: | solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados |
Tiempo de entrega: | 1-6weeks |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1-50pcs/month |
Información detallada |
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Material: | 4h-N cristalino sic solo | Grado: | Grado de la producción |
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Thicnkss: | 0.4m m | Suraface: | traslapó |
Uso: | para la prueba polaca | Diámetro: | 6inch |
Color: | Verde | MPD: | <2cm-2> |
Alta luz: | 4 obleas epitaxiales de H-N Type,Obleas epitaxiales de 6 pulgadas,Oblea del epi de 4 H-N Type |
Descripción de producto
grueso de la oblea 1m m de la semilla de 4h-n 4inch 6inch dia100mm sic para el crecimiento del lingote
De Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC de los lingotes/de los substratos wafersS/Customzied del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic) del como-corte obleas del grado 4H-N 1.5m m SIC del wafersProduction 4inch sic para el cristal de semilla
capa sic epitaxial de GaN de las obleas del grado de la producción de H-N Type de la oblea 4 de 6inch SIC encendido sic
Sobre cristal del carburo de silicio (sic)
El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.
Propiedad | 4H-SiC, solo cristal | 6H-SiC, solo cristal |
Parámetros del enrejado | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densidad | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
Therm. Coeficiente de la extensión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Índice @750nm de la refracción |
ningunos = 2,61 |
ningunos = 2,60 |
Constante dieléctrica | c~9.66 | c~9.66 |
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K |
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Conductividad termal (semiaislante) |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
Banda-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
Campo eléctrico de la avería | los 3-5×106V/cm | los 3-5×106V/cm |
Velocidad de deriva de la saturación | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Sic usos
Áreas de aplicación
- 1 diodos de Schottky de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN,
- diodos, IGBT, MOSFET
- 2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED
Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de 4H-N 4inch (sic)
6inch N-tipo sic especificaciones de los substratos | ||||
Propiedad | Grado P-MOS | Grado de P-SBD | Grado de D | |
Crystal Specifications | ||||
Crystal Form | 4H | |||
Área de Polytype | Ningunos permitieron | El Area≤5% | ||
(MPD) a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 | |
Placas del hex. | Ningunos permitieron | El Area≤5% | ||
Polycrystal hexagonal | Ningunos permitieron | |||
Inclusiones a | El Area≤0.05% | El Area≤0.05% | N/A | |
Resistencia | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm | |
(EPD) a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N/A | |
(TED) a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N/A | |
(BPD) a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N/A | |
(TSD) a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N/A | |
(Falta de amontonamiento) | Área del ≤0.5% | Área del ≤1% | N/A | |
Contaminación de metal superficial | (Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) cm2s ≤1E11 | |||
Especificaciones mecánicas | ||||
Diámetro | 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm | |||
Orientación superficial | De fuera del eje: 4°toward <11-20>±0.5° | |||
Longitud plana primaria | 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros | |||
Longitud plana secundaria | Ningún plano secundario | |||
Orientación plana primaria | <11-20>±1° | |||
Orientación plana secundaria | N/A | |||
Misorientation ortogonal | ±5.0° | |||
Final superficial | C-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP | |||
Borde de la oblea | El biselar | |||
Aspereza superficial (el 10μm×10μm) |
Cara Ra≤0.20 nanómetro del Si; Cara Ra≤0.50 nanómetro de C | |||
Grueso a | μm 350.0μm± 25,0 | |||
LTV (10mm×10m m) a | ≤2μm | ≤3μm | ||
(TTV) a | ≤6μm | ≤10μm | ||
(ARCO) a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | |
(Deformación) a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm | |
Especificaciones superficiales | ||||
Microprocesadores/mellas | Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.5mm | Anchura y profundidad de Qty.2 ≤1.0 milímetro | ||
Rasguños a (Cara del Si, CS8520) |
≤5 y diámetro acumulativo de Length≤0.5×Wafer | ≤5 y diámetro acumulativo de la oblea de Length≤1.5× | ||
TUA (2mm*2m m) | el ≥98% | el ≥95% | N/A | |
Grietas | Ningunos permitieron | |||
Contaminación | Ningunos permitieron | |||
Exclusión del borde | 3m m | |||
4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H |
oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic |
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H |
Tamaño de Customzied para 2-6inch
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>Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.
¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o casete 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados.