tipo pedazo cuadrado SEM del microscopio electrónico de exploración de 10x10m m P de la oblea de silicio

Descripción de producto

2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 5 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 12 pulgadas, FZ CZ, tipo N, oblea de silicio pulido, obleas DSP SiO2, oblea de óxido de silicio

Microscopio electrónico de barrido de 1 pulgada, 2 pulgadas, 10x10mm, oblea de silicio, pieza cuadrada pequeña SEM

Oblea de silicio pulido Obleas Czochralski de alta pureza (11N) de 1 a 12 pulgadas con pulido simple y doble
Tamaños 1" 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12" y obleas de tamaño y especificación especiales
Superficie Disco de pulido simple, disco de pulido doble, disco abrasivo, disco de corrosión, disco de corte
Orientación de cristal <100> <111> <110> <211> <511> y obleas de silicio con varios ángulos fuera de lugar
Espesor 100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mm y otros espesores, tolerancia de espesor +-10um,

TTV< 10um o según los requisitos del cliente, rugosidad <0,2 nm
Tipo de conductividad Tipo N, tipo P, desdopado (resistencia intrínsecamente alta)
Método de monocristal Czochralski (CZ), zona de fusión (FZ), NTD (foto central)
El dopaje de resistividad puede alcanzar <0.001 ohm.cm, el dopaje bajo convencional 1~10 ohm.com, el convencional medio-ligero 500~800 ohm.cm,

zona de fusión intrínseca: > 1000 ohm.cm, >3000 ohm.cm, >5000 ohm.cm, >8000 ohm.cm, >10000 ohm.cm
Parámetros del proceso Planitud TIR: ≤3 μm, Alabeo TTV: ≤10 μm,
Arco/Alabeo≤40μm, rugosidad≤0.5nm, tamaño de partícula <≤10ea@ > 0.3μ)
Método de envasado Envasado al vacío con papel de aluminio ultralimpio 10 piezas, 25 piezas
Personalización del procesamiento El tiempo de procesamiento del modelo, la orientación del cristal, el grosor, la resistividad, etc. es ligeramente diferente según las diferentes especificaciones y parámetros.
Introducción a la aplicación Se utiliza para portadores de muestras de radiación de sincrotrón, como procesos, recubrimientos PVD/CVD como sustratos, muestras de crecimiento por pulverización catódica de magnetrón, XRD, SEM,
Fuerza atómica, espectroscopia infrarroja, espectroscopia de fluorescencia y otros sustratos de prueba de análisis, sustratos de crecimiento de epitaxia de haz molecular, análisis de rayos X de semiconductores cristalinos

ZMSH es una fábrica de resistencia de semiconductores, especial para pruebas de equipos de laboratorio de investigación científica, obleas de óxido de silicio pulido de 2-3-4-5-6-8 pulgadas, obleas de sustrato de investigación científica de microscopio electrónico recubiertas de silicio de cristal único de alta pureza

Consulte al propietario antes de realizar un pedido para conocer las especificaciones específicas y no dude en hacer cualquier pregunta sobre las obleas de silicio.

Todos los laboratorios de investigación científica y las empresas de semiconductores pueden realizar pedidos, se pueden recibir pedidos de OEM y se pueden importar obleas de silicio.

Declaración especial: ¡Todas las obleas de silicio de nuestra empresa se procesan a partir de silicio monocristalino extraído de polisilicio nativo, no de obleas de silicio recicladas baratas ni de obleas de silicio repulidas usadas!La cotización incluye una factura con 16% de IVA.

Nuestra lista de inventario para obleas de silicio (grado IC, método de extracción CZ)
Oblea de silicio pulido de un solo lado de tracción recta
Oblea Czochralski pulida de una cara de 1 pulgada (25,4 mm) de espesor 500 um
Oblea Czochralski pulida de un solo lado de 2 pulgadas (50,8 mm) de espesor 280um
Oblea Czochralski pulida de un solo lado de 3 pulgadas (76,2 mm) de espesor 380um
Oblea de silicio de tracción recta pulida de un solo lado de 4 pulgadas (100 mm) con un grosor de 500 um
Oblea Czochralski pulida de un solo lado de 5 pulgadas (125 mm) de espesor 625um
Oblea Czochralski pulida de un solo lado de 6 pulgadas (150 mm) de espesor 675um

Obleas de silicio pulido de doble cara Czochralski
Oblea Czochralski pulida de doble cara de 1 pulgada (25,4 mm) de espesor 500 um
Oblea Czochralski pulida de doble cara de 2 pulgadas (50,8 mm) de espesor 280um
Oblea Czochralski pulida de doble cara de 3 pulgadas (76,2 mm) de espesor 380um

Oblea Czochralski pulida de doble cara de 4 pulgadas (100 mm) de espesor 500 um
Oblea Czochralski pulida de doble cara de 5 pulgadas (125 mm) de espesor 625um
Oblea Czochralski pulida de doble cara de 6 pulgadas (150 mm) de espesor 675um
Obleas de silicio ultrafinas pulidas de un solo lado de extracción recta

1 pulgada (25,4 mm) de espesor de oblea de silicio de tracción recta ultradelgada pulida de un solo lado 100um
2 pulgadas (50,8 mm) de espesor de oblea de silicio de tracción recta ultradelgada pulida de un solo lado 100um
3 pulgadas (76,2 mm) de espesor de oblea de silicio de tracción recta ultradelgada pulida de un solo lado 100um
Oblea de silicio de tracción directa ultrafina pulida de un solo lado de 4 pulgadas (100 mm) con un grosor de 100 um

Obleas de silicio ultrafinas pulidas de doble cara Czochralski
Oblea Czochralski ultrafina pulida de doble cara de 1 pulgada (25,4 mm) de espesor 100 um
Oblea Czochralski ultrafina pulida de doble cara de 2 pulgadas (50,8 mm) de espesor 100um
Oblea Czochralski ultrafina pulida de doble cara de 3 pulgadas (76,2 mm) de espesor 100um
Oblea Czochralski ultrafina pulida de doble cara de 4 pulgadas (100 mm) de espesor 100 um

Oblea de silicio (grado IC, zona de fusión FZ)
Oblea de silicio pulido de un solo lado de fusión por zonas
Grosor de la oblea de silicio fundido de 1 pulgada (25,4 mm) de 500 um en el área de pulido de un solo lado
Grosor de la oblea de silicio fundido de 2 pulgadas (50,8 mm) 280 um en el área de pulido de un solo lado

Grosor de la oblea de silicio fundido de 3 pulgadas (76,2 mm) de 380 um en el área de pulido de un solo lado
Grosor de oblea de silicio fundido de 4 pulgadas (100 mm) 500 um en el área de pulido de un solo lado

obleas de silicio pulido de doble cara de fusión por zonas
Grosor de la oblea de silicio fundido de 1 pulgada (25,4 mm) 500 um en el área de pulido de doble cara
Oblea de silicio fundido de 2 pulgadas (50,8 mm) de espesor 280 um en el área de pulido de doble cara
Grosor de la oblea de silicio fundido de 3 pulgadas (76,2 mm) 380 um en el área de pulido de doble cara
Grosor de oblea de silicio fundido de 4 pulgadas (100 mm) 500 um en el área de pulido de doble cara

Oblea de silicio ultrafina pulida de un solo lado de fusión por zonas
Zona de pulido de un solo lado de 1 pulgada (25,4 mm) que funde una oblea de silicio ultrafina con un grosor de 100 um
2 pulgadas (50,8 mm) zona de pulido de un solo lado que derrite una oblea de silicio ultrafina con un grosor de 100 um
3 pulgadas (76,2 mm) zona de pulido de un solo lado que derrite una oblea de silicio ultrafina con un grosor de 100 um
Zona de pulido de un solo lado de 4 pulgadas (100 mm) que funde una oblea de silicio ultrafina con un grosor de 100 um

obleas de silicio ultrafinas pulidas de doble cara de fusión por zonas
Área de pulido de doble cara de 1 pulgada (25,4 mm) que derrite un grosor de oblea de silicio ultrafino de 100 um
Área de pulido de doble cara de 2 pulgadas (50,8 mm) que derrite un grosor de oblea de silicio ultrafino de 100 um

Área de pulido de doble cara de 3 pulgadas (76,2 mm) que derrite un grosor de oblea de silicio ultrafino de 100 um
Área de pulido de doble cara de 4 pulgadas (100 mm) que derrite un grosor de oblea de silicio ultrafino de 100 um


Parametros del producto.para obleas si de 8 pulgadas
Tamaño del producto.Oblea de silicio pulido de un solo lado de 8 pulgadas
métodos de producción.Czochralski (CZ)
Diámetro y tolerancia mm.200±0,3 mm
Modelo/Tipo de dopaje.Tipo N (fósforo, arsénico) Tipo P (dopado con boro)
orientación del cristal.<111><100><110>
Resistividad.0,001-50 (ohm-cm) (se pueden personalizar diferentes rangos de resistividad según los requisitos del cliente)
Planitud TIR.<3um;Alabeo TTV.<10um;Arco de flexión.<10um
Rugosidad Ra <0.5nm;Granularidad pewaferr <10@0.3um
Embalaje Paquete de 25 piezas Envasado al vacío de doble capa para sala limpia de 100 niveles
 
Se utiliza para portadores de muestras de radiación de sincrotrón como procesos, recubrimiento PVD/CVD como sustrato, muestras de crecimiento por pulverización catódica de magnetrón, XRD, SEM, fuerza atómica, espectroscopia infrarroja, espectroscopia de fluorescencia y otros sustratos de análisis y prueba, sustratos de crecimiento de epitaxia de haz molecular, rayos X análisis Cristal Semiconductor Litografía

La información de pedido debe incluir:
1. Resistividad
2. Tamaño: 2", 3", 4", 5", se pueden personalizar otros tamaños
3. Espesor
4. Pulido de una cara, pulido de dos caras, sin pulido
5. Grado: grado mecánico, grado de prueba, grado principal (película positiva)
6. Tipo de conductividad: tipo P, tipo N
7. Orientación del cristal
7. Tipo de dopaje: dopado con boro, dopado con fósforo, dopado con arsénico, dopado con galio, dopado con antimonio, sin dopar
8. TTV, ARCO (el valor normal es <10um)