• N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic
  • N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic
  • N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic
  • N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic
  • N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic
N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic

N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZMKJ
Número de modelo: obleas del diámetro 8inch sic

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: envase del casete de la Multi-oblea o de la oblea de Sincle
Tiempo de entrega: 1-3weeks
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1000pcs por mes
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: Oblea del carburo de silicio Grueso: 3m m (el otro grueso aceptable)
Superficie: DSP TTV: <15um
Arco: <20um Deformación: <30um
Paquete: sitio de limpieza de 100 grados por el envasado al vacío Modifique para requisitos particulares: Aceptable
tolerannce del grueso: 350±15um Forma: Forma redonda
Tipo: 4H-N/4H-Si
Alta luz:

Del grado oblea simulada conductora sic

,

oblea del carburo de silicio de 200m m

,

Tipo sic oblea de N

Descripción de producto

La pureza elevada 4 lado doble monocristalino cristalino sic solo conductor de 6 8 de la pulgada semi pulgadas wafer/8 del aislamiento (200m m) pulió sic las obleas de la oblea/de la oblea 2/3/4/6/8-Inch del carburo de silicio sic simuladas/investigación/grado primero

 

Descripción de producto
Nombre de producto
SIC
Polytype
4H
Orientación superficial en-AXIS
0001
Orientación superficial de fuera del eje
0± 0.2°
FWHM
≤45arcsec
Tipo
HPSI
Resistencia
≥1E9ohm·cm
Diámetro
99.5~100m m
Grueso
los 500±25μm
Orientación plana primaria
± 5° [de 1-100]
Longitud plana primaria
32.5± 1.5m m
Posición plana secundaria
El 90° CW del ± plano primario 5°, silicio cara arriba
Longitud plana secundaria
18± 1.5m m
TTV
≤5μm
LTV
≤2μm (5mm*5m m)
Arco
-15μm~15μm
Deformación
≤20μm
Frente (AFM) (Si-cara) Roughn
Ra≤0.2nm (los 5μm*5μm)
Densidad de Micropipe
≤1ea/cm2
Densidad del carbono
≤1ea/cm2
Vacío hexagonal
Ninguno
Impurezas del metal
≤5E12atoms/cm2
Frente
Si
Final superficial
CMP de la Si-cara del CMP
Partículas
size≥0.3μm)
Rasguños
≤Diameter (longitud acumulativa)
Cáscara de naranja/hoyos/manchas/estriaciones/grietas/contaminati encendido
Ninguno
Microprocesadores del borde/mellas/placas de la fractura/del maleficio
Ninguno
Áreas de Polytype
Ninguno
Marca del laser del frente
Ninguno
Final trasero
CMP de la C-cara
Rasguños
≤2*Diameter (longitud acumulativa)
Defectos traseros (microprocesadores/mellas del borde)
Ninguno
Aspereza trasera
Ra≤0.2nm (los 5μm*5μm)
Marca trasera del laser
1m m (del borde superior)
Borde
Chaflán
Empaquetado
El bolso interno se llena de nitrógeno y se limpia con la aspiradora el bolso externo.
Empaquetado
casete de la Multi-oblea, epi-listo.

 

La oblea del carburo de silicio se utiliza principalmente en la producción de diodo de Schottky, de transistor de efecto de campo del semiconductor de óxido de metal, de transistor de efecto de campo de empalme, de transistor de empalme bipolar, de tiristor, de tiristor de la vuelta-apagado y de bipola aislado de la puerta

 

Perfeccione para los usos del microfluidics. Para la microelectrónica o los usos de MEMS, éntrenos en contacto con por favor para espec. detalladas.

 

Mientras que los dispositivos de semiconductor continúan encogiéndose, está llegando a ser cada vez más importante que las obleas tengan alta calidad superficial en su frente y lado trasero. Estas obleas son actualmente las mas comunes de los sistemas microelectromecánicos (MEMS), de la vinculación de la oblea, del silicio en la fabricación del aislador (SOI), y de los usos con requisitos apretados de la llanura. La microelectrónica reconoce la evolución de la industria del semiconductor y está confiada a encontrar las soluciones a largo plazo para todos los requisitos de cliente.

La acción grande del lado doble pulió las obleas en todos los diámetros de la oblea que se extendían a partir 100m m hasta 300m m. Si su especificación no está disponible en nuestro inventario, hemos establecido relaciones a largo plazo con los vendedores numerosos que son capaces de obleas de fabricación de encargo caber cualquier especificación única. El lado doble pulió las obleas está disponible en el silicio, el vidrio y otros materiales de uso general en la industria del semiconductor.
El corte en cuadritos modificado para requisitos particulares y el pulido está también disponibles según sus requisitos.

 

Detalle de los productos:

N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic 0N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic 1

N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic 2N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic 3


Otros productos relacionados
 
N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic 4

FAQ
                                     

Q: ¿Cuál es su requisito mínimo de la orden?
: MOQ: 10 pedazos

Q: ¿Cuánto tiempo tomará para ejecutar mi orden y entrega él?
: confirme el orden 1days después de confirmar el pago y la entrega en 5days si en la acción.

Q: ¿Puede usted dar la garantía de sus productos?
: Prometemos la calidad, si la calidad tiene cualesquiera problemas, nosotros produciremos nuevo le producimos o volvemos dinero.

Q: ¿Cómo pagar?
: T/T, Paypal, unión del oeste, transferencia bancaria.

Q: ¿CÓMO sobre la carga?
: podemos ayudarle a pagar la tarifa si usted no tiene cuenta,
si la orden está sobre 10000usd, podemos entrega por el CIF.
Q: Si usted tiene cualesquiera otras preguntas, no vacile por favor entrarme en contacto con.
: conecte con por Skype/el whatsapp: +86 158 0194 2596 o 2285873532@qq.com
estamos en su ~~ del lado en cualquier momento

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.