N-tipo simulado conductor investigación del grado de la oblea 4H-N de 8Inch 200m m sic
Datos del producto:
Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | ZMKJ |
Número de modelo: | obleas del diámetro 8inch sic |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1pcs |
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Precio: | by case |
Detalles de empaquetado: | envase del casete de la Multi-oblea o de la oblea de Sincle |
Tiempo de entrega: | 1-3weeks |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1000pcs por mes |
Información detallada |
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Material: | Oblea del carburo de silicio | Grueso: | 3m m (el otro grueso aceptable) |
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Superficie: | DSP | TTV: | <15um |
Arco: | <20um | Deformación: | <30um |
Paquete: | sitio de limpieza de 100 grados por el envasado al vacío | Modifique para requisitos particulares: | Aceptable |
tolerannce del grueso: | 350±15um | Forma: | Forma redonda |
Tipo: | 4H-N/4H-Si | ||
Alta luz: | Del grado oblea simulada conductora sic,oblea del carburo de silicio de 200m m,Tipo sic oblea de N |
Descripción de producto
La pureza elevada 4 lado doble monocristalino cristalino sic solo conductor de 6 8 de la pulgada semi pulgadas wafer/8 del aislamiento (200m m) pulió sic las obleas de la oblea/de la oblea 2/3/4/6/8-Inch del carburo de silicio sic simuladas/investigación/grado primero
Nombre de producto
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SIC
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Polytype
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4H
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Orientación superficial en-AXIS
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0001
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Orientación superficial de fuera del eje
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0± 0.2°
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FWHM
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≤45arcsec
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Tipo
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HPSI
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Resistencia
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≥1E9ohm·cm
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Diámetro
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99.5~100m m
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Grueso
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los 500±25μm
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Orientación plana primaria
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± 5° [de 1-100]
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Longitud plana primaria
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32.5± 1.5m m
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Posición plana secundaria
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El 90° CW del ± plano primario 5°, silicio cara arriba
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Longitud plana secundaria
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18± 1.5m m
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TTV
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≤5μm
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LTV
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≤2μm (5mm*5m m)
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Arco
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-15μm~15μm
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Deformación
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≤20μm
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Frente (AFM) (Si-cara) Roughn
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Ra≤0.2nm (los 5μm*5μm)
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Densidad de Micropipe
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≤1ea/cm2
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Densidad del carbono
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≤1ea/cm2
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Vacío hexagonal
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Ninguno
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Impurezas del metal
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≤5E12atoms/cm2
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Frente
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Si
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Final superficial
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CMP de la Si-cara del CMP
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Partículas
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size≥0.3μm)
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Rasguños
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≤Diameter (longitud acumulativa)
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Cáscara de naranja/hoyos/manchas/estriaciones/grietas/contaminati encendido
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Ninguno
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Microprocesadores del borde/mellas/placas de la fractura/del maleficio
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Ninguno
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Áreas de Polytype
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Ninguno
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Marca del laser del frente
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Ninguno
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Final trasero
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CMP de la C-cara
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Rasguños
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≤2*Diameter (longitud acumulativa)
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Defectos traseros (microprocesadores/mellas del borde)
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Ninguno
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Aspereza trasera
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Ra≤0.2nm (los 5μm*5μm)
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Marca trasera del laser
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1m m (del borde superior)
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Borde
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Chaflán
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Empaquetado
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El bolso interno se llena de nitrógeno y se limpia con la aspiradora el bolso externo.
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Empaquetado
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casete de la Multi-oblea, epi-listo.
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La oblea del carburo de silicio se utiliza principalmente en la producción de diodo de Schottky, de transistor de efecto de campo del semiconductor de óxido de metal, de transistor de efecto de campo de empalme, de transistor de empalme bipolar, de tiristor, de tiristor de la vuelta-apagado y de bipola aislado de la puerta
Perfeccione para los usos del microfluidics. Para la microelectrónica o los usos de MEMS, éntrenos en contacto con por favor para espec. detalladas.
Mientras que los dispositivos de semiconductor continúan encogiéndose, está llegando a ser cada vez más importante que las obleas tengan alta calidad superficial en su frente y lado trasero. Estas obleas son actualmente las mas comunes de los sistemas microelectromecánicos (MEMS), de la vinculación de la oblea, del silicio en la fabricación del aislador (SOI), y de los usos con requisitos apretados de la llanura. La microelectrónica reconoce la evolución de la industria del semiconductor y está confiada a encontrar las soluciones a largo plazo para todos los requisitos de cliente.
La acción grande del lado doble pulió las obleas en todos los diámetros de la oblea que se extendían a partir 100m m hasta 300m m. Si su especificación no está disponible en nuestro inventario, hemos establecido relaciones a largo plazo con los vendedores numerosos que son capaces de obleas de fabricación de encargo caber cualquier especificación única. El lado doble pulió las obleas está disponible en el silicio, el vidrio y otros materiales de uso general en la industria del semiconductor.
El corte en cuadritos modificado para requisitos particulares y el pulido está también disponibles según sus requisitos.
Detalle de los productos:
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