Nombre De La Marca:	ZMKJ
Número De Modelo:	substrato de 6inch 150m m sic
MOQ:	2pcs
Precio:	by case
Detalles Del Embalaje:	solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Condiciones De Pago:	T/T, Western Union, MoneyGram

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Certificación:

ROHS

Material:

4H-N cristalino sic solo 4H-Si

Grado:

Dummy de producción y cero MPD

Thicnkss:

0,35 mm y 0,5 mm

Deformación de LTV/TTV/Bow:

≤5 um/≤15 u/$40 um/≤60 um

Uso:

Para el MOS y el semiconductor

Diámetro:

6inch 150m m

Color:

Té verde

MPD:

<2cm-2 para grado de producción Cero MPD

Capacidad de la fuente:

1-500pcs/month

Resaltar:

oblea de 150m m SIC

Substrato de 4 H-N Type sic

Oblea cero del carburo de silicio del grado

Descripción de producto

Tipo Epi-listo de la oblea N del carburo del substrato 4H y 6H de los substratos del carburo de silicio (sic) sic/de silicio de las obleas (150m m, 200m m) (sic)
capa sic epitaxial de GaN de las obleas del grado de la producción de H-N Type de la oblea 4 de 6inch SIC encendido sic

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)

El comercio famoso Co., obleas de Shangai del Ltd 150 milímetros sic ofrece a fabricantes del dispositivo un substrato constante, de alta calidad para desarrollar los dispositivos de poder de alto rendimiento. Nuestros sic substratos se producen de los lingotes cristalinos del más de alta calidad usando las técnicas físicas avanzadas propietarias y la fabricación con ayuda de ordenador (leva) del crecimiento del transporte del vapor (PVT). Las técnicas de fabricación avanzadas de la oblea se utilizan para convertir los lingotes en las obleas para asegurar la calidad constante, confiable que usted necesita.

Características dominantes

Optimizes apuntó funcionamiento y el coste total de la propiedad para los dispositivos de la electrónica de poder de la siguiente generación
Obleas del diámetro grande para las economías de escala mejoradas en la fabricación del semiconductor
Gama de niveles de tolerancia para cubrir necesidades específicas de la fabricación del dispositivo
Alta calidad cristalina
Densidades bajas del defecto

Clasificado para la producción mejorada

Con el 6inch tamaño de la oblea de 150 milímetros sic, ofrecemos a fabricantes la capacidad a las economías de escala mejoradas palancada comparadas con 100 milímetros de fabricación del dispositivo. Nuestro 6inch obleas de 150 milímetros sic ofrecer características mecánicas constantemente excelentes para asegurar compatibilidad con procesos existentes y que se convierten de la fabricación del dispositivo.

N-tipo sic especificaciones de 6inch 200m m de los substratos
Propiedad	Grado P-MOS	Grado de P-SBD	Grado de D
Crystal Specifications
Crystal Form	4H
Área de Polytype	Ningunos permitieron		El Area≤5%
(MPD) a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Placas del hex.	Ningunos permitieron		El Area≤5%
Polycrystal hexagonal	Ningunos permitieron
Inclusiones a	El Area≤0.05%	El Area≤0.05%	N/A
Resistencia	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	N/A
(TED) a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	N/A
(BPD) a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	N/A
(TSD) a	≤600/cm2	≤1000/cm2	N/A
(Falta de amontonamiento)	Área del ≤0.5%	Área del ≤1%	N/A
Contaminación de metal superficial	(Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) cm2s ≤1E11
Especificaciones mecánicas
Diámetro	150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Orientación superficial	De fuera del eje: 4°toward <11-20>±0.5°
Longitud plana primaria	47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Longitud plana secundaria	Ningún plano secundario
Orientación plana primaria	<11-20>±1°
Orientación plana secundaria	N/A
Misorientation ortogonal	±5.0°
Final superficial	C-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP
Borde de la oblea	El biselar
Aspereza superficial (el 10μm×10μm)	Cara Ra≤0.20 nanómetro del Si; Cara Ra≤0.50 nanómetro de C
Grueso a	μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10m m) a	≤2μm		≤3μm
(TTV) a	≤6μm		≤10μm
(ARCO) a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Deformación) a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Especificaciones superficiales
Microprocesadores/mellas	Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.5mm		Anchura y profundidad de Qty.2 ≤1.0 milímetro
Rasguños a (Cara del Si, CS8520)	≤5 y diámetro acumulativo de Length≤0.5×Wafer		≤5 y diámetro acumulativo de la oblea de Length≤1.5×
TUA (2mm*2m m)	el ≥98%	el ≥95%	N/A
Grietas	Ningunos permitieron
Contaminación	Ningunos permitieron
Exclusión del borde	3m m

de 6inch 150m m SIC de la oblea 4 de H-N Type producción simulada del substrato sic y grado cero 0

CATÁLOGO TAMAÑO COMÚN En NUESTRA LISTA del INVENTARIO

4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic 2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H 4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H 6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H	oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic 2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic 6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
6H N-tipo sic oblea 2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H	Tamaño de Customzied para 2-6inch

>Empaquetado – logística

Preocupaciones por cada detalle del paquete, de la limpieza, del antiestáticos, y tratamiento por electrochoque.
¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o los casetes 25pcs en el cuarto de limpieza de 100 grados.

Etiquetas:

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substrato del zafiro

Zafiro Windows óptico

Oblea del carburo de silicio

Sapphire Tube

Oblea del nitruro del galio

Substrato del semiconductor

Gem Stone sintético

Partes de cerámica

equipo de laboratorio científico

Caja de reloj del cristal de zafiro

Caja del portador de la oblea

Substrato monocristalino fino superconductor

substrato del zafiro

Zafiro Windows óptico

Oblea del carburo de silicio

Sapphire Tube

Oblea del nitruro del galio

Substrato del semiconductor

Gem Stone sintético

Partes de cerámica

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Caja de reloj del cristal de zafiro

Caja del portador de la oblea

Substrato monocristalino fino superconductor

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