Nombre De La Marca:	ZMKJ
Número De Modelo:	10x10x0.5mmt
MOQ:	1pcs
Precio:	by case
Detalles Del Embalaje:	solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Condiciones De Pago:	T/T, Western Union, MoneyGram

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Certificación:

ROHS

Material:

Tipo cristalino sic solo 4H-N

Grado:

Grado cero, de la investigación, y de Dunmy

Thicnkss:

0,1 0,2 0,3 0,35 0,43 0,5

Uso:

Nuevos vehículos de la energía, comunicaciones 5G

Diámetro:

2-8inch o 10x10mmt, 5x10mmt:

Color:

Té verde

Capacidad de la fuente:

1-50pcs/month

Resaltar:

oblea del carburo de silicio 4inch

Substrato de la ventana del carburo de silicio

Del cuadrado oblea sic

Descripción de producto

La oblea óptica de SIC de 1/2/3 pulgada de la oblea del carburo de silicio en venta sic platea la oblea plana del carburo de silicio del grueso 4h-N SIC de la oblea 1.0m m de la semilla de las empresas en venta 4inch 6inch de la orientación de la oblea de silicio sic para la oblea pulida 5*5m m de los microprocesadores del substrato del carburo de silicio del crecimiento 6H-N/6H-Semi 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt de la semilla sic

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)

El carburo de silicio (sic), o el carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con la fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas, los altos voltajes, o ambos. Sic está también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.

1. Descripción

Propiedad	4H-SiC, solo cristal	6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado	a=3.076 Å c=10.053 Å	a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia	ABCB	ABCACB
Dureza de Mohs	≈9.2	≈9.2
Densidad	3,21 g/cm3	3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción	ningunos = 2,61 ne = 2,66	ningunos = 2,60 ne = 2,65
Constante dieléctrica	c~9.66	c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)	a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K
Conductividad termal (semiaislante)	a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K	a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K
Banda-Gap	eV 3,23	eV 3,02
Campo eléctrico de la avería	los 3-5×106V/cm	los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación	2.0×105m/s	2.0×105m/s

Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de la pureza elevada 4inch (sic)

especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 2inch (sic)
Grado		Grado cero de MPD	Grado de la producción	Grado de la investigación	Grado simulado

Diámetro		50,8 mm±0.2mm

Grueso		330 μm±25μm o 430±25um

Orientación de la oblea		De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI

Densidad de Micropipe		cm2s ≤0	cm2s ≤5	cm2s ≤15	cm2s ≤100

Resistencia	4H-N	0.015~0.028 Ω•cm

	6H-N	0.02~0.1 Ω•cm

	4/6H-SI	≥1E5 Ω·cm

Plano primario		{10-10} ±5.0°

Longitud plana primaria		18,5 mm±2.0 milímetro

Longitud plana secundaria		10.0mm±2.0 milímetro

Orientación plana secundaria		Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero

Exclusión del borde		1 milímetro

TTV/Bow /Warp		≤10μm/≤10μm/≤15μm

Aspereza		Ra≤1 polaco nanómetro

		CMP Ra≤0.5 nanómetro

Grietas por la luz de intensidad alta		Ninguno		1 permitida, ≤2 milímetro	≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud


Placas del hex. por la luz de intensidad alta		Área acumulativa el ≤1%		Área acumulativa el ≤1%	Área acumulativa el ≤3%

Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta		Ninguno		Área acumulativa el ≤2%	Área acumulativa el ≤5%


Rasguños por la luz de intensidad alta		3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer		5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer	5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer


microprocesador del borde		Ninguno		3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno	5 permitida, ≤1 milímetro cada uno

Del cuadrado substrato 2inch 4inch 6inch 8inch del carburo de silicio de Windows sic 0

Sic usos

Los cristales del carburo de silicio (sic) tienen propiedades físicas y electrónicas únicas. El carburo de silicio basó los dispositivos se ha utilizado para la longitud de onda corta optoelectrónica, usos des alta temperatura, resistentes a las radiaciones. Los dispositivos electrónicos de alta potencia y de alta frecuencia hicieron con sic son superiores al Si y a los dispositivos GaAs-basados. Abajo están algunos usos populares sic de substratos.

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Del cuadrado substrato 2inch 4inch 6inch 8inch del carburo de silicio de Windows sic 4

Empaquetado – logística
Nos referimos a cada detalle del tratamiento del paquete, de la limpieza, antiestático, y por electrochoque.

¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o los casetes 25pcs en el cuarto de limpieza de 100 grados.

Del cuadrado substrato 2inch 4inch 6inch 8inch del carburo de silicio de Windows sic 6

Etiquetas:

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