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Alta optoelectrónica de los diodos de la dureza 4Inch Sapphire Wafer For Leds Laser
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Certificación: | ROHS |
| Número de modelo: | 4INCH*0.5mmt |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 25pcs |
|---|---|
| Precio: | by case |
| Detalles de empaquetado: | en caja de la oblea del casete 25pcs bajo sitio de limpieza 100grade |
| Tiempo de entrega: | 1 semana |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | 1000PCS por mes |
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Información detallada |
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| material: | sapphire single crystal Al2O3 99.999% | orientation: | C-AXIS/A-AXIS/M-AXIS/M-AXIS |
|---|---|---|---|
| surface: | SSP DSP or Grinding | thickness: | 0.25mm, 0.5mm or 0.43mm |
| application: | led or optical glass | growth method: | ky |
| SIZE: | 4inch DIA100mm | Package: | 25/Cassette |
| Alta luz: | Alta dureza 4Inch Sapphire Substrate,Diodos láser Sapphire Wafer del LED,Optoelectrónica Sapphire Wafer |
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Descripción de producto
el lado de 4inch 101.6m m Sapphire Wafer Substrate Carrier Single pulió a solo Crystal Al 2O3
Uso de los substratos de la oblea del zafiro 4inch
la oblea del zafiro 4-inch es ampliamente utilizada en el LED, el diodo láser, dispositivos optoelectrónicos, dispositivos de semiconductor, y otros campos. La alta transmitencia ligera y la alta dureza de las obleas del zafiro les hacen los materiales ideales del substrato para el alto-brillo y los LED de altas potencias de fabricación. Además, las obleas del zafiro se pueden también utilizar para fabricar Windows óptico, componentes mecánicos, y así sucesivamente.
Sapphire Properties
| Físico | |
| Fórmula química | Al2O3 |
| Densidad | 3,97 g/cm3 |
| Dureza | 9 Mohs |
| Punto de fusión | Oc 2050 |
| Temperatura máxima del uso | 1800-1900oC |
| Mecánico | |
| Resistencia a la tensión | 250-400 MPa |
| Fuerza compresiva | MPa 2000 |
| El ratio de Poisson | 0.25-0.30 |
| Módulo de Young | 350-400 GPa |
| Resistencia de flexión | 450-860 MPa |
| Módulo del éxtasis | 350-690 MPa |
| Termal | |
| Tarifa linear de la extensión (en 293-323 K) | 5.0*10-6K-1 (⊥ C) |
| 6.6*10-6K-1 (∥ C) | |
| Conductividad termal (en 298 K) | 30,3 con (m*K) (⊥ C) |
| 32,5 con (m*K) (∥ C) | |
| Calor específico (en 298 K) | 0,10 cal*g-1 |
| Eléctrico | |
| Resistencia (en 298 K) | 5.0*1018 Ω*cm (⊥ C) |
| 1.3-2.9*1019 Ω*cm (∥ C) | |
| Constante dieléctrica (en 298 K, en intervalo de 103 - 109 herzios) | 9,3 (⊥ C) |
| 11,5 (∥ C) | |
Proceso de producción:
El proceso de producción para las obleas del zafiro incluye generalmente los pasos siguientes:
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El solo material cristalino del zafiro con pureza elevada se selecciona.
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Solo material cristalino cortado del zafiro en cristales del tamaño apropiado.
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El cristal es procesado en forma de la oblea por la temperatura alta y la presión.
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La precisión que muele y que pule se realiza muchas veces de obtener el final y la llanura superficiales de alta calidad
Especificaciones del portador del substrato de la oblea del zafiro 4inch
| Espec. | 2 pulgadas | 4 pulgadas | 6 pulgadas | 8inch |
| Diámetro | ± 50,8 0,1 milímetros | ± 100 0,1 milímetros | ± 150 0,1 milímetros | ± 200 0,1 milímetros |
| Grueso | 430 ± 25 um | 650 ± 25 um | ± 1300 25 um | ± 1300 25 um |
| Ra | ≤ del Ra 0,3 nanómetros | ≤ 0.3nm del Ra | ≤ 0.3nm del Ra | ≤ del Ra 0,3 nanómetros |
| TTV | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um |
| Tolerancia | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um |
| Superficie de la calidad | 20/10 | 20/10 | 20/10 | 20/10 |
| Estado superficial | Pulido de DSP SSP | |||
| Forma | Círculo con la muesca o la llanura | |||
| Chaflán | 45°, forma de C | |||
| Material | Al2O3 99,999% | |||
| N/O | Oblea del zafiro | |||
Se crece y se orienta el material, y los substratos se fabrican y se pulen a una superficie Epi-lista libre de daños extremadamente lisa en un o ambo lados de la oblea. Una variedad de orientaciones y de tamaños hasta 6" de la oblea de diámetro están disponibles.
Los substratos del zafiro del Uno-avión - se utilizan generalmente para los usos microelectrónicos híbridos que requieren una constante dieléctrica uniforme y que aíslan altamente características.
Los substratos del C-avión - tienda a ser utilizado para todo-v y los compuestos del ll-Vl, tales como GaN, para el LED brillante y los diodos láser azules y verdes.
Substratos del R-avión - éstos se prefieren para la deposición hetero-epitaxial del silicio usada en los usos microelectrónicos de IC.
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Oblea estándar oblea SSP/DSP del zafiro del C-avión de 2 pulgadas
oblea SSP/DSP del zafiro del C-avión de 3 pulgadas oblea SSP/DSP del zafiro del C-avión de 4 pulgadas oblea SSP/DSP del zafiro del C-avión de 6 pulgadas |
Corte especial
1120) obleas del zafiro del Uno-avión ( 1102) obleas del zafiro del R-avión ( 1010) obleas del zafiro del M-avión ( 1123) obleas del zafiro del N-avión ( C-AXIS con un despunte de 0.5°~ 4°, hacia Uno-AXIS o M-AXIS La otra orientación modificada para requisitos particulares |
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Tamaño modificado para requisitos particulares
oblea del zafiro de 10*10m m oblea del zafiro de 20*20m m Oblea ultra fina del zafiro (100um) oblea del zafiro de 8 pulgadas |
Sapphire Substrate modelada (PSS)
C-avión PSS de 2 pulgadas C-avión PSS de 4 pulgadas |
| 2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4m m /0.5mm/ 1.0mmt SSP C-AXIS 0.2/0.43m m (DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43m m
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| 3inch |
DSP/SSP C-AXIS 0.43mm/0.5m m
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| 4Inch |
dsp c-AXIS 0.4mm/0.5mm/1.0m m ssp c-AXIS 0.5mm/0.65mm/1.0mmt
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| 6inch |
ssp c-AXIS 1.0mm/1.3mmm
dsp c-AXIS 0.65mm/0.8mm/1.0mmt
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detalles del zafiro de la oblea del zafiro 4inch de 101.6m m
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Además de las obleas del zafiro de 4 pulgadas, hay otros tamaños y formas de las obleas del zafiro para elegir, por ejemplo de 2 pulgadas, de 3 pulgadas, de 6 pulgadas o aún de obleas más grandes del zafiro. Además, hay otros materiales que se pueden utilizar para fabricar los dispositivos del LED y de semiconductor, tales como nitruro de aluminio (AlN) y carburo de silicio (sic).