grado Sapphire Wafers Thickness de 2inch 50.8m m C-AXIS Miscut 4 0.175m m/0.3m m/0.4m m/0.5m m Dsp

• Material: Pureza elevada el >99.99%, solo Al2O3 cristalino

• Dimensión: 50,8 milímetro +/- 0,1 milímetros

• Grueso: 430 um +/- 25 um para el SSP y 400 um +/- 25 um para DSP (el otro grueso disponible a petición)

• Parámetro del enrejado: a=4.785 A, c=12.991 A

• Densidad: 3,98 g/cm3

• Orientación: Avión de C (0001) a M grado (de 1-100) 0,2 +/- 0,1 apagado.

• Orientación plana primaria: Uno-avión [11-20] +/- 0,2 grados

• Longitud plana primaria: 16,0 +/- 1,0 milímetros

• Variación total del grueso (TTV): <5 um="">

• Arco: <10 um="">

• Deformación: <10 um="">

• Coeficiente de la extensión termal: paralelo de 6,66 de x 10-6/°C al eje de C, perpendicular de 5 de x 10-6/°C al eje de C

• Fuerza dieléctrica: 4,8 x 105 V/cm

• Constante dieléctrica: 11,5 (1 megaciclo) a lo largo del eje de C, 9,3 perpendicular (1 megaciclo) al eje de C

• Tangente de la pérdida dieléctrica (a.k.a factor de disipación): menos de 1 x 10-4

• Conductividad termal: 40 con (m.K) en 20℃

• Polaco: (SSP) Ra superficial epi-listo pulido solo lado de la parte delantera < 0="">

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