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6 pulgadas 8 pulgadas SIO2 Dióxido de silicio espesor de la oblea 10um-25um Superficie de micromecanización
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Ultra-thick silicon oxide wafer |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5 |
|---|---|
| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Áreas de aplicación: | Fabricación de semiconductores, microelectrónica, dispositivos ópticos, etc. | Uniformidad en plano e interplano:: | ± 0,5%, |
|---|---|---|---|
| Tolerancia del espesor del óxido: | +/- 5% (ambos lados) | Punto de fusión: | 1,600° C (2,912° F) |
| Densidad: | 2533 Kg/m3 | El grosor: | 20um,10um-25um |
| Indice de refracción: | Aproximadamente 1.44 | Coeficiente de expansión: | 0.5 × 10^-6/°C |
| Alta luz: | Wafer de dióxido de silicio SIO2,Wafer de dióxido de silicio de 6 pulgadas,Oferta SIO2 de micromecanización |
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Descripción de producto
6 pulgadas 8 pulgadas de dióxido de silicio SIO2 grueso de la oblea 20um 10um-25um Substrato de cristal
Descripción del producto:
La oblea de dióxido de silicio SIO2, vital en la producción de semiconductores, tiene un grosor que oscila entre 10 μm y 25 μm y está disponible en diámetros de 6 pulgadas y 8 pulgadas.Sirve principalmente como una capa aislante esencial, desempeña un papel fundamental en la microelectrónica, ofreciendo una alta resistencia dieléctrica.esta oblea asegura un rendimiento óptimo en varias aplicacionesSu uniformidad y pureza lo convierten en una opción ideal para dispositivos ópticos, circuitos integrados y microelectrónica.facilita los procesos de fabricación de dispositivos precisosSu versatilidad se extiende a apoyar los avances en los dominios tecnológicos,garantizar la fiabilidad y la funcionalidad en un amplio espectro de aplicaciones en la fabricación de semiconductores e industrias afines.
Perspectiva del producto:
Las obleas de dióxido de silicio tienen una amplia gama de aplicaciones en los ámbitos de la tecnología y la ciencia, desempeñando un papel crucial en la fabricación de semiconductores, óptica, ciencias biomédicas,y tecnologías de sensoresCon los avances tecnológicos y la creciente demanda, las perspectivas de desarrollo de las obleas de SiO2 siguen siendo muy prometedoras.
La búsqueda continua de dispositivos electrónicos más pequeños, más rápidos y más eficientes energéticamente seguirá impulsando la evolución de la tecnología de fabricación de semiconductores.como un componente fundamental dentro de este paisaje, se verán sometidas a una mejora y un perfeccionamiento continuos a través de la introducción de nuevos materiales, procesos y diseños, para satisfacer las necesidades del mercado en constante expansión.
En esencia, las obleas de SiO2 continúan teniendo grandes perspectivas de desarrollo dentro de los dominios de semiconductores y microelectrónica, manteniendo su papel fundamental en varias industrias de alta tecnología.
Características:
- Nombre del producto:Substrato de semiconductores
- Coeficiente de expansión:0.5 × 10^-6/°C
- Áreas de aplicación:Fabricación de semiconductores, microelectrónica, dispositivos ópticos, etc.
- Peso molecular:60.09
- Conductividad térmica:Alrededor de 1,4 W/ ((m·K) @ 300K
- Punto de fusión:1,600° C (2,912° F)
- con un contenido de aluminio superior o igual a 10 W:Usados para la fabricación de dispositivos microelectrónicos y para la oxidación de superficies
- Tecnología de película delgada:Se utiliza para fabricar dispositivos semiconductores, células solares, etc.
Parámetros técnicos:
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Punto de ebullición | 2,230° C (4,046° F) |
| Orientación | Se trata de una serie de medidas que se aplican a las empresas. |
| Tolerancia del espesor del óxido | ± 5% (ambos lados) |
| Uniformidad en el plano y entre los planos | ± 0,5% |
| Indice de refracción | 550nm de 1,4458 ± 0.0001 |
| El grosor | 20um, 10um y 25um |
| Densidad | 2533 Kg/m3 |
| Peso molecular | 60.09 |
| Coeficiente de expansión | 0.5 × 10^-6/°C |
| Punto de fusión | 1,600° C (2,912° F) |
| Aplicaciones | Tecnología de película delgada, obleas de óxido de silicio, tecnología de sustrato |
Aplicaciones:
- Circuitos integrados:Integral para la fabricación de semiconductores.
- Microelectrónica:Es esencial para la fabricación de dispositivos microelectrónicos.
- Los recubrimientos ópticos:Utilizado en aplicaciones ópticas de película delgada.
- Transistores de película delgada:Empleado en la producción de dispositivos TFT.
- Celdas solares:Se utiliza como sustrato o capa aislante en la tecnología fotovoltaica.
- Sistemas MEMS (microelectromecánicos):Es crucial para el desarrollo de dispositivos MEMS.
- Sensores químicos:Se utiliza para la detección de sustancias químicas sensibles.
- Dispositivos biomédicos:Empleado en varias aplicaciones biomédicas.
- Productos fotovoltaicos:Apoya la tecnología de células solares para la conversión de energía.
- La pasivación de la superficie:Ayudas para la protección de la superficie de semiconductores.
Personalización:
ZMSH ofrece servicios personalizados para el sustrato de semiconductores. Nuestros productos de semiconductores están hechos de material semiconductor de la más alta calidad y obleas de óxido de silicio.Nuestra marca es ZMSH.Nuestro lugar de origen es China, con un coeficiente de expansión de 0,5 × 10^-6/°C. Usamos el proceso de Czochralski (CZ) para el crecimiento de las obleas,y la orientación es <100><11><110>Además, nuestra uniformidad en plano e interplano es ± 0,5%, y el punto de ebullición es de 2,230 ° C (4,046 ° F).
Apoyo y servicios:
Nuestra compañía proporciona soporte técnico y servicios para productos de Sustáto Semiconductor.solución de problemas y mantenimiento de estos productosProporcionamos una gama de servicios, desde soporte in situ hasta asistencia remota. También ofrecemos capacitación y seminarios para ayudar a nuestros clientes a utilizar los productos correctamente y obtener el máximo provecho de ellos.Nos esforzamos por mantener los más altos estándares de calidad para garantizar que nuestros clientes reciban el mejor servicio posibleSi tiene alguna pregunta o inquietud, no dude en contactarnos.
Embalaje y envío:
Envasado y envío de un sustrato semiconductor:
Los sustratos de semiconductores deben empaquetarse y transportarse cuidadosamente para evitar daños y contaminación.con un contenido de aluminio superior o igual a 10%, pero no superior a 50%El envase debe estar etiquetado con una etiqueta de advertencia que indique que el contenido es de componentes electrónicos sensibles..
La caja debe estar marcada con la información de envío adecuada y una etiqueta "Fragile" para garantizar que el paquete se maneje con cuidado.Luego debe colocarse en un contenedor de transporte de protección y enviarse a través de un transportista de carga de confianza.
Preguntas frecuentes:
R: Un sustrato semiconductor es una oblea delgada de material, típicamente un semiconductor como el silicio, en el que se construyen circuitos integrados u otros componentes electrónicos.
Nuestro sustrato semiconductor es ZMSH.
R: El número de modelo de nuestro sustrato semiconductor es una oblea de óxido de silicio ultra gruesa.
R: Nuestro sustrato de semiconductores es de China.
R: El propósito principal de un sustrato semiconductor es proporcionar una base para crear circuitos integrados y otros componentes electrónicos.