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Wafers SOI de 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas compatibles con la estructura CMOS de tres capas
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | SOI wafer |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5 |
|---|---|
| Tiempo de entrega: | Entre 2 y 4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Conductividad térmica: | Conductividad térmica relativamente alta | Ventajas de rendimiento: | Características eléctricas superiores, reducción de tamaño, reducción de la transmisión entre dispos |
|---|---|---|---|
| espesor de la capa activa: | Por lo general, van desde unos pocos a varias decenas de nanómetros (nm) | Resistencia: | Normalmente desde varios cientos hasta varios miles de ohmiosentimetros (Ω·cm) |
| Diámetro de la oblea: | 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas o más | Características del consumo de energía: | Características de bajo consumo de energía |
| Ventajas del proceso: | Proporciona un mejor rendimiento del dispositivo electrónico y un menor consumo de energía | Concentración de la impureza: | Concentración baja de impurezas con el objetivo de minimizar los efectos de la movilidad de electron |
| Alta luz: | Silicio en soportes de obleas aislantes,Wafers de SOI de 4 pulgadas,CMOS Tres capas de la estructura de las obleas SOI |
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Descripción de producto
Wafers SOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, compatibles con la estructura CMOS de tres capas
Descripción del producto:
La oblea SOI (Silicon on Insulator) es una maravilla pionera en el ámbito de la tecnología de semiconductores, revolucionando el panorama de la electrónica avanzada.Esta oblea de vanguardia encarna un trifecto de innovación, ofreciendo un rendimiento sin igual, eficiencia y versatilidad.
En su núcleo se encuentra una estructura de tres capas. La capa superior cuenta con una capa de silicio de cristal único, conocida como la capa de dispositivo, que sirve como base para los circuitos integrados.Debajo de ella reside la capa de óxido enterrado, proporcionando aislamiento y aislamiento entre la capa superior de silicio y la base.formando el sustrato sobre el que se construye esta obra maestra tecnológica.
Una de las características más destacadas de la oblea SOI es su compatibilidad con la tecnología CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor).Esta compatibilidad integra a la perfección los beneficios de las IEA en los procesos de fabricación de semiconductores existentes, ofreciendo una vía para mejorar el rendimiento sin interrumpir las metodologías de producción establecidas.
La innovadora composición de tres capas de la oblea SOI presenta una serie de ventajas: reduce drásticamente el consumo de energía, debido a las propiedades aislantes de la capa de óxido enterrada,que minimiza la capacidad del dispositivo electrónico y mejora la velocidad y la eficiencia del circuitoEsta reducción del consumo de energía no sólo mejora la duración de la batería en los dispositivos portátiles, sino que también contribuye a un funcionamiento energéticamente eficiente en una multitud de aplicaciones.
Además, la capa de aislamiento de la oblea SOI confiere una resistencia superior a la radiación, por lo que es excepcionalmente adecuada para aplicaciones en ambientes hostiles y de alta radiación.Su capacidad para mitigar los efectos de la radiación garantiza su fiabilidad y funcionalidad, incluso en condiciones extremas.
La estructura de tres capas también disminuye la interferencia de la señal, optimizando el rendimiento de los circuitos integrados al reducir el cruce entre componentes.allanando el camino para una mayor eficiencia en el procesamiento de datos y la comunicación.
Además, la capa de aislamiento ayuda a una disipación de calor eficiente, dispersando efectivamente el calor dentro de la oblea.garantizar el rendimiento sostenido y la longevidad de los circuitos integrados.
En conclusión, la oblea SOI representa un cambio de paradigma en la tecnología de semiconductores.abre un reino de posibilidades para la electrónica de alto rendimientoDesde la electrónica de consumo eficiente en energía hasta soluciones robustas para el sector aeroespacial y de defensa,El diseño innovador de la oblea SOI y sus múltiples ventajas la convierten en una piedra angular del mundo en constante evolución de la innovación en semiconductores..
Características:
Estructura de doble capa: la oblea SOI consta de tres capas, siendo la capa superior la capa de silicio de cristal único (Capa de dispositivo),la capa media es la capa aislante (Capa de óxido enterrada), y la capa inferior es el sustrato de silicio (caparazón).
Bajo consumo de energía: debido a la presencia de la capa aislante, la oblea SOI presenta un menor consumo de energía en dispositivos electrónicos.La capa aislante reduce el efecto de acoplamiento de capacitancia entre dispositivos electrónicos, mejorando así la velocidad y la eficiencia de los circuitos integrados.
Resistencia a la radiación: la capa aislante de la oblea SOI mejora la resistencia del silicio a la radiación, lo que permite un mejor rendimiento en entornos de alta radiación,que lo hace adecuado para aplicaciones específicas.
Reducción de la interferencia: La presencia de la capa aislante ayuda a reducir la interferencia entre las señales, mejorando el rendimiento de los circuitos integrados.
Disipación de calor: La capa aislante de la oblea SOI contribuye a la difusión de calor, mejorando la eficiencia de disipación de calor de los circuitos integrados, ayudando a prevenir el sobrecalentamiento del chip.
Alta integración y rendimiento: la tecnología SOI permite que los chips tengan una mayor integración y rendimiento, lo que permite que los dispositivos electrónicos puedan acomodar más componentes dentro del mismo tamaño.
Compatibilidad CMOS: las obleas SOI son compatibles con la tecnología CMOS, lo que beneficia a los procesos de fabricación de semiconductores existentes.
Fabricación de plaquetas
Parámetros técnicos:
| Parámetros | Los valores |
|---|---|
| espesor de la capa aislante | Aproximadamente varios cientos de nanómetros |
| Resistencia | Normalmente desde varios cientos hasta varios miles de ohmiosentimetros (Ω·cm) |
| Proceso de fabricación | Capas de silicio multicristalino preparadas mediante un proceso especial |
| espesor de la capa activa | Por lo general, van desde unos pocos a varias decenas de nanómetros (nm) |
| Tipo de dopaje | Tipo P o tipo N |
| Capa aislante | Dióxido de silicio |
| Calidad de cristal entre capas | Estructura cristalina de alta calidad, que contribuye al rendimiento del dispositivo |
| El espesor del SOI | Por lo general dentro del rango de varios cientos de nanómetros a unos pocos micrómetros |
| Ventajas del proceso | Proporciona un mejor rendimiento del dispositivo electrónico y un menor consumo de energía |
| Ventajas de rendimiento | Características eléctricas superiores, reducción de tamaño, reducción de la transmisión entre dispositivos electrónicos, entre otros |
| Conductividad | En alto. |
| Oxidación superficial | Disponible |
| Otros productos para la fabricación de plaquetas de óxido de silicio | Disponible |
| Epitaxia | Disponible |
| El dopaje | Tipo P o tipo N |
| En el caso de los países de la UE | Disponible |
Aplicaciones:
La tecnología SOI desempeña un papel fundamental en la fabricación de microprocesadores y circuitos integrados.alto rendimiento, y la resistencia a la radiación lo convierten en una opción ideal para microprocesadores de alto rendimiento, especialmente en campos como dispositivos móviles y computación en la nube.
Comunicación y tecnología inalámbrica: La amplia aplicación de la tecnología SOI en el sector de las comunicaciones se debe a su capacidad para reducir el consumo de energía y mejorar la integración.Esto incluye la fabricación de circuitos integrados de alto rendimiento para dispositivos de radiofrecuencia (RF) y microondas, así como chips eficientes para dispositivos 5G e Internet de las Cosas (IoT).
Tecnología de imágenes y sensores: las obleas SOI encuentran un uso significativo en la producción de sensores de imagen y varios tipos de sensores.Su alto rendimiento y menor consumo de energía los hacen cruciales en áreas como las cámaras., equipos de imágenes médicas y sensores industriales.
Aeroespacial y Defensa: La naturaleza resistente a la radiación de las obleas SOI las hace sobresalir en entornos de alta radiación, lo que lleva a aplicaciones cruciales en aeroespacial y defensa.Se utilizan en la fabricación de componentes clave para vehículos aéreos no tripulados, satélites, sistemas de navegación y sensores de alto rendimiento.
Gestión de la energía y tecnologías ecológicas: debido a su bajo consumo de energía y alta eficiencia, las obleas SOI también encuentran aplicaciones en gestión de la energía y tecnologías ecológicas.Estos incluyen el uso en redes inteligentes, fuentes de energía renovables y dispositivos de ahorro de energía.
En general, la aplicación versátil de las obleas SOI se extiende a través de varios dominios, debido a sus propiedades únicas,haciendo de ellos un material preferido para muchos dispositivos y sistemas electrónicos de alto rendimiento.
Personalización:
Nombre de marca: ZMSH
Número de modelo: oblea SOI
Lugar de origen: China
El sustrato de semiconductor personalizado se fabrica con tecnología avanzada de película delgada, electro-oxidación, conductividad, filtración y doping.superficies planas de alta calidad, reducción de defectos, baja concentración de impurezas destinadas a minimizar los efectos de la movilidad de electrones, estructura cristalina de alta calidad, que contribuye al rendimiento del dispositivo y una fuerte resistencia a la radiación.
Apoyo y servicios:
Proporcionamos soporte técnico y servicio integral para nuestros productos de sustrato de semiconductores, incluidos:
- Guía para la selección de productos
- Instalación y puesta en marcha
- Mantenimiento, reparaciones y mejoras
- Solución de problemas y solución de problemas
- Formación y educación de los usuarios
- Reemplazo y intercambio de productos
Nuestro equipo de soporte técnico está formado por profesionales experimentados que se comprometen a garantizar la satisfacción de nuestros clientes.Nos esforzamos por proporcionar tiempos de respuesta rápidos y resolución efectiva de problemas.