Silicio en el aislante SOI Wafer 6", 2,5 "m (dopado con P) + 1,0 SiO2 + 625um Si (tipo P / dopado con boro)

Wafer SOI de silicio sobre aislante de 6", 2,5 "m (dopado con P) + 1,0 SiO2 + 625um Si (de tipo P /dopado con boro)

Resumen de las obleas de silicio en aislante (SOI)

Esta oblea de silicio en aislante (SOI) es un sustrato semiconductor especializado diseñado para aplicaciones avanzadas de sistemas electrónicos y microelectromecánicos (MEMS).La oblea se caracteriza por una estructura de múltiples capas que mejora el rendimiento del dispositivo, reduce la capacidad parasitaria y mejora el aislamiento térmico, por lo que es una opción ideal para una amplia gama de aplicaciones de alto rendimiento y alta precisión.

Propiedades del producto de las obleas de silicio en aislante (SOI)

Especificaciones de las obleas:

• Diámetro de la oblea: 150 mm
  • El diámetro de 6 pulgadas proporciona una gran superficie para la fabricación de dispositivos, mejorando la eficiencia de fabricación y reduciendo los costos de producción.

Capa del dispositivo:

• El grosor: 2,5 micrómetros
  • La capa delgada del dispositivo permite un control preciso de las propiedades electrónicas, esencial para aplicaciones de alta velocidad y alto rendimiento.
• El dopaje: Tipo P (dopado con fósforo)
  • El dopaje con fósforo mejora la conductividad eléctrica de la capa del dispositivo, lo que lo hace adecuado para varios dispositivos semiconductores tipo p.

Capa de óxido enterrado (BOX):

• El grosor: 1,0 micrómetros
  • La capa de SiO2 de 1,0 μm de espesor proporciona un excelente aislamiento eléctrico entre la capa del dispositivo y la oblea del mango, reduciendo la capacitancia parasitaria y mejorando la integridad de la señal.

Mando de la oblea:

• El grosor: 625 micrómetros
  • La oblea de mango gruesa asegura la estabilidad mecánica durante la fabricación y el funcionamiento, evitando la deformación o la rotura.
• El tipo: Tipo P (dopado con boro)
  • El dopaje con boro mejora la resistencia mecánica y la conductividad térmica de la oblea del mango, ayudando en la disipación de calor y mejorando la confiabilidad general del dispositivo.

Propiedades clave del producto:

1. Capa de dispositivo de alta calidad:

   • Movilidad de los transportistas: La alta movilidad del portador en la capa dopada con fósforo garantiza una respuesta electrónica rápida y un funcionamiento de alta velocidad.
   • Baja densidad de defectos: El proceso de fabricación de alta calidad garantiza un mínimo de defectos, lo que conduce a un mejor rendimiento y mayores rendimientos.

2. Aislamiento eléctrico eficiente:

   • Baja capacidad parasitaria: La capa BOX aísla efectivamente la capa del dispositivo del sustrato, reduciendo la capacidad parasitaria y el cruce de voz, crucial para aplicaciones de alta frecuencia y baja potencia.
   • Integridad de la señal: El aislamiento eléctrico mejorado ayuda a mantener la integridad de la señal, que es esencial para los circuitos analógicos y digitales de alta precisión.

3. Gestión térmica:

   • Conductividad térmica: La oblea de mango dopada con boro proporciona una buena conductividad térmica, ayudando a disipar el calor generado durante el funcionamiento del dispositivo, evitando así el sobrecalentamiento y garantizando un rendimiento estable.
   • Resistencia al calor: La estructura y los materiales de la oblea aseguran que pueda soportar altas temperaturas durante el procesamiento y el funcionamiento.

4. Estabilidad mecánica:

   • La robustez: La oblea de mango grueso proporciona un soporte mecánico, asegurando que la oblea permanezca estable durante el proceso de fabricación y bajo tensiones operativas.
   • Durabilidad: La estabilidad mecánica de la oblea del mango ayuda a prevenir daños, reduciendo el riesgo de rotura de la oblea y mejorando la longevidad general del dispositivo.

5. Versatilidad en las aplicaciones:

   • Computación de alto rendimiento: Adecuado para procesadores y otros circuitos lógicos digitales de alta velocidad, gracias a su alta movilidad de portadores y baja capacidad parasitaria.
   • Comunicación 5G: Ideal para componentes de RF y procesamiento de señales de alta frecuencia, beneficiándose de las excelentes propiedades de aislamiento eléctrico y gestión térmica.
   • Dispositivos MEMS: Perfecto para la fabricación de MEMS, ofreciendo la estabilidad mecánica y precisión necesarias para estructuras microfabricadas.
   • Circuitos analógicos y de señal mixta: El bajo ruido y la reducción del cruce de voz lo hacen adecuado para circuitos analógicos de alta precisión.
   • Electrónica de potencia: Las robustas propiedades térmicas y mecánicas lo hacen adecuado para aplicaciones de gestión de energía que requieren una alta eficiencia y fiabilidad.

Conclusión

Esta oblea de silicio en aislante (SOI) ofrece una combinación única de materiales de alta calidad y técnicas de fabricación avanzadas, lo que resulta en un sustrato que sobresale en rendimiento eléctrico,gestión térmicaEstas propiedades lo convierten en una opción ideal para una amplia gama de aplicaciones electrónicas y MEMS de alto rendimiento,apoyo al desarrollo de dispositivos semiconductores de próxima generación.

Wafer de silicio en aislante (SOI) Fotos del producto

Pregunta y respuesta

¿Qué son las obleas SOI?

Las obleas de silicio en aislante (SOI) son un tipo de sustrato semiconductor que consta de múltiples capas, incluyendo una capa delgada de dispositivo de silicio, una capa de óxido aislante,y una oblea de manija de silicio de apoyoEsta estructura mejora el rendimiento de los dispositivos semiconductores al proporcionar un mejor aislamiento eléctrico, reducir la capacidad parasitaria y mejorar la gestión térmica.