Wafer de SOI Silicio en aislante 100 mm 150 mm Tipo de dopante P Dispositivo B 220 Resistencia: 8,5-11,5 ohm-cm

Wafer de SOI Silicio en aislante 100 mm 150 mm Tipo de dopante P Dispositivo B: 220 Resistividad: 8,5-11,5 ohm-cm

Página de detalle del producto para las obleas de SOI (silício en aislante)

Descripción general del producto

Presentamos nuestras obleas de silicio en aislante (SOI) de alto rendimiento, disponibles en diámetros de 100 mm y 150 mm.que ofrece un aislamiento eléctrico superiorIdeal para computación de alto rendimiento, comunicación RF, dispositivos MEMS y electrónica de potencia.Nuestras obleas SOI aseguran un rendimiento y una fiabilidad de primer nivel.

Especificaciones

Las dimensiones de la oblea:

• Opciones de diámetro: 100 mm (4 pulgadas) y 150 mm (6 pulgadas)

Capa del dispositivo:

• El material: Silicio
• El grosor: 220 nanómetros
• Tipo de sustancia: Tipo P
• El elemento de dopante: Boro (B)
• Resistencia: de 8,5 a 11,5 ohm-cm

Capa de óxido enterrado (BOX):

• El material: Dióxido de silicio (SiO2)
• El grosor: Personalizable en función de las necesidades de la aplicación (normalmente entre 200nm y 2μm)

Mando de la oblea:

• El material: Silicio
• El tipo: Tipo P (dopado con boro)
• El grosor: espesor estándar de 500-700 μm, que proporciona un soporte mecánico robusto

Características clave

1. El aislamiento eléctrico superior:

   • La capa BOX asegura un excelente aislamiento eléctrico entre la capa del dispositivo y la oblea del mango, reduciendo significativamente la capacitancia parasitaria y el ruido cruzado.

2. Capa de dispositivo de alta calidad:

   • La capa de dispositivo de silicio tipo P de 220 nm de espesor, dopada con boro, proporciona propiedades eléctricas óptimas para una variedad de aplicaciones de semiconductores, lo que garantiza un alto rendimiento y fiabilidad.

3. Resistencia óptima:

   • La resistividad de la capa del dispositivo de 8,5-11,5 ohm-cm es ideal para aplicaciones de alta velocidad y baja potencia, equilibrando las características de conductividad y fuga.

4. Gestión térmica mejorada:

   • La estructura SOI permite una mejor disipación de calor, que es crítica para mantener el rendimiento y la longevidad del dispositivo en condiciones de alta potencia o alta frecuencia.

5. Estabilidad mecánica:

   • La oblea de mango gruesa proporciona un soporte mecánico robusto, asegurando la estabilidad de la oblea durante el proceso de fabricación y en entornos operativos.

6. Opciones de personalización:

   • Ofrecemos personalización del espesor de la capa BOX y otros parámetros para satisfacer los requisitos de aplicación específicos, proporcionando flexibilidad para diversas necesidades de semiconductores.

Aplicaciones

1. Computación de alto rendimiento:

   • Ideal para CPU, GPU y otros circuitos lógicos digitales de alta velocidad, ofreciendo una velocidad mejorada y un consumo de energía reducido.

2. Comunicación 5G y RF:

   • Perfecto para componentes de RF y procesamiento de señales de alta frecuencia, beneficiándose del excelente aislamiento y propiedades térmicas.

3. Dispositivos MEMS

   • Apto para la fabricación de dispositivos MEMS como acelerómetros, giroscopios y otros sensores, proporcionando la estabilidad mecánica y precisión requeridas.

4. Electrónica de potencia:

   • Se utiliza en aplicaciones de gestión de energía, incluidos interruptores y convertidores de energía, donde la gestión térmica y la eficiencia son cruciales.

5. Circuitos analógicos y de señal mixta:

   • Mejora el rendimiento de los circuitos analógicos al reducir el ruido y el cruce de sonido, lo que lo hace adecuado para el procesamiento de audio y el acondicionamiento de la señal.

Calidad y fiabilidad

• Normas de fabricación:

  • Nuestras obleas SOI se fabrican con los más altos estándares de la industria, garantizando una calidad y un rendimiento constantes.

• Control de calidad:

  • Los procesos de control de calidad rigurosos están en su lugar para asegurar que cada oblea cumpla con las propiedades eléctricas, mecánicas y térmicas especificadas.

• Las certificaciones:

  • Cumple con las normas internacionales de fabricación de semiconductores, garantizando la compatibilidad con los procesos de fabricación globales.

Información sobre los pedidos

• Disponibilidad:

  • Las obleas SOI de 100 mm y 150 mm están disponibles para envío inmediato.

• Embalaje:

  • Las obleas se envasan de forma segura en contenedores antiestáticos y compatibles con las salas limpias para evitar la contaminación y el daño durante el transporte.

Actualice sus aplicaciones de semiconductores con nuestras avanzadas obleas SOI, diseñadas para la excelencia y la fiabilidad.