Wafer de silicio N Tipo P Dopante 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas Resistencia 0-100 Ohm-cm Lustrado de un solo lado
Datos del producto:
Lugar de origen: | China. |
Nombre de la marca: | ZMSH |
Número de modelo: | oblea de silicio |
Información detallada |
|||
Tipo/dopante: | N - Fos/Sb/As | orientación: | 100 |
---|---|---|---|
Resistencia:: | 0-100 ohm-cm | El grosor: | Se aplicarán las siguientes medidas: |
TTV: | < 10 μm | planos: | 1 o 2/ Estándar SEMI |
Polonés: | de un solo lado | Las partículas (LPD): | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
Resaltar: | Oferta de silicio N Tipo P Dopante,Oblea de silicio de 6 pulgadas de lado solo pulido,Wafer de silicio de 4 pulgadas |
Descripción de producto
Wafer de silicio N tipo P Dopante 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas Resistividad: 0-100 ohm-cm Lustrado de lado único
Resumen del producto
Las obleas de silicio son rebanadas delgadas de material semiconductor, predominantemente silicio, utilizado como sustrato en la fabricación de circuitos integrados (CI) y otros dispositivos microelectrónicos.Estas obleas se derivan de lingotes de silicio de cristal único, que se cultivan utilizando métodos como el proceso de Czochralski (CZ).y procesados de acuerdo con los requisitos específicos de la industria.
Propiedades del producto
Las obleas de silicio son parte integral de la industria de semiconductores, exhibiendo una gama de propiedades que las hacen ideales para la fabricación de dispositivos electrónicos y fotónicos.Aquí están las propiedades clave de las obleas de silicio:
-
Propiedades eléctricas:
- Comportamiento de los semiconductores: El silicio tiene propiedades intrínsecas de semiconductor, lo que significa que su conductividad puede alterarse mediante la adición de impurezas, conocidas como dopaje.Esto permite la creación de materiales de tipo p y tipo n esenciales para formar uniones p en dispositivos electrónicos.
- El bandgapEl silicio tiene una banda de 1.12 eV a temperatura ambiente.que es favorable para los dispositivos electrónicos ya que proporciona un buen equilibrio entre la movilidad de los electrones y la resistencia a la generación térmica de pares de electrones-agujeros.
-
Propiedades mecánicas:
- Dureza y fortaleza: El silicio es un material relativamente duro y resistente, lo que lo hace lo suficientemente robusto para soportar las tensiones mecánicas involucradas en el procesamiento de semiconductores.
- La fragilidad: A pesar de su resistencia, el silicio es frágil, lo que puede llevar a la rotura de las obleas si no se manejan adecuadamente durante los procesos de fabricación.
-
Propiedades térmicas:
- Conductividad térmica: El silicio tiene una buena conductividad térmica (alrededor de 150 W/mK a temperatura ambiente), que es crucial para disipar el calor en dispositivos de alta potencia y alta frecuencia.
- Coeficiente de expansión térmica: El silicio tiene un coeficiente de expansión térmica de aproximadamente 2,6 x 10^-6 por grado Celsius, que es relativamente bajo y ayuda a mantener la integridad estructural bajo tensión térmica durante el procesamiento del dispositivo.
-
Propiedades ópticas:
- Transparencia en el infrarrojo: El silicio es transparente a la luz infrarroja, lo que lo hace útil en detectores infrarrojos y otras aplicaciones fotónicas.
-
Propiedades químicas:
- Estabilidad química: El silicio es químicamente estable en la mayoría de las condiciones de procesamiento, aunque puede ser grabado por ciertos productos químicos industriales utilizados en la fabricación de semiconductores.
- Oxidación: El silicio forma fácilmente una capa de óxido natural (dióxido de silicio) cuando se expone al oxígeno, especialmente a altas temperaturas.como las capas aislantes y los óxidos de la puerta en la tecnología MOS.
- ¿ Qué?
Diámetro: 76 mm/100 mm/125 mm |
Diámetro: 200 mm |
Diámetro: 300 mm |
---|---|---|
Wafer de silicio | Wafer de silicio | Wafer de silicio |
Tipo/Dopante: N - Fos/Sb/As | Tipo/Dopante: N - Fos/Sb/As | Tipo/Dopante: N - Fos/Sb/As |
Orientación: < 100 | Orientación: < 100 | Orientación: < 100 |
Resistencia: 0-100 ohm-cm | Resistencia: 0-100 ohm-cm | Resistencia: 0-100 ohm-cm |
El espesor es de 381μm/525μm/625μm +/- 20μm. | Espesor: 725 μm +/- 20 μm | Espesor: 775 μm +/- 20 μm |
TTV: < 10 μm | TTV: < 5 μm | TTV: < 5 μm |
Flat: 1 o 2/ Estándar SEMI | Noche: estándar SEMI | Noche: estándar SEMI |
Con una sola cara pulida | Con una sola cara pulida | Polished de doble cara |
Las partículas (LPD): <=20@>=0,3um | Las partículas (LPD): <= 50@>= 0,2um | Las partículas (LPD): <= 50@>= 0,2um |
Estas propiedades se aprovechan durante el proceso de fabricación de dispositivos de semiconductores, donde el control preciso de los dispositivos eléctricos, mecánicos,y características químicas se requiere para producir componentes electrónicos confiables y de alto rendimientoLa adaptabilidad de las obleas de silicio a diversos procesos de dopaje mejora aún más su utilidad en la creación de una amplia gama de dispositivos electrónicos y fotónicos.
Aplicaciones del producto
Las obleas de silicio, debido a sus propiedades versátiles y compatibilidad con varias tecnologías de fabricación, encuentran aplicación en numerosas industrias.Así se clasifican generalmente estas aplicaciones:
-
Circuitos integrados (CI):
- Microprocesadores y microcontroladoresEstos son los cerebros de las computadoras, los teléfonos inteligentes y los sistemas integrados, que manejan los cálculos y el procesamiento de datos.
- Chips de memoria: Incluyendo DRAM, SRAM y memoria flash, que son esenciales para el almacenamiento de datos en una amplia gama de dispositivos electrónicos.
-
Energía solar:
- Celdas fotovoltaicas: las obleas de silicio son un material primario en las células solares, que convierten la luz solar en electricidad.con eficiencias dependientes de la pureza y la estructura cristalina del silicio.
-
Sistemas microelectromecánicos (MEMS):
- Sensores y actuadores: Estos incluyen acelerómetros, giroscopios y micrófonos que se utilizan comúnmente en sistemas de automóviles, teléfonos inteligentes y dispositivos médicos.
-
Optoelectrónica:
- Diodos LED y fotodetectores: Las obleas de silicio se utilizan para construir dispositivos que emiten o responden a la luz, integrados en pantallas, sistemas de comunicación óptica y dispositivos de imagen.
- Circuitos ópticos integrados: Se utiliza en telecomunicaciones para una transmisión de datos más eficiente.
-
Electrónica de potencia:
- Dispositivos de gestión de energía: Estos dispositivos regulan y controlan la distribución y el flujo de energía eléctrica en sistemas, vitales para mejorar la eficiencia energética y el rendimiento en aplicaciones automotrices e industriales.
-
Lasers de semiconductores:
- Lasers infrarrojos: Aunque no es el material primario para aplicaciones de emisión de luz, el silicio se utiliza en la construcción de componentes para láseres semiconductores, especialmente para fotónica integrada.
-
Computación cuántica:
- Puntos cuánticos y otros dispositivos cuánticos: Las aplicaciones experimentales de las obleas de silicio en la computación cuántica incluyen la creación de puntos cuánticos que pueden funcionar como qubits.
Cada una de estas aplicaciones aprovecha las propiedades eléctricas, térmicas, mecánicas y ópticas únicas de las obleas de silicio para cumplir con requisitos funcionales específicos.El desarrollo continuo y la reducción de la tecnología del silicio continúan abriendo nuevas posibilidades y mejorando las capacidades existentes en estos diversos campos.