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Wafer SiC 4H N Tipo de 8 pulgadas Calidad de producción Calidad ficticia Personalizada Wafer de carburo de silicio pulido de doble lado
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China. |
| Nombre de la marca: | ZMSH |
| Número de modelo: | Oblea del carburo de silicio |
Pago y Envío Términos:
| Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
|---|---|
| Condiciones de pago: | T/T |
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Información detallada |
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| Parámetro: | N-TYPE | Polytype: | 4 horas |
|---|---|---|---|
| El grosor: | 500.0μm±25.0μm | grados: | Primero, Dummy, Busca |
| Diámetro: | 200.0 mm +0 mm/-0,5 mm | Orientación de la muesca: | <1-100>±1° |
| Roughness de la superficie ((10μm × 10μm): | Si la luz de la cara es ≤0,2 nm; | Contaminación de superficies metálicas: | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11cm-2 |
| Resaltar: | Wafer de SiC de 8 pulgadas de diámetro,LTV TTV BOW Wafer SiC de curvatura,Wafer de silicona de grado P |
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Descripción de producto
Wafer SiC 4H N Tipo de 8 pulgadas Calidad de producción Calidad ficticia Personalizada Wafer de carburo de silicio pulido de doble lado
Descripción de la oblea de SiC:
La oblea de SiC es un material semiconductor que tiene excelentes propiedades eléctricas y térmicas.Además de su alta resistencia térmicaEn comparación con otros semiconductores, una oblea de carburo de silicio es ideal para una amplia gama de aplicaciones de potencia y voltaje.Esto significa que es adecuado para una variedad de dispositivos eléctricos y ópticos.La oblea de SiC es el material semiconductor más popular disponible. Es un material semiconductor de alta calidad que es perfecto para muchas aplicaciones.La oblea de carburo de silicio es un material muy útil para varios tipos de dispositivos electrónicosOfrecemos una variedad de obleas y sustratos de SiC de alta calidad.
El carácter de la oblea de SiC:
1Energía de banda ancha.
2Alta conductividad térmica
3. Alta dureza
4Buena estabilidad química
La forma de las obleas de SiC:
| Propiedad | Grado P | Grado D | |
| Forma de cristal | 4 horas | ||
| Polítipo | Ninguno permitido | Área ≤ 5% | |
| (MPD) una | ≤ 1/cm2 | ≤ 5 / cm2 | |
| Placas hexagonales | Ninguno permitido | Área ≤ 5% | |
| Las inclusiones | Área ≤ 0,05% | No incluido | |
| Resistencia | 0.015Ω•cm 0.028Ω•cm | 0.014Ω•cm 0.028Ω•cm | |
| (EPD) a | ≤ 8000/cm2 | No incluido | |
| (TED) a | Se trata de un producto que se utiliza para la fabricación de productos químicos. | No incluido | |
| (BPD) a | ≤ 2000/cm2 | No incluido | |
| (TDS) a | ≤ 1000/cm2 | No incluido | |
| Fallo de apilamiento | ≤ 1% Área | No incluido | |
| Orientación de la muesca | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||
| Ángulo de muesca | 90° +5°/-1° | ||
| Profundidad de muesca | 1El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | ||
| Desorientación ortogonal | ± 5,0° | ||
| Finalización de la superficie | C-Face: Polvo óptico, Si-Face: CMP | ||
| El borde de la oblea | Las herramientas | ||
| Roughness de la superficie ((10μm × 10μm) | Si la luz de la cara es ≤0,2 nm; | ||
| El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | ≤ 3 μm | ≤ 5 μm | |
| (TTV) a | ≤ 10 μm | ≤ 10 μm | |
| (BOW) a | ≤ 25 μm | ≤ 40 μm | |
| - ¿ Qué es eso? | ≤ 40 μm | ≤ 80 μm | |
La foto física de la oblea de SiC:
Aplicación de las obleas de SiC:
1Dispositivos de alimentación:
Las obleas de SiC se utilizan ampliamente en la fabricación de dispositivos electrónicos de potencia como MOSFETs de potencia (Transistores de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor), diodos Schottky y módulos integrados de potencia.Debido a las ventajas de la alta conductividad térmica, alta tensión de ruptura y alta movilidad electrónica del SiC, estos dispositivos pueden lograr una conversión de potencia eficiente y de alto rendimiento en altas temperaturas, alta tensión,y ambientes de alta frecuencia.
2. Dispositivos optoelectrónicos:
Las obleas de SiC juegan un papel crucial en los dispositivos optoelectrónicos, siendo utilizadas para fabricar fotodetectores, diodos láser, fuentes UV, entre otros.Las propiedades ópticas y electrónicas superiores del carburo de silicio lo convierten en un material preferido, especialmente excelentes en aplicaciones que requieren altas temperaturas, frecuencias y niveles de potencia.
3Dispositivos de radiofrecuencia:
Las obleas de SiC también se utilizan en la fabricación de dispositivos de RF como amplificadores de potencia de RF, interruptores de alta frecuencia, sensores de RF, y más.y bajas pérdidas de SiC lo convierten en una opción ideal para aplicaciones de RF como comunicaciones inalámbricas y sistemas de radar.
4Electrónica de alta temperatura:
Debido a su alta estabilidad térmica y resistencia a las temperaturas, las obleas de SiC se utilizan en la producción de productos electrónicos diseñados para funcionar en entornos de alta temperatura,incluidos los aparatos electrónicos de potencia de alta temperatura, sensores y controladores.
Imagen de aplicación de la oblea de SiC:
Pregunta y respuesta:
1- ¿ Qué?¿Cuál es elel significado¿de obleas de carburo de silicio de alta calidad?
R: Este es un paso crucial para permitir la producción a gran escala de dispositivos de carburo de silicio, satisfaciendo la demanda de la industria de semiconductores de dispositivos de alto rendimiento y de alta fiabilidad.
2P: ¿Cómo se utilizan las obleas de carburo de silicio en aplicaciones específicas de semiconductores como la electrónica de potencia y la optoelectrónica?
R: Las obleas de carburo de silicio se utilizan en la electrónica de potencia para dispositivos como MOSFETs de potencia, diodos Schottky,y módulos de potencia debido a su alta conductividad térmica y capacidades de manejo de voltajeEn la optoelectrónica, las obleas de SiC se utilizan para fotodetectores, diodos láser y fuentes UV debido a su amplio intervalo de banda y su estabilidad a altas temperaturas.que permiten los dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento.
3¿Qué ventajas ofrece el carburo de silicio (SiC) sobre las obleas de silicio tradicionales en aplicaciones de semiconductores?
R: El carburo de silicio ofrece varias ventajas sobre las obleas de silicio tradicionales, incluido un mayor voltaje de descomposición, una mayor conductividad térmica, una banda ancha más amplia y una mayor estabilidad a temperatura.Estas propiedades hacen que las obleas de SiC sean ideales para alta potencia, aplicaciones de alta frecuencia y alta temperatura donde las obleas de silicio tradicionales pueden no funcionar de manera óptima.
Recomendación del producto:
4H-Semi alta pureza SIC plaquetas de primer grado semiconductor EPI sustrato